-
公开(公告)号：CN1838494B
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN200610067416.0
申请日：2006-03-27
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01S5/4043 , B82Y20/00 , G11B7/123 , G11B7/1275 , G11B2007/0006 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01S5/0202 , H01S5/0207 , H01S5/02212 , H01S5/0224 , H01S5/02272 , H01S5/02276 , H01S5/0425 , H01S5/2214 , H01S5/2231 , H01S5/3432 , H01S5/34326 , H01S5/34333 , H01S5/4031 , H01S5/4087 , H01L2924/00014
Abstract: 半导体激光装置的蓝紫色发光点、红色发光点和红外发光点，配置成按该顺序沿Y方向大致排列在直线上。从蓝紫色发光点发射的蓝紫色激光和从红色发光点发射的红色激光，通过由偏振光束分离器、准直透镜、光束扩展器、λ/4片、物镜、柱面透镜和光轴校正元件构成的光学系统入射到光盘上，从光盘返回后被导向同一个光检测器。从红外发光点发射的红外激光，通过上述光学系统入射到光盘上，从光盘返回后被导向光检测器。
-
公开(公告)号：CN100576665C
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200610058488.9
申请日：2006-03-28
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01S5/4043 , H01L2224/48091 , H01S5/02212 , H01S5/02272 , H01S5/02276 , H01S5/4087 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供一种半导体激光装置。在蓝紫色半导体激光元件上接合单片红色/红外半导体激光元件，蓝紫色半导体激光元件的蓝紫色发光点和红外半导体激光元件的红外发光点的间隔，与红色半导体激光元件的红色发光点和红外发光点的间隔相比非常小，从蓝紫色发光点、红色发光点和红外发光点射出的蓝紫色激光、红色激光和红外激光，通过由偏振光束分离器、准直透镜、光束扩展器、λ/4板、物镜、圆柱透镜、光轴修正元件所构成的光学系统，入射到光盘上之后，都导向光检测器。
-
公开(公告)号：CN101521254A
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200910005133.7
申请日：2004-02-06
Applicant: 三洋电机株式会社
Abstract: 本发明提供一种可使元件工作稳定化的半导体元件。该半导体元件包含以下部件，即：至少在背面一部分上具有错位集中的区域的基板、在基板表面上形成的半导体元件层、在基板背面上错位集中区域上形成的绝缘膜、和以与基板背面错位集中区域以外的区域相接触的方式形成的背面侧电极。
-
公开(公告)号：CN100524986C
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200510008475.6
申请日：2005-02-21
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01S5/40
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/0202 , H01S5/0224 , H01S5/02272 , H01S5/028 , H01S5/0287 , H01S5/1039 , H01S5/1082 , H01S5/2009 , H01S5/221 , H01S5/222 , H01S5/2231 , H01S5/34326 , H01S5/34333 , H01S5/3436 , H01S5/4043 , H01S5/4087
Abstract: 提高集成GaN类半导体激光元件与GaP类半导体激光元件的集成型半导体激光元件的激光特性，并实现长寿命化。在接合形成于GaN基板的由氮化物类半导体激光器结构组成的LD1晶片与形成于GaAs基板的由镓磷类半导体激光器结构组成的LD1晶片与形成于GaAs基板的由镓磷类半导体激光器结构组成的LD2晶片的接合工序前，通过蚀刻加工形成氮化物类半导体激光器结构的共振器端面。镓磷类半导体激光器结构的共振器端面在接合工序后通过剪切加工形成。氮化物类半导体激光元件的共振器端面与镓磷类半导体激光元件的共振器端面在共振器的延长方向错位的状态下接合。
-
公开(公告)号：CN101361238A
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200780001734.X
申请日：2007-07-31
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01S5/02
CPC classification number: H01S5/0425 , B82Y20/00 , H01S5/0202 , H01S5/0207 , H01S5/22 , H01S5/2201 , H01S5/2214 , H01S5/34333 , H01S2304/04
Abstract: 本发明提供一种半导体激光元件及其制造方法，能够得到能够抑制光波导的损伤的半导体激光元件。该GaN类半导体激光芯片(半导体激光元件)包括：由氮化物类半导体构成的n型GaN基板；和形成在n型GaN基板上，由形成有构成在F方向延伸的光波导的脊部的氮化物类半导体构成的半导体层。此外，脊部(光波导)形成在从半导体层的中央部向一侧偏移的区域中。此外，在与脊部(光波导)的一侧相反的一侧的区域中，以在与脊部(光波导)延伸的F方向交叉的方向延伸的方式，从半导体层侧形成有解理导入用台阶。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100377454C
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN200410004848.8
申请日：2004-02-06
Applicant: 三洋电机株式会社
Abstract: 本发明提供一种可使元件工作稳定化的半导体元件。该半导体元件包含以下部件，即：至少在背面一部分上具有错位集中的区域的基板、在基板表面上形成的半导体元件层、在基板背面上错位集中区域上形成的绝缘膜、和以与基板背面错位集中区域以外的区域相接触的方式形成的背面侧电极。
-
公开(公告)号：CN1913104A
公开(公告)日：2007-02-14
申请号：CN200610095905.7
申请日：2003-03-26
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01S5/32341 , B82Y20/00 , H01L21/28575 , H01L29/2003 , H01L29/66462 , H01L33/007 , H01L33/0079 , H01L33/14 , H01L33/32 , H01L33/40 , H01S5/0425 , H01S5/2201 , H01S5/305 , H01S5/34333 , H01S2304/04
Abstract: 本发明提供一种氮化物系半导体元件的制造方法，它依次具有以下工序：对由具有纤锌矿结构的n型氮化物系半导体层和氮化物系半导体基板中的任一个构成的第1半导体层的背面进行研磨，随后在上述研磨过的第1半导体层的背面上形成n侧电极，用连接法安装氮化物系半导体激光元件。本发明还提供另一种氮化物系半导体元件的制造方法，它依次具有以下工序：对由具有纤锌矿结构的n型氮化物系半导体层和氮化物系半导体基板中的任一个构成的第1半导体层的背面进行研磨，在上述研磨过的第1半导体层背面上形成n侧电极，热处理，附着在所述n侧电极与放热基台之间。这些方法可降低氮化物系半导体基板等的氮面与电极之间的接触电阻。
-
公开(公告)号：CN1841864A
公开(公告)日：2006-10-04
申请号：CN200610066495.3
申请日：2006-03-31
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01S5/00
CPC classification number: H01S5/30 , H01L24/05 , H01L2224/04042 , H01L2224/48463 , H01L2224/73265 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种在能够减小阈值电流的同时还能够提高发光效率的半导体激光元件及其制造方法。该半导体激光元件包括：具有主表面的半导体基板；以及形成在半导体基板的主表面上，并具有相对于半导体基板的主表面实质上倾斜的主表面，同时，包括发光层的半导体元件层。
-
公开(公告)号：CN1182637C
公开(公告)日：2004-12-29
申请号：CN00137722.1
申请日：2000-12-28
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01S5/2231 , H01S5/06226 , H01S5/2206 , H01S5/2222 , H01S5/2226 , H01S5/2227
Abstract: 在具有突出部分的p-涂层上依次形成在突出部分上具有带状开口的载流子积蓄防止层、低载流子浓度层及n-电流阻挡层。低载流子浓度层具有比n-电流阻挡层更低的载流子浓度。载流子积蓄防止层的禁带宽度设定为p-涂层的禁带宽度与低载流子浓度层的禁带宽度之间的值。或，在n-载流子积蓄防止层上形成低载流子浓度第1电流阻挡层及反向导电型第2电流阻挡层，在反向导电型第2电流阻挡层以及p-接触层上形成p-接触层。
-
公开(公告)号：CN1519998A
公开(公告)日：2004-08-11
申请号：CN200410004848.8
申请日：2004-02-06
Applicant: 三洋电机株式会社
Abstract: 本发明提供一种可使元件工作稳定化的半导体元件。该半导体元件包含以下部件，即：至少在背面一部分上具有错位集中的区域的基板、在基板表面上形成的半导体元件层、在基板背面上错位集中区域上形成的绝缘膜、和以与基板背面错位集中区域以外的区域相接触的方式形成的背面侧电极。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
61
records
(took 0.032 seconds)
