公开(公告)号：CN101393901B

公开(公告)日：2011-06-01

申请号：CN200810213494.6

申请日：2008-09-08

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 池田靖 ,  中村真人 ,  松吉聪 ,  佐佐木康二 ,  平光真二

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/485

CPC classification number: H01L24/83 ,  H01L24/01 ,  H01L24/29 ,  H01L24/33 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L25/072 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32506 ,  H01L2224/32507 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/4847 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83455 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/83805 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供了一种半导体装置，其利用耐热性200℃的连接方法，能够通过将Sn-(1～10质量％)Cu-(0.05～0.5质量％)Ni焊锡与Ni系层组合抑制界面反应和抑制在流过大电流时的半导体元件的连接部中的空洞形成，并且能够使用Sn系焊锡作为高铅焊锡的代替连接材料得到与高铅焊锡为同等的电和机械的特性。

公开(公告)号：CN100533724C

公开(公告)日：2009-08-26

申请号：CN200710163074.7

申请日：2007-09-29

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 池田靖 ,  中村真人 ,  松吉聪 ,  佐佐木康二 ,  平光真二

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/488 ,  H01L25/00

CPC classification number: H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种电子装置，在其焊料连接部，通过组合在从室温至200℃下含有Cu6Sn5相的Sn系焊料与Ni系层，能够抑制界面反应，得到电及机械上的可靠性。

公开(公告)号：CN101783304B

公开(公告)日：2013-03-13

申请号：CN201010001460.8

申请日：2006-08-08

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 池田靖 ,  中村真人 ,  松吉聪 ,  佐佐木康二 ,  平光真二

IPC: H01L21/60 ,  B23K35/26

CPC classification number: H05K3/3463 ,  B23K35/262 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29211 ,  H01L2224/29311 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32507 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/351 ,  H05K3/244 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01016 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29199 ,  H01L2224/29299 ,  H01L2224/2929

Abstract: 本发明提供一种具有半导体元件与被连接部件的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括以下工序：在表面形成有Ni层的所述被连接部件上配置Cu6Sn5相含量比共晶组成多的Sn-Cu钎料的工序；将所述Sn-Cu钎料加热及凝固，使Cu6Sn5化合物在所述Ni层上析出，由所述析出的Cu6Sn5化合物覆盖所述Ni层的至少一部分的工序。

公开(公告)号：CN102324405A

公开(公告)日：2012-01-18

申请号：CN201110265728.3

申请日：2006-08-08

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 池田靖 ,  中村真人 ,  松吉聪 ,  佐佐木康二 ,  平光真二

IPC: H01L23/00 ,  H01L23/488 ,  B23K35/26 ,  H05K3/34 ,  H01L21/60

CPC classification number: H05K3/3463 ,  B23K35/262 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29211 ,  H01L2224/29311 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32507 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/351 ,  H05K3/244 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01016 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29199 ,  H01L2224/29299 ,  H01L2224/2929

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其特征在于，所述半导体装置具有半导体元件、被连接部件和连接所述被连接部件的连接部件，且所述连接部件为钎料，所述被连接部件在与所述连接材料连接的表面上形成有所述Ni层，所述连接部件为Sn类钎料，含有Cu6Sn5化合物和以Cu6Sn5之外的成分为主成分的Sn类钎料相，所述Ni层的与所述连接部件连接的区域被所述Cu6Sn5化合物被覆，所述Cu6Sn5化合物一方面与所述Sn类钎料相连接，另一方面通过所述Ni层与所述被连接部件连接。

公开(公告)号：CN101159255A

公开(公告)日：2008-04-09

申请号：CN200710163074.7

申请日：2007-09-29

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 池田靖 ,  中村真人 ,  松吉聪 ,  佐佐木康二 ,  平光真二

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/488 ,  H01L25/00

CPC classification number: H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种电子装置，在其焊料连接部，通过组合在从室温至200℃下含有Cu6Sn5相的Sn系焊料与Ni系层，能够抑制界面反应，得到电及机械上的可靠性。

公开(公告)号：CN101123229A

公开(公告)日：2008-02-13

申请号：CN200610115401.7

申请日：2006-08-08

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 池田靖 ,  中村直人 ,  松吉聪 ,  佐佐木康二 ,  平光真二

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/488 ,  H01L23/485 ,  B23K35/22

CPC classification number: H05K3/3463 ,  B23K35/262 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29211 ,  H01L2224/29311 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32507 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/351 ,  H05K3/244 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01016 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29199 ,  H01L2224/29299 ,  H01L2224/2929

Abstract: 本发明提供一种抑制界面反应、具有200℃或200℃以上的耐热性的半导体装置，作为该装置中的200℃耐热性的连接方法，是通过组合室温到200℃范围内含有Cu6Sn5相的Sn类钎料与Ni类镀敷来实现的。

公开(公告)号：CN101016134A

公开(公告)日：2007-08-15

申请号：CN200610132084.X

申请日：2006-10-24

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 前田太一 ,  岩仓昭太 ,  佐佐木康二 ,  有贺正记 ,  早野富夫

IPC: B66B9/00 ,  B66B5/00 ,  B66B3/00

Abstract: 提供以简便的方法对电梯中的吊索和绳轮的老化情况进行评价的电梯。在吊索式电梯(100)中，由吊索(2)连接电梯轿厢(1)和平衡重(6)。由电动机对卷挂有吊索的绳轮(4)进行旋转驱动以使电梯轿厢升降。位置检测器(9)根据电梯轿厢经过只相隔规定距离而设置的屏蔽板(8，8)之间的时间以及屏蔽板之间的间隔，来检测电梯轿厢的速度。运算部分(16)中的存储装置存储电梯轿厢速度与吊索或绳轮的老化之间的关系，通过与该存储装置进行核对来判断吊索或绳轮的老化。