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公开(公告)号：CN101783304A
公开(公告)日：2010-07-21
申请号：CN201010001460.8
申请日：2006-08-08
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H05K3/3463 , B23K35/262 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L2224/0401 , H01L2224/04026 , H01L2224/16 , H01L2224/29101 , H01L2224/29111 , H01L2224/29144 , H01L2224/29211 , H01L2224/29311 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/32507 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/83101 , H01L2224/83801 , H01L2924/00013 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01022 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/01322 , H01L2924/01327 , H01L2924/0133 , H01L2924/014 , H01L2924/13055 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/351 , H05K3/244 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/01016 , H01L2924/01028 , H01L2924/01032 , H01L2924/3512 , H01L2224/29099 , H01L2224/29199 , H01L2224/29299 , H01L2224/2929
Abstract: 本发明提供一种具有半导体元件、与所述半导体元件连接的被连接材料的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括以下工序：在所述半导体元件和表面形成有Ni层的所述被连接材料之间配置包含Cu6Sn5相的Sn-(3～7)Cu钎料的工序；加热所述Sn-(3～7)Cu钎料，使Cu6Sn5化合物析出，由所述析出的Cu6Sn5化合物覆盖所述Ni层的至少一部分的工序。
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公开(公告)号：CN101621040A
公开(公告)日：2010-01-06
申请号：CN200910150584.X
申请日：2009-06-26
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H01L23/051 , H01L23/24 , H01L2224/33181
Abstract: 本发明提供一种能够充分确保散热性能，且降低在接合材料中产生的热应力，由此能够抑制接合材料的热疲劳的半导体装置。在由半导体芯片、在半导体芯片的下侧经由第一接合材料接合且具有导电性的基电极、在半导体芯片的上侧经由第二接合材料接合且具有导电性的引线电极、用于降低因半导体芯片和基电极的膨胀量差产生的第一接合材料的应力的第一应力缓冲材料构成的半导体装置中，在第一接合材料的下面设置基电极和第一应力缓冲材料分别直接接触的区域。
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公开(公告)号：CN101393901A
公开(公告)日：2009-03-25
申请号：CN200810213494.6
申请日：2008-09-08
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L23/488 , H01L23/485
CPC classification number: H01L24/83 , H01L24/01 , H01L24/29 , H01L24/33 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L25/072 , H01L2224/29101 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/32506 , H01L2224/32507 , H01L2224/45124 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/4847 , H01L2224/73265 , H01L2224/83101 , H01L2224/83455 , H01L2224/83801 , H01L2224/83805 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01068 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/01322 , H01L2924/01327 , H01L2924/014 , H01L2924/12041 , H01L2924/13055 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/19043 , H01L2924/351 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/01032 , H01L2924/3512 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供了一种半导体装置，其利用耐热性200℃的连接方法，能够通过将Sn－(1～10质量％)Cu－(0.05～0.5质量％)Ni焊锡与Ni系层组合抑制界面反应和抑制在流过大电流时的半导体元件的连接部中的空洞形成，并且能够使用Sn系焊锡作为高铅焊锡的代替连接材料得到与高铅焊锡为同等的电和机械的特性。
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公开(公告)号：CN101393901B
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN200810213494.6
申请日：2008-09-08
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L23/488 , H01L23/485
CPC classification number: H01L24/83 , H01L24/01 , H01L24/29 , H01L24/33 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L25/072 , H01L2224/29101 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/32506 , H01L2224/32507 , H01L2224/45124 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/4847 , H01L2224/73265 , H01L2224/83101 , H01L2224/83455 , H01L2224/83801 , H01L2224/83805 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01068 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/01322 , H01L2924/01327 , H01L2924/014 , H01L2924/12041 , H01L2924/13055 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/19043 , H01L2924/351 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/01032 , H01L2924/3512 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供了一种半导体装置，其利用耐热性200℃的连接方法，能够通过将Sn-(1～10质量％)Cu-(0.05～0.5质量％)Ni焊锡与Ni系层组合抑制界面反应和抑制在流过大电流时的半导体元件的连接部中的空洞形成，并且能够使用Sn系焊锡作为高铅焊锡的代替连接材料得到与高铅焊锡为同等的电和机械的特性。
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公开(公告)号：CN100533724C
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200710163074.7
申请日：2007-09-29
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L23/498 , H01L23/488 , H01L25/00
CPC classification number: H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2924/15311 , H01L2924/19105 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种电子装置，在其焊料连接部，通过组合在从室温至200℃下含有Cu6Sn5相的Sn系焊料与Ni系层，能够抑制界面反应，得到电及机械上的可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101621040B
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN200910150584.X
申请日：2009-06-26
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H01L23/051 , H01L23/24 , H01L2224/33181
Abstract: 本发明提供一种能够充分确保散热性能，且降低在接合材料中产生的热应力，由此能够抑制接合材料的热疲劳的半导体装置。在由半导体芯片、在半导体芯片的下侧经由第一接合材料接合且具有导电性的基电极、在半导体芯片的上侧经由第二接合材料接合且具有导电性的引线电极、用于降低因半导体芯片和基电极的膨胀量差产生的第一接合材料的应力的第一应力缓冲材料构成的半导体装置中，在第一接合材料的下面设置基电极和第一应力缓冲材料分别直接接触的区域。
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公开(公告)号：CN101783304B
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201010001460.8
申请日：2006-08-08
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H05K3/3463 , B23K35/262 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L2224/0401 , H01L2224/04026 , H01L2224/16 , H01L2224/29101 , H01L2224/29111 , H01L2224/29144 , H01L2224/29211 , H01L2224/29311 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/32507 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/83101 , H01L2224/83801 , H01L2924/00013 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01022 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/01322 , H01L2924/01327 , H01L2924/0133 , H01L2924/014 , H01L2924/13055 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/351 , H05K3/244 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/01016 , H01L2924/01028 , H01L2924/01032 , H01L2924/3512 , H01L2224/29099 , H01L2224/29199 , H01L2224/29299 , H01L2224/2929
Abstract: 本发明提供一种具有半导体元件与被连接部件的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括以下工序：在表面形成有Ni层的所述被连接部件上配置Cu6Sn5相含量比共晶组成多的Sn-Cu钎料的工序；将所述Sn-Cu钎料加热及凝固，使Cu6Sn5化合物在所述Ni层上析出，由所述析出的Cu6Sn5化合物覆盖所述Ni层的至少一部分的工序。
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公开(公告)号：CN102324405A
公开(公告)日：2012-01-18
申请号：CN201110265728.3
申请日：2006-08-08
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L23/00 , H01L23/488 , B23K35/26 , H05K3/34 , H01L21/60
CPC classification number: H05K3/3463 , B23K35/262 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L2224/0401 , H01L2224/04026 , H01L2224/16 , H01L2224/29101 , H01L2224/29111 , H01L2224/29144 , H01L2224/29211 , H01L2224/29311 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/32507 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/83101 , H01L2224/83801 , H01L2924/00013 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01022 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/01322 , H01L2924/01327 , H01L2924/0133 , H01L2924/014 , H01L2924/13055 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/351 , H05K3/244 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/01016 , H01L2924/01028 , H01L2924/01032 , H01L2924/3512 , H01L2224/29099 , H01L2224/29199 , H01L2224/29299 , H01L2224/2929
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其特征在于，所述半导体装置具有半导体元件、被连接部件和连接所述被连接部件的连接部件，且所述连接部件为钎料，所述被连接部件在与所述连接材料连接的表面上形成有所述Ni层，所述连接部件为Sn类钎料，含有Cu6Sn5化合物和以Cu6Sn5之外的成分为主成分的Sn类钎料相，所述Ni层的与所述连接部件连接的区域被所述Cu6Sn5化合物被覆，所述Cu6Sn5化合物一方面与所述Sn类钎料相连接，另一方面通过所述Ni层与所述被连接部件连接。
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公开(公告)号：CN101159255A
公开(公告)日：2008-04-09
申请号：CN200710163074.7
申请日：2007-09-29
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L23/498 , H01L23/488 , H01L25/00
CPC classification number: H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2924/15311 , H01L2924/19105 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种电子装置，在其焊料连接部，通过组合在从室温至200℃下含有Cu6Sn5相的Sn系焊料与Ni系层，能够抑制界面反应，得到电及机械上的可靠性。
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公开(公告)号：CN101123229A
公开(公告)日：2008-02-13
申请号：CN200610115401.7
申请日：2006-08-08
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L23/48 , H01L23/488 , H01L23/485 , B23K35/22
CPC classification number: H05K3/3463 , B23K35/262 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L2224/0401 , H01L2224/04026 , H01L2224/16 , H01L2224/29101 , H01L2224/29111 , H01L2224/29144 , H01L2224/29211 , H01L2224/29311 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/32507 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/83101 , H01L2224/83801 , H01L2924/00013 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01022 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/01322 , H01L2924/01327 , H01L2924/0133 , H01L2924/014 , H01L2924/13055 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/351 , H05K3/244 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/01016 , H01L2924/01028 , H01L2924/01032 , H01L2924/3512 , H01L2224/29099 , H01L2224/29199 , H01L2224/29299 , H01L2224/2929
Abstract: 本发明提供一种抑制界面反应、具有200℃或200℃以上的耐热性的半导体装置，作为该装置中的200℃耐热性的连接方法，是通过组合室温到200℃范围内含有Cu6Sn5相的Sn类钎料与Ni类镀敷来实现的。
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