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公开(公告)号：CN112420596A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202010321979.8
申请日：2020-04-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L23/528
Abstract: 一种半导体装置的形成方法，提供导电填充层于内连线层的开口中。形成晶种层，接着氧化晶种层的一部分。在处理工艺中移除氧，并保湿且水解去氧化的晶种层表面以形成羟基化的子层。导电填充层形成于羟基子层上。
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公开(公告)号：CN110596850A
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201910489790.7
申请日：2019-06-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本公开涉及一种透镜总成。本公开的实施例涉及在微影工具中使用的动态地控制的透镜。动态透镜的多个区域可用来传输用于微影工艺的辐射光束。通过允许多个区域传输辐射光束，动态地控制的透镜相较于传统的固定透镜可具有延长的生命周期。动态地控制的透镜可以较低的频率更换或调换，因此，改善微影工具的效率并降低生产成本。
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公开(公告)号：CN110098135A
公开(公告)日：2019-08-06
申请号：CN201810224649.X
申请日：2018-03-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/027
Abstract: 一种温度控制装置包括台板、流体源、冷却器、第一管道及第二管道。所述流体源供应流体。所述冷却器耦合到所述流体源，以将所述流体源中的所述流体冷却到冷却温度。所述第一管道包括与所述流体源流体连通的第一入口、第一出口及将所述流体从所述冷却温度加热到第一加热温度的第一加热器。经过所述第一加热器加热的所述流体通过所述第一出口分配到所述台板上。所述第二管道包括与所述流体源流体连通的第二入口、第二出口及将所述流体从所述冷却温度加热到第二加热温度的第二加热器，所述第二加热温度不同于所述第一加热温度。经过所述第二加热器加热的所述流体通过所述第二出口分配到所述台板上。
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公开(公告)号：CN1661770A
公开(公告)日：2005-08-31
申请号：CN200410097842.X
申请日：2004-12-01
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/00
CPC classification number: G03F9/7026 , G01N2021/8416 , G03F7/70533
Abstract: 本发明揭示一种预测并找出失焦晶片的方法与系统，其使用一水平感测装置，通过读取一第一晶片组中各晶片的表面构形，来找出失焦晶片。再由数据计算一聚焦点偏移，聚焦点偏移对应于一高度，此高度会使表面构形散焦曝光模块的一聚焦点。接着，转换聚焦点偏移至一对应的、曝光模块设定成的晶片承载台设定点，以聚焦聚焦点于晶片组中的各晶片上。最后，在晶片组的各晶片中找出一失焦晶片，此失焦晶片就是即使曝光模块已设定至晶片承载台设定点，仍会散焦聚焦点的表面构形的晶片。
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公开(公告)号：CN110957267B
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN201910921677.1
申请日：2019-09-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H10D30/01
Abstract: 提供内连线结构及其形成方法。形成介电层及其中的开口于基底之上。形成导电晶种层于介电层的顶面之上、以及沿着开口的底端和侧壁。形成导电填充层于晶种层之上。可透过表面预处理还原/移除晶种层表面上的金属氧化物。在清洁表面未暴露于氧的情况下，透过沉积填充材料于晶种层之上覆盖清洁表面。表面处理可包含使用氢自由基的反应性远程等离子体清洁。如果使用电镀沉积填充层，则表面处理可包含在开启电镀电流之前将基底浸至于电解质中。其他表面处理可包含使用氢自由基的主动预处理；或使用MCxT设备的Ar溅射。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116265600A
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN202310116900.1
申请日：2023-02-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种沉积装置，包括一磁屏蔽。磁屏蔽减少腔室中的外部噪声，腔室包括标靶以及至少一电磁铁用于铜物理气相沉积。屏蔽可具有厚度，在大约0.1毫米至大约10毫米的范围内，以提供足够的保护免受射频以及其他电磁信号的影响。因此，腔室中的铜原子遭受较少来自外部噪声的重定向。此外，即使在物理气相沉积期间发生硬件故障(例如，电磁铁失灵、晶圆台不水平、以及/或一流量优化器引起过多偏移等)，铜原子不易受来自外部噪声的小重定向的影响。因此，后段工艺以及/或中段工艺的导电结构以更一致的方式形成，这增加导电性并且改善包括后段工艺以及/或中段工艺的导电结构的电子装置的寿命。
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公开(公告)号：CN109560036B
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN201711292921.X
申请日：2017-12-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/687
Abstract: 本申请的实施例提供了一种用于半导体制造的方法，包括将晶圆安装在第一晶圆台上。第一晶圆台包括支撑晶圆的第一组销，第一组销具有在相邻的销之间的第一间距。该方法还包括在晶圆上形成第一组覆盖标记；以及将晶圆转移到第二晶圆台上。第二晶圆台包括在相邻的销之间具有第二间距的第二组销。第二组销是可单独垂直移动的，并且第二间距小于第一间距。该方法还包括移动第二组销的一部分，使得第二组销的剩余部分支撑晶圆，并且剩余部分在相邻的销之间具有第一间距。本申请的实施例还提供了另一种用于半导体制造的方法以及一种晶圆台。
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公开(公告)号：CN110957267A
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201910921677.1
申请日：2019-09-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/336
Abstract: 提供内连线结构及其形成方法。形成介电层及其中的开口于基底之上。形成导电晶种层于介电层的顶面之上、以及沿着开口的底端和侧壁。形成导电填充层于晶种层之上。可透过表面预处理还原/移除晶种层表面上的金属氧化物。在清洁表面未暴露于氧的情况下，透过沉积填充材料于晶种层之上覆盖清洁表面。表面处理可包含使用氢自由基的反应性远程等离子体清洁。如果使用电镀沉积填充层，则表面处理可包含在开启电镀电流之前将基底浸至于电解质中。其他表面处理可包含使用氢自由基的主动预处理；或使用MCxT设备的Ar溅射。
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公开(公告)号：CN110865517A
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：CN201910773199.4
申请日：2019-08-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本公开涉及一种提供光刻系统射线的设备。本文描述的实施例提供了一种光刻系统，具有两个或两个以上的光刻机台，连接到使用两个或两个以上的可变衰减单元的射线源。在一些实施例中，可变衰减单元将接收光束的一部分反射到附接到其上的光刻机台，并将接收光束的剩余部分传输到下游的光刻机台。在一些实施例中，射线源包括两个或两个以上的激光源，以提供具有增强的功率水平的激光束，并且可以防止由于激光源维护以及修理的操作中断。
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公开(公告)号：CN110780539A
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201910676800.8
申请日：2019-07-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本公开涉及一种微影投影设备，本公开实施例提供一种提供具有不同波长的多个光源的微影投影设备中的基板测量装置。在一些实施例中，微影投影设备包括基板测量系统，设置靠近于基板载台，基板测量系统包括：发射器，包括多个光源，配置以提供多束光束，所述多束光束中的至少一些光束中的每一者具有不同的波长，以及至少一个光纤，其中所述至少一个光纤的部分中的每一者配置以使所述多束光束中的对应的一者通过；以及接收器，定位以收集从发射器发出的光以及从设置在基板载台上的基板反射的光。
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