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公开(公告)号：CN100428055C
公开(公告)日：2008-10-22
申请号：CN200410083999.7
申请日：2004-10-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F1/14 , G03F7/20 , G03F7/00 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供一种光刻制程、掩膜版及其制造方法，该掩膜版可用于光刻制程。其中，掩膜版包括一个透明基板和一个形成有至少一个开口的吸收层。此外，掩膜版还包括一个波长缩短材料层，设置于开口之中。该波长缩短材料层的厚度大约介于吸收层厚度至光刻制程所用光线的波长的10倍之间。此外，掩膜版还可以包括一个减反射涂布层。本发明提供的掩膜版，可以在开口尺寸保持不变的同时降低光的衍射作用，从而提高成像的分辨率。
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公开(公告)号：CN1979343A
公开(公告)日：2007-06-13
申请号：CN200610161883.X
申请日：2006-12-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
Abstract: 本发明是有关于一种浸润式(Immersion)微影系统。其至少包括：一晶圆吸附器，用以容纳并以浸润式微影来处理位于其上的一晶圆；至少一密封环，用以密封该晶圆于该晶圆吸附器上；一密封环承载器，用以装载该密封环至该晶圆吸附器，或自该晶圆吸附器卸下该密封环；以及一真空模组，用以吸附该密封环至该晶圆和该晶圆吸附器。借由此些密封环的排列结构，浸润式微影系统可提供较佳的密封效果，以处理位于晶圆吸附器(Wafer Chuck)上的晶圆。
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公开(公告)号：CN1971417A
公开(公告)日：2007-05-30
申请号：CN200510113038.0
申请日：2005-10-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种光罩及其制造方法与微影的方法。本发明提供一种光罩，包括一透明基板以及一吸收层，该吸收层紧邻于该透明基板。上述吸收层之中具有数个开口。此光罩还包括一波长缩短材料层，设置于该数个开口之中，其中该波长缩短材料层与该吸收层大体上形成一平坦表面；以及一薄膜，固定在该透明基板附近。
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公开(公告)号：CN1963674A
公开(公告)日：2007-05-16
申请号：CN200510115209.3
申请日：2005-11-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明是有关于一种具有晶圆密封机构的改良型浸润式微影系统及其方法。该浸润式微影系统，包括液体以及一密封垫圈。此液体的特征提供一浸润流体以在晶圆上进行浸润式微影，此密封垫圈覆盖于晶圆的边缘的预设部位，当液体运用于浸润式微影制程中时，可以防止浸润液体透过晶圆的边缘的覆盖部位泄漏出来。
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公开(公告)号：CN1955847A
公开(公告)日：2007-05-02
申请号：CN200610149997.2
申请日：2006-10-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70333 , G03F7/70091 , G03F7/70108 , G03F7/70283 , G03F7/70641 , G03F9/7026
Abstract: 本发明是有关于一种用于半导体制程的光微影方法，包含提供一基材当作一晶圆，以及提供一光罩来曝光此晶圆。此晶圆是使用一种组合高角度照明方法及焦点漂移曝光方式来进行曝光。利用这种整合高角度照明方法和焦点漂移曝光方法的光微影制程，可以降低邻近效应，并增加焦点深度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106057665B
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN201510859123.5
申请日：2015-11-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/311 , H01L21/308
Abstract: 本发明涉及结合不同图案材料的光学光刻技术。具体的，本发明提供一种用于图案化工件的技术，所述工件例如集成电路工件。在示范性实施例中，所述方法包含接收工件，所述工件具有设置在衬底上的材料层。第一组鳍形成在所述材料层上，并且第二组鳍形成在所述材料层上，穿插在所述第一组鳍之间。所述第二组鳍具有与所述第一组鳍不同的蚀刻剂灵敏度。在所述第一组鳍上实施第一蚀刻工艺并且经配置以避免实质上蚀刻所述第二组鳍。在所述第二组鳍上实施第二蚀刻工艺并且经配置以避免实质上蚀刻所述第一组鳍。所述材料层被蚀刻以转移图案，所述图案由所述第一蚀刻工艺和所述第二蚀刻工艺界定。
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公开(公告)号：CN109814343A
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201810393371.9
申请日：2018-04-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/30
Abstract: 本公开提供一种用于将显像剂分配至基板上的分配头。分配头包括一壳体，配置用以接收显像剂。分配头还包括设置于壳体上的至少一液体出口。液体出口配置用以将显像剂喷洒在基板上的一长形区域上，且液体出口配置成沿着一分配方向喷洒显像剂，其中分配方向倾斜于基板的一法线方向且垂直于长形区域的一长轴方向。
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公开(公告)号：CN109524318A
公开(公告)日：2019-03-26
申请号：CN201810005078.0
申请日：2018-01-03
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/66
Abstract: 本公开涉及用于烘烤模块的合格性测试方法和系统。将测试晶片放置在烘烤模块内并烘烤。通过一个或多个温度传感器，测量在烘烤期间传送到测试晶片的累积热量。将所测量的累积热量与预定义的累积热量阈值进行比较。响应于所述比较指示所测量的累积热量在预定义的累积热量阈值内，确定烘烤模块被认定为合格而用于实际的半导体制造。响应于所述比较指示所测量的累积热量在预定义的累积热量阈值之外，确定烘烤模块不被认定为合格而用于实际的半导体制造。
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公开(公告)号：CN108957948A
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201710686758.9
申请日：2017-08-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G03F7/70875 , G03F7/70991 , H01L21/67109 , G03F7/0035 , G03F7/40
Abstract: 本公开的一些实施例提供一种应用于微电子技术领域的图案的形成方法，包括：通过能量束对设置在晶圆上的光刻胶层进行曝光，使用曝光后烘烤设备对具有曝光后光刻胶层的晶圆实施曝光后烘烤，在曝光后烘烤之后，对曝光后光刻胶层进行显影，藉此形成光刻胶图案，曝光后烘烤设备包含烘烤盘，当晶圆的温度在预定温度范围时，将晶圆放置在烘烤盘上以进行曝光后烘烤。本公开的一些实施例提供的图案的形成方法可以更精准地控制晶圆的温度。
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公开(公告)号：CN107026146A
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201610816528.5
申请日：2016-09-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/528 , H01L23/535 , H01L21/60
CPC classification number: H01L23/5286 , H01L21/76816 , H01L21/76892 , H01L23/5226 , H01L23/528 , H01L28/00 , H01L24/43 , H01L23/535 , H01L24/19
Abstract: 本发明涉及具有双电源轨结构的集成芯片。在一些实施例中，集成芯片具有第一金属互连层，该第一金属互连层具有在第一方向上延伸的下金属布线。第二金属互连层具有通过第一通孔层耦合至下金属布线并且在下金属布线上方在垂直于第一方向的第二方向上延伸的多个连接销。第三金属互连层具有在下金属布线和连接销上方在第一方向上延伸的上金属布线。上金属布线通过布置在第一通孔层上方的第二通孔层的方式耦合至连接销。将连接销连接至下金属布线和上金属布线减小了连接至连接销的电流密度，从而减小电迁移和/或IR问题。本发明的实施例还涉及集成芯片及其形成方法。
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