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公开(公告)号：CN106542491A
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201610683335.7
申请日：2016-08-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81B3/0013 , B81B2203/0127 , B81B3/0002 , B81B3/001 , B81B3/0072 , B81C1/00134 , B81C1/0065 , B81C1/00666
Abstract: 一种半导体器件包括衬底和接近衬底的可移动膜。该半导体器件还包括位于衬底上方且从衬底的表面朝着可移动膜突出的台。台包括配置为从膜接收碰撞力的撞击部分和位于撞击部分下方的混合应力缓冲件，其中，混合应力缓冲件包括通过硬度不同可分辨的至少两层。本发明实施例涉及半导体器件及其制造方法。
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公开(公告)号：CN105967137A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201510450702.4
申请日：2015-07-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81C1/0023 , B81B7/0048 , B81B7/0051 , B81B7/0054 , B81B7/007 , H01L2224/04026 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/16225 , H01L2224/2957 , H01L2224/29624 , H01L2224/29644
Abstract: 本发明涉及具有应力吸收盖衬底的晶圆级芯片尺寸封装件(WLCSP)。盖衬底通过布置在盖衬底的上表面上的接合环和接合焊盘接合至管芯。衬底通孔(TSV)从接合焊盘延伸穿过盖衬底至盖衬底的下表面。此外，上表面中的凹槽在接合焊盘周围延伸和沿着接合环的侧壁延伸。该凹槽吸收诱导应力，从而缓解管芯中的任何器件偏移。本发明的实施例还涉及为晶圆级芯片尺寸封装件(WLCSP)应用缓解焊接偏移的结构和方法。
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公开(公告)号：CN103972144A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201310395517.0
申请日：2013-09-03
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L24/94 , H01L23/10 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L2224/2745 , H01L2224/27452 , H01L2224/2746 , H01L2224/2761 , H01L2224/27616 , H01L2224/29011 , H01L2224/29012 , H01L2224/29109 , H01L2224/29111 , H01L2224/29124 , H01L2224/29144 , H01L2224/29147 , H01L2224/29155 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/83193 , H01L2224/83201 , H01L2224/83203 , H01L2224/94 , H01L2924/01322 , H01L2924/15787 , H01L2924/00 , H01L2224/83 , H01L2924/00014 , H01L2924/01029 , H01L2924/01032 , H01L2924/00012 , H01L24/03 , H01L24/89
Abstract: 本发明公开的一种方法包括可以在晶圆上形成晶圆密封环，该晶圆密封环具有带图案密度的图案结构。晶圆密封环图案结构可以包括具有宽度和间隔约等于晶圆上管芯接合环的宽度和间隔的多条线。具有形成在其上的晶圆密封环的晶圆可以接合至不具有晶圆密封环的晶圆。一对晶圆可以形成为具有以相应的方式形成的对应晶圆密封环。可以将该对晶圆接合在一起并且具有对准并接合在一起的晶圆密封环以在接合的晶圆之间形成密封环结构。本发明还公开了用于晶圆密封环的方法和装置。
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公开(公告)号：CN102556945A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201110122230.1
申请日：2011-05-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00333 , B81B2207/07 , B81C1/00825 , B81C2201/053 , B81C2203/0109 , H01L2924/16235
Abstract: 本发明是有关于一种微电子装置的形成方法。此方法包含在第一基板上形成接合垫；在第一基板上形成接线垫；在第一基板上、接线垫的侧壁与顶面上以及在接合垫的侧壁形成保护层，以至少部分地暴露接合垫的顶面；借由接合垫接合第一基板与第二基板；打开第二基板，以暴露接线垫；以及移除保护层。
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公开(公告)号：CN105967137B
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201510450702.4
申请日：2015-07-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明涉及具有应力吸收盖衬底的晶圆级芯片尺寸封装件(WLCSP)。盖衬底通过布置在盖衬底的上表面上的接合环和接合焊盘接合至管芯。衬底通孔(TSV)从接合焊盘延伸穿过盖衬底至盖衬底的下表面。此外，上表面中的凹槽在接合焊盘周围延伸和沿着接合环的侧壁延伸。该凹槽吸收诱导应力，从而缓解管芯中的任何器件偏移。本发明的实施例还涉及为晶圆级芯片尺寸封装件(WLCSP)应用缓解焊接偏移的结构和方法。
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公开(公告)号：CN105271100A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201410507488.7
申请日：2014-09-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明提供了用于气密密封的薄膜结构。本发明涉及具有气密密封结构的MEMS器件以及相关的方法。在一些实施例中，第一管芯和第二管芯在接合界面区处接合以形成腔室。共形薄膜结构设置为覆盖接合界面区的外侧壁以提供气密密封。在一些实施例中，共形薄膜结构是覆盖第二管芯的外表面和第一管芯的顶面的连续薄层。在一些其他实施例中，共形薄膜结构包括纵向设置的若干离散的薄膜补片。
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公开(公告)号：CN102556945B
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：CN201110122230.1
申请日：2011-05-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/98
CPC classification number: B81C1/00333 , B81B2207/07 , B81C1/00825 , B81C2201/053 , B81C2203/0109 , H01L2924/16235
Abstract: 本发明是有关于一种微电子装置的形成方法。此方法包含在第一基板上形成接合垫；在第一基板上形成接线垫；在第一基板上、接线垫的侧壁与顶面上以及在接合垫的侧壁形成保护层，以至少部分地暴露接合垫的顶面；借由接合垫接合第一基板与第二基板；打开第二基板，以暴露接线垫；以及移除保护层。
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