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公开(公告)号：CN107636197A
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：CN201680029154.0
申请日：2016-05-16
申请人： 应用材料公司
发明人： P·K·库尔施拉希萨 , 段子青 , A·A·哈贾 , Z·J·叶 , A·K·班塞尔
IPC分类号： C23C16/02 , C23C16/34 , C23C16/36 , C23C16/44 , C23C16/458 , C23C16/509 , H01J37/32 , H01L21/683
摘要： 本发明大体上关于具有渐变组成的处理腔室调整层。在一实施例中，该调整层为硼-碳-氮化物(BCN)膜。该BCN膜在该膜的底部处可具有较高的硼成分。随着该BCN膜被沉积，硼的浓度可能接近零，同时碳及氮的相对浓度提高。可借着在初期使硼前体、碳前体及氮前体一同流入来沉积该BCN膜。经过第一时段之后，可降低硼前体的流动速率。在沉积该调整层期间，可在硼前体的流动速率降低时，施加RF功率以生成等离子体。
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公开(公告)号：CN106449503A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610625498.X
申请日：2016-08-02
申请人： 应用材料公司
发明人： 林兴 , 周建华 , Z·J·叶 , 陈建 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯
IPC分类号： H01L21/683 , C23C16/44 , C23C16/513 , C23C16/458
CPC分类号： H01L21/6833 , H01J37/32715 , H01L21/67103 , H01L21/68735 , H01L21/683 , C23C16/44 , C23C16/458 , C23C16/4581 , C23C16/4585 , C23C16/4586 , C23C16/513 , H01L21/6831
摘要： 本公开的实施方式提供一种用于支撑基板的改进的静电卡盘。所述静电卡盘包括：卡盘主体，所述卡盘主体耦合到支撑杆，所述卡盘主体具有基板支撑表面；多个突片，所述多个突片远离所述卡盘主体的所述基板支撑表面突出，其中所述突片绕所述卡盘主体圆周设置；电极，所述电极嵌入在所述卡盘主体内，所述电极从所述卡盘主体的中心径向地延伸到超出所述多个突片的区域；以及RF电源，所述RF电源通过第一电连接耦合到所述电极。
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公开(公告)号：CN118448237A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410624390.3
申请日：2019-04-23
申请人： 应用材料公司
摘要： 本公开的实施例总体上涉及用于工艺腔室的基板支撑件以及与其一起使用的RF接地配置。还描述了将RF电流接地的方法。腔室主体至少部分地在其中界定工艺容积。第一电极设置在工艺容积中。基座与第一电极相对地设置。第二电极设置在基座中。RF滤波器通过导电杆耦接到第二电极。RF滤波器包括耦接到导电杆和接地的第一电容器。RF滤波器还包括耦接到馈通箱的第一电感器。馈通箱包括以串联耦接的第二电容器和第二电感器。用于第二电极的直流(DC)功率供应器耦接在第二电容器和第二电感器之间。
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公开(公告)号：CN112106169B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN201980029768.2
申请日：2019-04-23
申请人： 应用材料公司
摘要： 本公开的实施例总体上涉及用于工艺腔室的基板支撑件以及与其一起使用的RF接地配置。还描述了将RF电流接地的方法。腔室主体至少部分地在其中界定工艺容积。第一电极设置在工艺容积中。基座与第一电极相对地设置。第二电极设置在基座中。RF滤波器通过导电杆耦接到第二电极。RF滤波器包括耦接到导电杆和接地的第一电容器。RF滤波器还包括耦接到馈通箱的第一电感器。馈通箱包括以串联耦接的第二电容器和第二电感器。用于第二电极的直流(DC)功率供应器耦接在第二电容器和第二电感器之间。
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公开(公告)号：CN116457931A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202180076870.5
申请日：2021-10-08
申请人： 应用材料公司
发明人： 黎坚 , Z·J·叶 , D·A·迪兹尔诺 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯
IPC分类号： H01L21/683
摘要： 示例性支撑组件可包括限定基板支撑表面的静电卡盘主体。基板支撑组件可包括与静电卡盘主体耦接的支撑杆。基板支撑组件可包括嵌入静电卡盘主体内的加热器。基板支撑组件可包括在加热器与基板支撑表面之间嵌入静电卡盘主体内的第一双极电极。第一双极电极可包括至少两个分离的网格区段，其中每个网格区段由圆扇形表征。基板支撑组件可包括在加热器与基板支撑表面之间嵌入静电卡盘主体内的第二双极电极。第二双极电极可包括穿过第一双极电极的至少两个分离的网格区段延伸的连续网格。
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公开(公告)号：CN106449503B
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN201610625498.X
申请日：2016-08-02
申请人： 应用材料公司
发明人： 林兴 , 周建华 , Z·J·叶 , 陈建 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯
IPC分类号： H01L21/683 , C23C16/44 , C23C16/513 , C23C16/458
摘要： 本公开的实施方式提供一种用于支撑基板的改进的静电卡盘。所述静电卡盘包括：卡盘主体，所述卡盘主体耦合到支撑杆，所述卡盘主体具有基板支撑表面；多个突片，所述多个突片远离所述卡盘主体的所述基板支撑表面突出，其中所述突片绕所述卡盘主体圆周设置；电极，所述电极嵌入在所述卡盘主体内，所述电极从所述卡盘主体的中心径向地延伸到超出所述多个突片的区域；以及RF电源，所述RF电源通过第一电连接耦合到所述电极。
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公开(公告)号：CN112106169A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN201980029768.2
申请日：2019-04-23
申请人： 应用材料公司
摘要： 本公开的实施例总体上涉及用于工艺腔室的基板支撑件以及与其一起使用的RF接地配置。还描述了将RF电流接地的方法。腔室主体至少部分地在其中界定工艺容积。第一电极设置在工艺容积中。基座与第一电极相对地设置。第二电极设置在基座中。RF滤波器通过导电杆耦接到第二电极。RF滤波器包括耦接到导电杆和接地的第一电容器。RF滤波器还包括耦接到馈通箱的第一电感器。馈通箱包括以串联耦接的第二电容器和第二电感器。用于第二电极的直流(DC)功率供应器耦接在第二电容器和第二电感器之间。
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公开(公告)号：CN111095522A
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201880059904.8
申请日：2018-10-08
申请人： 应用材料公司
发明人： P·K·库尔施拉希萨 , Z·J·叶 , K·D·李 , D·H·李 , V·普拉巴卡尔 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 , X·闵
IPC分类号： H01L21/683 , H02N13/00 , H01L21/67
摘要： 本公开的实施方式涉及一种用于在处理腔室中使用来制造半导体器件的改进的静电吸盘。在一个实施方式中，一种处理腔室包括：腔室主体，所述腔室主体具有限定在其中的处理容积；以及静电吸盘，所述静电吸盘设置在所述处理容积内。所述静电吸盘包括：支撑表面，所述支撑表面上具有多个台面；一个或多个电极，所述一个或多个电极设置在所述静电吸盘内；以及陈化层，所述陈化层沉积在所述支撑表面上、在所述多个台面上方。所述支撑表面由含铝材料制成。所述一个或多个电极被配置为形成静电电荷以将衬底静电地固定到所述支撑表面。所述陈化层被配置为当衬底静电地固定到所述支撑表面时向所述衬底提供缓冲支撑。
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公开(公告)号：CN104995719B
公开(公告)日：2017-12-19
申请号：CN201480004346.7
申请日：2014-01-16
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/3065
CPC分类号： B05B1/005 , B05B1/185 , C23C16/45565 , H01J37/3211 , H01J37/32146 , H01J37/32183 , H01J37/3244 , H01J37/32467 , H01J37/32522 , H01J37/32623
摘要： 兹提供具有可拆卸式气体分配板的喷淋头的实施例。在一些实施例中，一种使用于半导体处理腔室的喷淋头可包括：基座，该基座具有第一侧与第二侧；气体分配板，该气体分配板设置成邻近于该基座的该第二侧；及夹具，该夹具设置于接近该气体分配板的周围边缘以将该气体分配板以可移除方式耦接于该基座；以及热垫片，该热垫片设置于该基座与该气体分配板之间。
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