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公开(公告)号：CN1722501A
公开(公告)日：2006-01-18
申请号：CN200510083306.9
申请日：2005-07-12
CPC classification number: H01M8/242 , H01M8/0206 , H01M8/0247 , H01M8/0271 , H01M8/04208 , H01M8/1011 , H01M8/1097 , H01M8/241 , H01M8/2418 , H01M2250/30 , Y02B90/18 , Y02E60/523 , Y02P70/56
Abstract: 根据本发明，提供一种薄膜电极复合体组件，其包括以气体扩散电极(12、13)夹持电解质膜(11)的两面而形成的薄膜电极复合体(10)、具有燃料流通的燃料流通孔(23a)的阳极集电板(23)、以及具有氧气流通的空气流通孔(26a)的阴极集电板(26)，以阳极集电板(23)和阴极集电板(26)夹持薄膜电极复合体(10)的两面而形成；其进一步包括，成为阳极集电板(23)的基底、阴极集电板(26)的基底的合成树脂制的膜(21)(第1膜和第2膜)。
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公开(公告)号：CN1886006B
公开(公告)日：2012-03-28
申请号：CN200610002116.4
申请日：2006-01-16
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: B06B1/0292
Abstract: 本发明的目的在于在使膜片型电声转换元件的电声转换特性稳定的同时，降低使用该电声转换元件构成的超声波诊断装置的噪音级。由在硅底板(1)上所形成的下部电极(2)和在其上部夹持空隙部(4)的上部电极(6)形成的电容器单元(8)构成电声转换元件(9)，使用电气时间常数比1秒短且比10微秒长的材料，例如在化学计量方面过多包含硅的氮化硅形成在上部电极(6)的空隙部(4)一侧形成的电极短路防止膜(5)。其结果，电极短路防止膜(5)因为变得具有微弱的导电性，所以可以防止向电极短路防止膜(5)的带电或其漂移。其结果，电声转换元件(9)的电声转换特性稳定，而且超声波诊断装置的音响噪音级降低。
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公开(公告)号：CN1929699B
公开(公告)日：2011-03-23
申请号：CN200610105747.9
申请日：2006-07-21
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H04R17/00
CPC classification number: B06B1/0292 , H04R19/005
Abstract: 提供一种电声变换元件，其特征在于，具有：在基板或者基板中形成的第一电极；以在上述基板上设置的硅或者硅化合物为基体材料的薄膜；在上述薄膜上或者薄膜中形成的第二电极；在上述第一电极和上述第二电极间设置的空隙层；将由上述第一电极和上述第二电极赋予的电荷蓄积的、在上述第一电极和上述第二电极间设置的电荷蓄积层；以及用来测量在上述电荷蓄积层中蓄积的电荷量的源电极和漏电极。由此可以减小半导体振膜型电声变换元件中因泄漏等引起的电荷蓄积量和电声变换效率的变化，防止以该电声变换元件为基本单位构成的超声波阵列变换器的主束灵敏度的漂移和声音SN比与超声波束指向性的劣化。
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公开(公告)号：CN100390969C
公开(公告)日：2008-05-28
申请号：CN02811006.4
申请日：2002-05-28
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L23/12
CPC classification number: H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L2224/16 , H01L2224/16225 , H01L2924/01078 , H01L2924/15311 , H01L2924/3011 , H05K1/0216 , H05K1/112 , H05K1/115 , H05K3/4602 , H05K2201/09536 , H05K2201/09781 , H05K2201/10674
Abstract: 抑制半导体器件尺寸的增大和降低噪声。一种半导体器件包含：基片(5)，在由印刷电路板制成的基片芯层(7)两侧分别提供有表层(9，11)；半导体元件(1)装在基片(5)上。半导体元件(1)用连接件(3)与表层之一(9)连接，在另一个表层(11)上排列有外引线端(55)。芯层(7)中制作有通孔(41，43，45，75，77)，使半导体元件(1)与外引线端(55)电连接。通孔(41，43，45，75，77)包括按照外部通孔阵列(55)布置的阵列式通孔(41，43，45)，一个或多个附加通孔(75，77)制作在阵列式通孔(41，43，45)之间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100347893C
公开(公告)日：2007-11-07
申请号：CN200510083306.9
申请日：2005-07-12
CPC classification number: H01M8/242 , H01M8/0206 , H01M8/0247 , H01M8/0271 , H01M8/04208 , H01M8/1011 , H01M8/1097 , H01M8/241 , H01M8/2418 , H01M2250/30 , Y02B90/18 , Y02E60/523 , Y02P70/56
Abstract: 根据本发明，提供一种薄膜电极复合体组件，其包括以气体扩散电极(12、13)夹持电解质膜(11)的两面而形成的薄膜电极复合体(10)、具有燃料流通的燃料流通孔(23a)的阳极集电板(23)、以及具有氧气流通的空气流通孔(26a)的阴极集电板(26)，以阳极集电板(23)和阴极集电板(26)夹持薄膜电极复合体(10)的两面而形成；其进一步包括，成为阳极集电板(23)的基底、阴极集电板(26)的基底的合成树脂制的膜(21)(第1膜和第2膜)。
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公开(公告)号：CN1714442A
公开(公告)日：2005-12-28
申请号：CN02811006.4
申请日：2002-05-28
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L23/12
CPC classification number: H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L2224/16 , H01L2224/16225 , H01L2924/01078 , H01L2924/15311 , H01L2924/3011 , H05K1/0216 , H05K1/112 , H05K1/115 , H05K3/4602 , H05K2201/09536 , H05K2201/09781 , H05K2201/10674
Abstract: 抑制半导体器件尺寸的增大和降低噪声。一种半导体器件包含：基片(5)，在由印刷电路板制成的基片芯层(7)两侧分别提供有表层(9，11)；半导体元件(1)装在基片(5)上。半导体元件(1)用连接件(3)与表层之一(9)连接，在另一个表层(11)上排列有外引线端(55)。芯层(7)中制作有通孔(41，43，45，75，77)，使半导体元件(1)与外引线端(55)电连接。通孔(41，43，45，75，77)包括按照外部通孔阵列(55)布置的阵列式通孔(41，43，45)，一个或多个附加通孔(75，77)制作在阵列式通孔(41，43，45)之间。
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公开(公告)号：CN1707741A
公开(公告)日：2005-12-14
申请号：CN200510072795.8
申请日：2005-05-20
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H01J31/123 , H01J29/87
Abstract: 在显示装置中，实现高分辨化、轻型化及薄型化。显示装置具有薄型的显示面板72及控制装置73。显示面板72有阳极基板2、与阳极基板2之间形成真空密封的电子发射腔6的平板状的阴极基板4、阴极基板4上形成的电子源3、阳极基板2上形成的荧光体1、在阴极基板4的反电子发射腔侧形成的压力支持体74。压力支持体74有与阴极基板4之间独立于电子发射腔6形成真空密封的压力支持腔8A的真空密封部件8、由具有空隙的部件形成且在压力支持腔内夹在真空密封部件8和阴极基板之间4之间而且设置成至少两端部横跨在阴极基板4的与阳极基板2相对的连接区域的加强部件7。
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公开(公告)号：CN1170311C
公开(公告)日：2004-10-06
申请号：CN00129032.0
申请日：2000-09-27
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: G01R1/0483 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 半导体器件的制造方法和封装装置，其上固定多个要在检测装置上检测的半导体器件，检测装置包括要与每个半导体器件的电极电连接的探针，封装装置包括多个孔，用于在其中分别可拆卸地容纳半导体器件，而半导体器件之间的相互位置关系和封装装置与每个半导体器件之间的相互位置关系是使半导体器件之间按垂直于半导体厚度方向的方向保持恒定的间距，和多个导电件，用于分别与半导体器件的电极电连接，并伸到封装装置外面，使探针与每个导电件连接。
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公开(公告)号：CN1097312C
公开(公告)日：2002-12-25
申请号：CN95106029.5
申请日：1995-05-15
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L23/48
CPC classification number: H01L23/49558 , H01L21/565 , H01L23/49541 , H01L23/49548 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2224/451 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/49171 , H01L2924/00014 , H01L2924/01078 , H01L2924/01087 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2224/05599 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 一种供塑封半导体器件用的引线框架，包括其上安装半导体芯片的托片、芯片衬垫支撑引线、与半导体芯片电连接的内引线、以整体结构方式与内引线一起形成的外引线，以及支撑芯片衬垫支撑引线和外引线的框架。在引线框架中，只在外引线之间配置堵封件。或者，在框架与其相邻的引线之间形成虚设外引线，以便通过堵封件将虚设引线连到外引线。在组装半导体器件后，将该框架切除。
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