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公开(公告)号：CN101506941B
公开(公告)日：2012-02-29
申请号：CN200680055586.5
申请日：2006-12-31
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: G03F7/075 , H01L21/027
CPC classification number: H01L21/31144 , C08G77/04 , C09D183/04 , H01L21/0276
Abstract: 一种处理抗蚀剂下层膜的硬掩模组合物，包含溶剂和有机硅聚合物，其中有机硅聚合物由结构式6表示：在结构式6中，R是甲基或乙基，R′是取代或未取代的环状或无环烷基，Ar是含芳环官能团，x、y和z满足关系式x+y＝4，0.4≤x≤4，0≤y≤3.6，和4×10-4≤z≤1，而n为约3至约500。
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公开(公告)号：CN101042533A
公开(公告)日：2007-09-26
申请号：CN200710007513.5
申请日：2007-01-30
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: G03F7/075 , G03F7/004 , G03F7/20 , G03F7/26 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供了硬掩模组合物，该组合物含有通过一种或多种式(I)化合物的反应所制备的有机硅烷聚合物，其中，R1、R2和R3可以各自独立地为烷基、乙酰氧基或肟；且R4可以是氢、烷基、芳基或芳烷基；并且其中有机硅烷聚合物具有大约1.1至大约2的多分散性。Si(OR1)(OR2)(OR3)R4(I)
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公开(公告)号：CN102246096B
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN200880132341.7
申请日：2008-12-31
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: G03F7/075
CPC classification number: G03F7/0752 , C08G77/18 , C08L83/04 , C09D183/04 , H01L21/02126 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/0332
Abstract: 本发明提供了一种用于形成蚀刻剂下层膜的硬掩模组合物。该硬掩模组合物包含(A)有机硅烷聚合物以及(B)至少一种稳定剂。该硬掩模组合物在储存期间非常稳定，并且由于其优良的硬掩模特性，可以允许将良好的图案转移至材料层。
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公开(公告)号：CN102569060B
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201110430768.9
申请日：2011-12-20
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: H01L21/31
CPC classification number: H01L21/02282 , B05D5/00 , B05D5/12 , B32B9/00 , C08G77/54 , C08G77/62 , C08L83/14 , C08L83/16 , C09D183/00 , C09D183/02 , C09D183/08 , C09D183/14 , C09D183/16 , H01L21/02164 , H01L21/02222 , Y10T428/24355
Abstract: 本发明涉及形成硅氧层的组合物及其生产方法、利用其的硅氧层及生产硅氧层的方法。更具体地，本文公开了一种用于形成硅氧层的组合物，其包含选自氢化聚硅氮烷、氢化聚硅氧硅氮烷以及它们的组合中的一种，其中折算为聚苯乙烯时，重均分子量大于或等于约50000的氢化聚硅氮烷和氢化聚硅氧硅氮烷的总和的浓度范围为小于或等于约0.1wt％。当利用根据本发明的包括氢化聚硅氧硅氮烷的用于形成硅氧层的组合物来形成硅氧层时，缺陷显著减少，从而提高硅氧层所需的绝缘特性和间隙填充性能。
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公开(公告)号：CN103946361A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201280055366.8
申请日：2012-10-31
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: C11D7/50 , C11D7/00 , H01L21/306
CPC classification number: C09K13/00 , C08G77/62 , C09D183/16 , H01L21/0206 , H01L21/02087 , H01L21/02164 , H01L21/02222 , H01L21/02282 , H01L21/31111
Abstract: 提供一种聚硅氧氮烷氢氧化物薄膜清洗溶液，相对于清洗溶液整体包括0.01wt％至7wt％之间的选自由醇类溶剂、酯类溶剂、硅烷醇类溶剂、烷氧基硅烷类溶剂、和烷基硅氮烷类溶剂以及它们的组合组成的组中的添加剂。
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公开(公告)号：CN101490621B
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN200780025924.5
申请日：2007-11-21
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: G03F7/004
CPC classification number: C08G77/50 , C08L83/14 , G03F7/11 , G03F7/2022 , H01L21/02126 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/0271 , H01L21/31144 , H01L21/3122
Abstract: 本发明提供了一种用于加工抗蚀剂下层膜的硬掩模组合物。该硬掩模组合物包含有机硅聚合物和溶剂或溶剂混合物，其中有机硅聚合物是在酸催化剂存在下，通过缩聚由以下式1、2和3表示的化合物的水解产物而制备的：[R1O]3Si-X(1)，其中X是含有至少一个取代或未取代芳环的C6-C30官能团，而R1是C1-C6烷基；[R2O]3Si-R3(2)，其中R2是C1-C6烷基，而R3是C1-C12烷基；以及[R4O]3Si-Y-Si[OR5]3(3)，其中R4和R5每一个独立地是C1-C6烷基，而Y是选自由取代或未取代的芳环、直链或支链C1-C20亚烷基、含有芳环的C1-C20亚烷基、杂环、主链中的脲基或异氰尿酸酯基和含有至少一个多重键的C2-C20烃基组成的组中的连接基团。该硬掩模组合物表现出优异的膜特性和良好的储存稳定性，并且由于其令人满意的硬掩模特性而可以将良好图案转移到材料层。另外，该硬掩模组合物具有对O2等离子体气体在用于图案化的后续蚀刻的改善的蚀刻抗性。该硬掩模组合物可用来形成高度亲水性薄膜，因而可以有效改善薄膜与覆盖抗反射涂层的界面相容性。本发明还提供了一种使用该硬掩模组合物来生产半导体集成电路器件的方法。
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公开(公告)号：CN102246096A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN200880132341.7
申请日：2008-12-31
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: G03F7/075
CPC classification number: G03F7/0752 , C08G77/18 , C08L83/04 , C09D183/04 , H01L21/02126 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/0332
Abstract: 本发明提供了一种用于形成蚀刻剂下层膜的硬掩模组合物。该硬掩模组合物包含(A)有机硅烷聚合物以及(B)至少一种稳定剂。该硬掩模组合物在储存期间非常稳定，并且由于其优良的硬掩模特性，可以允许将良好的图案转移至材料层。
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公开(公告)号：CN1991581B
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200610150443.4
申请日：2006-10-27
Applicant: 第一毛织株式会社
Abstract: 本发明提供了一种抗蚀底膜硬掩模层组合物，其中在某些实施方式中，硬掩模层组合物含有(a)由式1的化合物与式2的化合物反应制得的第一聚合物，其中n为3-20的数，R为一价有机基团，m为0、1或2；(b)包括式3-6所示结构中的至少一种结构的第二聚合物；(c)酸性或碱性催化剂；以及(d)有机溶剂。本发明还提供了利用本发明实施方式的硬掩模层组合物制造半导体集成电路装置的方法。另外，本发明还提供了按照本发明方法实施方式制造的半导体集成电路装置。
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