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公开(公告)号：CN103579190A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310334968.3
申请日：2013-08-02
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
IPC分类号： H01L23/538 , H01L23/31 , H01L21/56 , H01L21/768
CPC分类号： H01L24/96 , H01L23/3128 , H01L23/49855 , H01L23/5389 , H01L23/66 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/32 , H01L2223/6677 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/131 , H01L2224/16225 , H01L2224/2105 , H01L2224/211 , H01L2224/214 , H01L2224/24051 , H01L2224/32245 , H01L2224/73151 , H01L2224/73259 , H01L2224/73267 , H01L2924/12032 , H01L2924/12042 , H01L2924/1301 , H01L2924/13034 , H01L2924/1304 , H01L2924/1305 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/142 , H01L2924/15311 , H01L2924/18162 , H01L2924/014 , H01L2924/01029 , H01L2924/01013 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01079 , H01L2924/01046 , H01L2924/0103 , H01L2924/01028 , H01L2924/01026 , H01L2224/13 , H01L2224/21 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
摘要： 本发明提供了一种芯片封装件和用于制造芯片封装件的方法，该芯片封装件包括：芯片，包括在芯片正面上形成的至少一个接触焊垫；密封材料，至少部分围绕所述芯片和覆盖所述至少一个接触焊垫；以及至少一个电气互连件，穿过所述密封材料形成，其中，所述至少一个电气互连件被配置为将所述至少一个接触焊垫从在所述芯片正面处的芯片封装件第一面电重定向到在芯片背面处的芯片封装件第二面上方形成的至少一个焊接结构。
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公开(公告)号：CN118201463A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202311679455.6
申请日：2023-12-08
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
摘要： 本公开的实施例涉及扇出晶圆级封装和相关制造方法。一种扇出晶圆级封装，包含磁场传感器芯片和至少部分包封磁场传感器芯片的包封材料。此外，扇出晶圆级封装包含由平坦可焊接金属涂层形成的外部电接触元件，以及布置在包封材料上方的电再分布层，其将磁场传感器芯片和外部电接触元件彼此电连接。
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公开(公告)号：CN109962056B
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN201811574662.4
申请日：2018-12-21
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
摘要： 本公开涉及半导体装置和用于制造半导体装置的方法。该半导体装置包括：电路板；具有主表面的半导体封装，其中半导体封装布置在电路板上并且主表面面向电路板；半导体封装的高频线元件，布置在该主表面上或半导体封装内，其中该高频线元件被配置为传输频率大于10GHz的信号；和底部填充材料，其布置在电路板和半导体封装之间，其中高频线元件和底部填充材料在该主表面上的正交投影中不重叠。
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公开(公告)号：CN114725038A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202111507035.0
申请日：2021-12-10
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
IPC分类号： H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/488
摘要： 本公开的实施例涉及具有热界面的电路装置。一种电路装置具有呈eWLB装置形式的芯片装置，芯片装置具有在一侧上焊接触点和在芯片装置背离焊接触点的一侧上的热界面，其被设计用于从半导体芯片散热。在示例中，热界面具有导热导电材料，其中在芯片装置的俯视图中，导热导电材料与芯片装置热接触的接触区域被限制在扇出区域上。在示例中，热界面具有至少一个高频吸收层，该高频吸收层被设计用于在半导体芯片的工作频率处吸收电磁辐射。
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公开(公告)号：CN114628345A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202111487320.0
申请日：2021-12-07
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
摘要： 本公开涉及一种半导体器件，包括：半导体芯片，包括布置在半导体芯片的主表面上的电接触件；外部连接元件，被配置为在半导体器件与印刷电路板之间提供第一电连接；以及电再分布层，在与半导体芯片的主表面平行的方向上延伸，并被配置为在半导体芯片的电接触件与外部连接元件之间提供第二电连接。电再分布层包括连接到地电位的地线以及被配置为承载具有波长的电信号的信号线。当在垂直于半导体芯片的主表面的方向上查看时：地线与信号线之间的间隙的宽度沿一路径连续小于波长的10％，且至少小于40微米，该路径的起点和半导体芯片的电接触件相对于从电接触件到外部连接元件的中心的方向具有相似的位置。
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公开(公告)号：CN114095053A
公开(公告)日：2022-02-25
申请号：CN202110491460.9
申请日：2021-05-06
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
摘要： 本公开的实施例涉及一种射频装置和所属的制造方法。射频装置包括包封材料和嵌入包封材料中的射频芯片，其中射频芯片具有第一主面和第二主面。射频装置还包括布置在射频芯片的第一主面和包封材料之上的电再分配层以及在再分配层中形成的射频天线，该射频天线被设计为在从第二主面指向第一主面的方向上辐射信号和/或在从第一主面指向第二主面的方向上接收信号。射频装置还包括具有导电壁结构的微波部件，该微波部件布置在射频天线下方并且嵌入包封材料中。
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公开(公告)号：CN111799247A
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN202010266528.9
申请日：2020-04-07
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
摘要： 本公开涉及一种半导体装置。该半导体装置包括：具有高频电路和高频端子的半导体芯片；外部高频端子；以及布置在半导体芯片的高频端子与外部高频端子之间的非电连接，其中该非电连接被设计为传输高频信号。
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公开(公告)号：CN110718540A
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：CN201910620076.7
申请日：2019-07-10
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
摘要： 本公开涉及具有塑料波导的半导体封装。例如，一种半导体装置，包括集成电路(IC)封装和塑料波导。IC封装包括：半导体芯片；以及嵌入式天线，形成在耦合至半导体芯片的再分配层(RDL)内，其中RDL被配置为在半导体芯片和嵌入式天线之间传输射频(RF)信号。塑料波导附接至IC封装，并且被配置为在嵌入式天线和IC封装的外侧之间传输RF信号。
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公开(公告)号：CN110660688A
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201910596692.3
申请日：2019-06-28
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
IPC分类号： H01L21/60 , H01L23/31 , H01L21/56 , H01L23/482 , H01L23/488
摘要： 本公开的实施例涉及具有在包封材料中的凹部的半导体装置和所属的制造方法，方法包括提供至少一个半导体组件，其中至少一个半导体组件中的每个包括：半导体芯片，其中半导体芯片包括第一主表面和与第一主表面相对置的第二主表面，和布置在半导体芯片的相对置的第二主表面上的牺牲材料。该方法还包括用包封材料包封至少一个半导体组件。该方法还包括去除牺牲材料，其中在至少一个半导体芯片中的每个上形成包封材料中的凹部。该方法还包括将至少一个盖布置在至少一个凹部上，其中通过至少一个凹部和至少一个盖在至少一个半导体芯片的每个上形成封闭空腔。
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公开(公告)号：CN109962056A
公开(公告)日：2019-07-02
申请号：CN201811574662.4
申请日：2018-12-21
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
摘要： 本公开涉及半导体装置和用于制造半导体装置的方法。该半导体装置包括：电路板；具有主表面的半导体封装，其中半导体封装布置在电路板上并且主表面面向电路板；半导体封装的高频线元件，布置在该主表面上或半导体封装内，其中该高频线元件被配置为传输频率大于10GHz的信号；和底部填充材料，其布置在电路板和半导体封装之间，其中高频线元件和底部填充材料在该主表面上的正交投影中不重叠。
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