公开(公告)号：CN1819134A

公开(公告)日：2006-08-16

申请号：CN200510134041.0

申请日：2005-12-26

申请人： 奥林巴斯株式会社

发明人： 池野泰教 ,  北原康利 ,  仓田俊辅 ,  菅义明

IPC分类号： H01L21/66 ,  H01L21/00

CPC分类号： G05B19/41875 ,  G05B19/41865 ,  G05B2219/32097 ,  G05B2219/32206 ,  G05B2219/37224 ,  G05B2219/45031 ,  Y02P90/20 ,  Y02P90/22

摘要： 用于检验半导体晶片的方法和装置。晶片检验装置包括：规程准备单元，其将针对各类型的多个原始规程中的对应一个批分配给包含各类型晶片的多个槽，所述多个原始规程分别对应于不同类型的晶片，以基于所述多个原始规程来准备实际规程，并根据所述实际规程来检验不同类型的晶片。

公开(公告)号：CN108475649A

公开(公告)日：2018-08-31

申请号：CN201780005642.2

申请日：2017-01-05

申请人： 科磊股份有限公司

发明人： S·卡达尔 ,  S·乔纳宾 ,  H·法加里亚 ,  B·里斯

IPC分类号： H01L21/66 ,  H01L21/67

CPC分类号： G05B19/41875 ,  G05B2219/37224 ,  G06N99/005 ,  H01L22/12 ,  H01L22/20 ,  Y02P90/22

摘要： 特征提取及分类用于工艺窗监测。基于经掩蔽裸片图像的度量的组合且包含一或多个片段掩模、度量及晶片图像的一组显著组合的分类器能够检测工艺非合规。可基于经计算度量使用分类器确定工艺状态。所述分类器可从标称数据学习。

公开(公告)号：CN104124189B

公开(公告)日：2017-09-12

申请号：CN201410178064.0

申请日：2014-04-29

申请人： 格罗方德半导体公司

发明人： S·B·迈纳 ,  W·J·福斯奈特 ,  R·加拉格尔

IPC分类号： H01L21/67

CPC分类号： H01L21/67265 ,  G05B19/4184 ,  G05B19/41875 ,  G05B2219/37224 ,  G05B2219/45031 ,  H01L21/67259 ,  H01L21/67389 ,  H01L21/68 ,  H01L21/68707 ,  Y02P90/04 ,  Y10S901/02 ,  Y10S901/27

摘要： 本文揭示监控晶圆处理的系统及方法以及晶圆处理机。一种用于监控晶圆处理的系统包含传感器与控制器。该传感器能够固定于已组装的晶圆处理机。该控制器与该传感器电子通讯以及包含控制逻辑。该控制逻辑经组构成在该晶圆处理机对准时储存该传感器的参考输出，以及经组构成在该传感器的该参考输出与当前输出之间的差异超出临界值时产生指示讯号。

公开(公告)号：CN104303264A

公开(公告)日：2015-01-21

申请号：CN201380024955.4

申请日：2013-03-13

申请人： 科磊股份有限公司

发明人： 科恩·德韦尔 ,  塞德里克·卡雷特

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/66

CPC分类号： G01N21/9501 ,  G01N21/956 ,  G01N2201/068 ,  G03F7/7065 ,  G05B23/0216 ,  G05B23/0229 ,  G05B2219/37224 ,  H01L22/12 ,  H01L22/20

摘要： 本发明揭示一种用于半导体装置的自动化检验的检验配方产生的方法、计算机系统及设备。为产生所述检验配方，使用参考数据集。借助初始配方对所述参考数据集(参考晶片图)的裸片的图像执行自动检验。将来自所述自动检验的所检测检验结果分类，且将所述经分类检验结果与裸片中的缺陷的专家分类进行比较。自动产生过杀及漏杀数目。根据所述过杀及漏杀数目，修改检验配方参数。如果所述检测及/或所述分类低于预定义阈值，那么重复自动检验。

公开(公告)号：CN102576045A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201080030311.2

申请日：2010-06-23

申请人： 克拉-坦科股份有限公司

发明人： P·休伊特 ,  B·达菲 ,  M·费利豪尔 ,  T·托特泽赫 ,  C·马赫

IPC分类号： G01R31/26

CPC分类号： G01R31/2656 ,  G01R31/2894 ,  G05B19/41875 ,  G05B2219/37224 ,  H01L22/12 ,  H01L22/20 ,  H01L2924/0002 ,  Y02P90/22 ,  H01L2924/00

摘要： 公开了监视时变的分类性能的系统和方法。一种方法可包括但不限定于：从一个或更多个扫描检验工具接收指示一个或更多个样本的一种或更多种属性的一个或更多个信号；根据对从这一个或更多个扫描检验工具收到的一个或更多个信号应用一种或更多种分类规则来确定这一个或更多个样本的一种或更多种缺陷类型的种群；使用一个或更多个高分辨率的检验工具来确定这一个或更多个样本的这一种或更多种缺陷类型的种群；以及计算从应用到接收自这一个或更多个扫描检验工具的一个或更多个信号的一种或更多种分类规则的应用确定的一个或更多个样本的一种或更多种缺陷类型的种群与使用这一个或更多个高分辨率的检验工具确定的这一个或更多个样本的这一种或更多种缺陷类型的种群之间的一个或更多个相关性。

公开(公告)号：CN1897242A

公开(公告)日：2007-01-17

申请号：CN200510027816.4

申请日：2005-07-14

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

发明人： 王邕保 ,  陈瑜

IPC分类号： H01L21/66 ,  G01D18/00 ,  G01R35/00

CPC分类号： G05B19/401 ,  G05B2219/37008 ,  G05B2219/37224 ,  G05B2219/45031

摘要： 一种对多个测量系统进行校准的方法，包括：获得一个第一组校准标准，该第一组校准标准与多个预定值相关联。另外，该方法还包括通过多个测量系统对该第一组校准标准进行测量以获得一个第一组测量值，处理与该第一组测量值相关联的信息，至少依据与所述多个不确定性相关联的信息而从所述多个测量系统中选择一个第一测量系统，并通过第一组校准标准对该第一测量系统进行校准以获得第二组校准标准，通过第一测量系统对第二组校准标准进行测量以获得第二组测量值。

公开(公告)号：CN107305855A

公开(公告)日：2017-10-31

申请号：CN201710121687.8

申请日：2017-03-02

申请人： 株式会社日立国际电气

发明人： 浅井一秀 ,  山本一良 ,  川岸隆之 ,  林原秀元 ,  屋敷佳代子 ,  岩仓裕幸

IPC分类号： H01L21/67

CPC分类号： G05B19/41875 ,  G05B2219/32096 ,  G05B2219/37224 ,  G05B2219/45031 ,  Y02P90/20 ,  Y02P90/22 ,  H01L21/67242 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/67276

摘要： 本发明提供一种能够谋求缩短对异常的解析调查的时间的构成。该构成包含将在执行对衬底进行处理的配方的过程中所生成的装置数据向存储部传送的操作部、和分别对存储在存储部中的多个装置数据进行核对的数据匹配控制部，操作部将表示装置中发生了异常的主旨的数据向上述数据匹配控制部通知，数据匹配控制部具有：选定部，其从存储部选定以与发生了异常的配方相同的条件被执行了的配方；获取部，其分别从发生了异常的配方和由选定部选定出的配方获取装置数据；和运算部，其对获取到的装置数据的差异进行运算，基于表示发生了异常的主旨的数据来对从异常发生前后的配方获取到的装置数据进行核对。

公开(公告)号：CN103187343B

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201210587012.X

申请日：2012-12-28

申请人： 敖翔科技股份有限公司

发明人： 吕一云

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/66

CPC分类号： G05B19/41875 ,  G05B2219/37224 ,  G05B2219/45031 ,  H01L22/12 ,  H01L22/20 ,  Y02P90/22

摘要： 本发明提供一种智能型缺陷诊断方法，其使用于一制造工厂，该方法包括：接收至少一缺陷检测仪器所产生的多个缺陷数据，接收一轮廓设计系统产生的多个设计布局图，以及接收该制造工厂所产生的多个制造数据；通过一缺陷分析系统分析该缺陷数据、设计布局图及该制造数据。先分割完整晶片设计布局图成许多设计布局图单元，导入缺陷数据及图形比对分析成为以布局图图形群组(LPG)单元属性的缺陷复合式图形群组，并针对影像图形作影像处理测量及关键区域分析良率，诊断系统缺陷、制造方法缺陷、及缺陷良率。本发明可以快速地监控工厂生产状况，并针对缺陷良率作出正确的除错。

公开(公告)号：CN105009254A

公开(公告)日：2015-10-28

申请号：CN201480013303.5

申请日：2014-02-25

申请人： 株式会社东芝

发明人： 山田宗良 ,  曾我朗

IPC分类号： H01L21/02 ,  G05B19/418 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC分类号： G05B19/41875 ,  G05B2219/37224 ,  H01L22/12 ,  H01L22/20 ,  Y02P90/18 ,  Y02P90/20 ,  Y02P90/22

摘要： 提供一种用于电子设备的制造支持系统，所述制造支持系统包括检查数据获取单元、分类波动计算单元、因素数据获取单元和因素波动计算单元。所述检查数据获取单元获取目标电子设备的检查数据。所述分类波动计算单元被配置为基于所述检查数据，按照分类来计算所述目标电子设备的尺寸波动，所述分类包括在所述电子设备的批次之间、基底之间以及基底平面中的位置中的至少任意一个。所述因素数据获取单元获取所述目标电子设备的改善历史数据。所述因素波动计算单元被配置为基于与包括在所述目标电子设备的改善历史数据中的多个波动因素相关的信息来确定所述目标电子设备的多个波动因素，并且计算由于确定的多个波动因素的尺寸波动。从而，提供一种用于电子设备的支持针对制造条件的改善测度的确定的制造支持系统、制造支持方法和制造支持程序。

公开(公告)号：CN103187343A

公开(公告)日：2013-07-03

申请号：CN201210587012.X

申请日：2012-12-28

申请人： 敖翔科技股份有限公司

发明人： 吕一云

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/66

CPC分类号： G05B19/41875 ,  G05B2219/37224 ,  G05B2219/45031 ,  H01L22/12 ,  H01L22/20 ,  Y02P90/22

摘要： 本发明提供一种智能型缺陷诊断方法，其使用于一制造工厂，该方法包括：接收至少一缺陷检测仪器所产生的多个缺陷数据，接收一轮廓设计系统产生的多个设计布局图，以及接收该制造工厂所产生的多个制造数据；通过一缺陷分析系统分析该缺陷数据、设计布局图及该制造数据。先分割完整晶片设计布局图成许多设计布局图单元，导入缺陷数据及图形比对分析成为以布局图图形群组(LPG)单元属性的缺陷复合式图形群组，并针对影像图形作影像处理测量及关键区域分析良率，诊断系统缺陷、制造方法缺陷、及缺陷良率。本发明可以快速地监控工厂生产状况，并针对缺陷良率作出正确的除错。