公开(公告)号：CN104797745A

公开(公告)日：2015-07-22

申请号：CN201380057606.2

申请日：2013-09-03

申请人： 原子能与替代能源委员会

发明人： 让-保罗·加朗代 ,  N·尚特勒伊 ,  A·法谢洛 ,  E·皮拉特 ,  Y·维舍蒂

IPC分类号： C30B15/04 ,  C30B29/06 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18 ,  H01L31/047

CPC分类号： H01L31/047 ,  C30B15/04 ,  C30B29/06 ,  H01L31/0288 ,  H01L31/03529 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0687 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1876 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明涉及一种用于制造包括多个竖向结(2)的单块硅晶圆(10)的方法，多个竖向结具有n掺杂区和p掺杂区的交替，该方法至少包括以下步骤：(i)提供液浴(100)，该液浴包括硅、至少一种n型掺杂剂和至少一种p型掺杂剂；(ii)以在方向(I)上定向地凝固该硅，改变其对流-扩散参数以使交替n掺杂硅层(101)和p掺杂硅层(102)的生长交替；以及(iii)平行于该方向(I)，切割在步骤(ii)结束时所获得的多层结构的薄片(104)，从而获得预期的所述晶圆(10)。

公开(公告)号：CN104704149A

公开(公告)日：2015-06-10

申请号：CN201380038742.7

申请日：2013-05-31

申请人： 德克萨斯大学系统董事会

发明人： 赵成基 ,  艾伦·J·巴尔德 ,  夫伦·F·法恩

IPC分类号： C25D5/04 ,  C25D3/00

CPC分类号： H01L31/1804 ,  C25D3/56 ,  C25D3/66 ,  C25D9/08 ,  H01L31/0288

摘要： 一种制备硅膜的方法，其包括：形成包含分散于熔融盐中的二氧化硅的沉积组合物；将金属基材和对电极置于所述组合物中；以及在所述金属基材与所述对电极之间通过还原电流，其中所述还原电流产生二氧化硅粒子的还原，以在所述金属基材上形成硅膜。

公开(公告)号：CN102456755B

公开(公告)日：2015-06-03

申请号：CN201110391311.1

申请日：2011-10-18

申请人： LG电子株式会社

发明人： 沈承焕 ,  金真阿 ,  南正范 ,  郑寅道 ,  梁周弘 ,  崔亨旭 ,  郑一炯 ,  权亨振

IPC分类号： H01L31/0216 ,  H01L31/0288 ,  H01L31/0368 ,  H01L31/068

CPC分类号： H01L31/0288 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/03682 ,  H01L31/068 ,  Y02E10/546 ,  Y02E10/547

摘要： 本发明提供了用于太阳能电池的半导体基板以及太阳能电池。一种太阳能电池包括p-型的多晶硅半导体基板、n-型的并且与该多晶硅半导体基板形成p-n结的发射区、连接至发射区的第一电极、以及连接至多晶硅半导体基板的第二电极，其中，该多晶硅半导体基板具有大体上为7.2×1015/cm3至3.5×1016/cm3的纯p-型杂质浓度。

公开(公告)号：CN104637954A

公开(公告)日：2015-05-20

申请号：CN201510002775.7

申请日：2007-10-31

申请人： 伊利诺伊大学评议会 ,  森普瑞斯公司

发明人： J·罗杰斯 ,  R·纳佐 ,  M·梅尔特 ,  E·梅纳德 ,  A·J·巴卡 ,  M·穆塔拉 ,  J-H·安 ,  S-I·朴 ,  C-J·于 ,  H·C·高 ,  M·斯托伊克维奇 ,  J·尹

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L31/0725 ,  H01L31/18 ,  H01L31/054

CPC分类号： H01L25/50 ,  B81C2201/0185 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/00 ,  H01L25/042 ,  H01L25/0753 ,  H01L25/167 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1292 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14643 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78681 ,  H01L31/02005 ,  H01L31/02008 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/02325 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/0288 ,  H01L31/03046 ,  H01L31/043 ,  H01L31/0525 ,  H01L31/0543 ,  H01L31/0547 ,  H01L31/0693 ,  H01L31/0725 ,  H01L31/167 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1824 ,  H01L31/1868 ,  H01L31/1876 ,  H01L31/1892 ,  H01L33/005 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/06 ,  H01L33/30 ,  H01L33/483 ,  H01L33/52 ,  H01L33/54 ,  H01L33/56 ,  H01L33/58 ,  H01L33/62 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2933/005 ,  H01L2933/0058 ,  H01L2933/0066 ,  H01L2933/0091 ,  H01S5/021 ,  H01S5/02284 ,  H01S5/183 ,  H01S5/3013 ,  H01S5/34326 ,  H01S5/423 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供了一种制造半导体基光学系统的方法，所述方法包含以下步骤：提供具有接收表面的光学构件；和经由接触印刷将可印刷半导体元件组装在所述光学构件的所述接收表面上，其中所述可印刷半导体元件包含这样的半导体结构，该半导体结构具有选自0.0001毫米至1000毫米范围的长度、选自0.0001毫米至1000毫米范围的宽度和选自0.00001毫米至3毫米范围的厚度。

公开(公告)号：CN104471725A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201380024709.9

申请日：2013-02-28

申请人： 阿波朗.索拉尔公司 ,  澳大利亚国立大学

发明人： M.福斯特 ,  R.艾因豪斯 ,  A.奎瓦斯

IPC分类号： H01L31/068 ,  H01L31/02

CPC分类号： H01L31/0288 ,  H01L31/068 ,  H01L31/075 ,  Y02E10/547

摘要： 本发明涉及一种光伏打装置，包括具有N掺杂硅基的第一半导体区域(2)，及具有P掺杂硅的第二半导体区域(3)。该两个半导体区域构造为形成PN结。该第一半导体区域(2)无硼且包含浓度至少等于N型掺杂杂质的浓度的20％的P型掺杂杂质。

公开(公告)号：CN104124292A

公开(公告)日：2014-10-29

申请号：CN201310140670.9

申请日：2013-04-23

申请人： 晶澳太阳能有限公司 ,  河北宁晋松宫半导体有限公司

发明人： 杨伟强 ,  魏红军 ,  冯立军 ,  曹建民

IPC分类号： H01L31/0288 ,  C30B15/00 ,  C30B29/06

CPC分类号： H01L31/0288 ,  C30B15/04 ,  C30B29/06 ,  H01L31/1804

摘要： 本发明公开了一种硼镓共掺单晶硅片，在硼镓共掺单晶硅片中含有硼元素和镓元素，其中硼元素的浓度为1014~16原子数/立方厘米，镓元素的浓度为1013~6×1016原子数/立方厘米，其降低了单独硼掺杂引起的硼氧复合体浓度，还公开了由上述硼镓共掺单晶硅片制成的硼镓共掺单晶硅太阳能电池，该电池具有与常规掺硼持平的转换效率，并且具有较低的LID水平，并进一步公开了上述硼镓共掺单晶硅片及电池的制备方法，该方法工艺简单，易操作，可规模化生产，不存在成本升高的问题。

公开(公告)号：CN102074599B

公开(公告)日：2014-10-29

申请号：CN201010540778.3

申请日：2010-09-07

申请人： LG电子株式会社

发明人： 崔元硕 ,  池光善 ,  李宪民 ,  慎熩祯 ,  崔正薰 ,  梁贤真

IPC分类号： H01L31/0747 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/02167 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/02366 ,  H01L31/0288 ,  H01L31/03529 ,  H01L31/0368 ,  H01L31/0376 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/072 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547

摘要： 本发明公开了太阳能电池及其制备方法。该太阳能电池包括：基板，其包含第一导电类型的第一杂质，并且由晶体半导体形成；第一场区，其位于所述基板的入射表面上，并且包含第二导电类型的第二杂质；射极区，其包含第三导电类型的第三杂质，由非晶半导体形成，并且位于所述基板的与该基板的所述入射表面相对的非入射表面上；第一电极，其电连接到所述射极区；以及第二电极，其电连接到所述基板。

公开(公告)号：CN103762255A

公开(公告)日：2014-04-30

申请号：CN201410035355.4

申请日：2014-01-24

申请人： 中国科学院半导体研究所

发明人： 王科范 ,  彭成晓 ,  刘孔 ,  谷城 ,  曲胜春 ,  王占国

IPC分类号： H01L31/0236 ,  H01L31/0288 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/09 ,  H01L31/18

CPC分类号： Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/0288 ,  H01L31/02162 ,  H01L31/022408 ,  H01L31/09 ,  H01L31/1804

摘要： 本发明公开了一种硫族元素超饱和掺杂硅红外探测器及其制造方法，探测器包括p型掺杂硅单晶衬底，金字塔减反射结构分别形成于p型掺杂硅单晶衬底的上、下表面，硫族元素超饱和掺杂硅晶态薄膜形成于p型掺杂硅单晶衬底的上表面的金字塔减反射结构的表面；硅氧化物介质钝化层形成于硫族元素超饱和掺杂硅晶态薄膜的表面；正面接触栅电极形成在硅氧化物介质钝化层的表面；背面接触电极形成在p型掺杂硅单晶衬底的下表面的金字塔减反射结构的表面。本发明在硫族元素超饱和掺杂硅晶态薄膜的制备过程加入了表面减反射结构，这可以增强它的红外吸收。

公开(公告)号：CN103403878A

公开(公告)日：2013-11-20

申请号：CN201180058799.4

申请日：2011-12-14

申请人： 英诺瓦莱特公司

发明人： E·V·罗戈吉纳 ,  M·克尔曼 ,  G·斯卡尔德拉

IPC分类号： H01L31/0288 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/18 ,  H01B1/06 ,  H01B1/12 ,  H01L21/2225 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/0288 ,  H01L31/0321 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明公开了高保真度掺杂剂浆料。所述高保真度掺杂浆料包含溶剂、分散到所述溶剂中的一组非玻璃基质颗粒和掺杂剂。

公开(公告)号：CN103026505A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201180017867.2

申请日：2011-01-13

申请人： 桑艾维公司

发明人： 丹尼尔·L·迈耶 ,  维诺德·钱德拉塞卡朗 ,  亚当姆·M·佩恩

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0288 ,  H01L31/068

CPC分类号： H01L31/0288 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/068 ,  Y02E10/547

摘要： 本发明公开了一种太阳能电池及其制造方法。太阳能电池的制造方法包括：使用激光消融至少一个介质层的区域以贯穿半导体晶片上形成的至少一个介质层形成一个通道，使得半导体晶片的至少部分表面通过通道裸露。太阳能电池的制造方法还包括：对通道施加自掺杂金属浆料。太阳能电池的制造方法还包括：加热半导体晶片和自掺杂金属浆料，使得自掺杂金属浆料中的至少一些掺杂剂进入半导体晶片通过通道裸露的部分表面，形成选择发射区和位于选择发射区上并与选择发射区自对准的触点。