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公开(公告)号：CN104518085B
公开(公告)日：2017-12-05
申请号：CN201310746001.6
申请日：2013-12-30
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L45/00
CPC分类号： H01L45/124 , H01L27/2436 , H01L45/04 , H01L45/06 , H01L45/065 , H01L45/08 , H01L45/085 , H01L45/10 , H01L45/12 , H01L45/1206 , H01L45/1213 , H01L45/122 , H01L45/1226 , H01L45/1233 , H01L45/1246 , H01L45/1253 , H01L45/126 , H01L45/1266 , H01L45/1273 , H01L45/1286 , H01L45/1293 , H01L45/14 , H01L45/141 , H01L45/142 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/145 , H01L45/146 , H01L45/147 , H01L45/148 , H01L45/149 , H01L45/16 , H01L45/1608 , H01L45/1616 , H01L45/1625 , H01L45/1633 , H01L45/1641 , H01L45/165 , H01L45/1658 , H01L45/1666 , H01L45/1675 , H01L45/1683 , H01L45/1691
摘要： 本发明涉及一种具有轴偏移或横向偏移的顶电极通孔（TEVA）和底电极通孔（BEVA）的电阻式随机存取存储器（RRAM）单元架构。具有同轴的TEVA和BEVA的传统RRAM单元能够引起高接触电阻变化率。本发明中的轴偏移的TEVA和BEVA促使TEVA远离RRAM单元上方的绝缘层，这样能够提高接触电阻变化率。本发明也涉及一种具有矩形RRAM单元的存储器件，该RRAM单元具有能够降低形成电压且提高数据保持的较大区域。本发明还公开了具有横向偏移的BEVA/TEVA的RRAM单元结构。
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公开(公告)号：CN104078481B
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：CN201310653727.5
申请日：2013-12-04
申请人： 意法半导体公司
发明人： J·H·张
CPC分类号： H01L45/16 , B82Y10/00 , G11C13/0004 , G11C13/003 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C13/025 , G11C2213/76 , H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/144 , H01L45/1683
摘要： 本发明公开了一种半导体器件，可以包括衬底和在衬底上方的PCM存储器单元阵列。每个PCM存储器单元可以包括竖直对准的第一电极和第二电极、在第一电极与第二电极之间的第一电介质层、从第二电极并且朝着第一电极经过第一电介质层竖直延伸的碳纳米管以及在第一电极与至少一个碳纳米管之间的PCM本体。
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公开(公告)号：CN107275357A
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201710196690.6
申请日：2017-03-29
申请人： 三星电子株式会社
CPC分类号： H01L45/1233 , H01L27/2409 , H01L27/2427 , H01L27/2463 , H01L27/2481 , H01L45/06 , H01L45/124 , H01L45/126 , H01L45/144 , H01L45/1616 , H01L45/1675 , H01L45/1253 , H01L45/1286 , H01L45/16
摘要： 本公开涉及可变电阻存储器件和存储结构。一种可变电阻存储器件包括一条或更多条第一导电线的图案、一条或更多条第二导电线的图案和第一与第二导电线之间的存储结构。第一导电线的图案在衬底上在第一方向上展开，第一导电线在交叉第一方向的第二方向上延伸。第二导电线的图案在第一导电线上在第二方向上展开，第二导电线在第一方向上延伸。存储结构垂直地重叠第一导电线和第二导电线。存储结构包括电极结构、在电极结构的中心上表面上的绝缘图案和在电极结构的边缘上表面上的可变电阻图案。可变电阻图案至少部分地覆盖绝缘图案的侧壁。
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公开(公告)号：CN105098070B
公开(公告)日：2017-09-19
申请号：CN201510401165.4
申请日：2015-07-07
申请人： 江苏时代全芯存储科技有限公司 , 江苏时代芯存半导体有限公司 , 英属维京群岛商时代全芯科技有限公司
发明人： 苏水金
IPC分类号： H01L45/00
CPC分类号： H01L45/126 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/16 , H01L45/1691
摘要： 一种相变化记忆体的制备方法，包含下列步骤。先形成一第一罩幕层于一介电层上，再形成一第二罩幕层于第一罩幕层上。之后图案化第一罩幕层与第二罩幕层，以暴露第一罩幕层的一侧面，并自第一罩幕层的侧面处移除部分的第一罩幕层，以形成一柱状突出物。接着移除第二罩幕层，并形成一加热材料层共形地覆盖柱状突出物的侧壁与上表面。最后移除柱状突出物的上表面的加热材料层，以自加热材料层形成一环状加热器环绕柱状突出物。
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公开(公告)号：CN107104122A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201710090799.1
申请日：2017-02-20
申请人： 三星电子株式会社
CPC分类号： H01L45/1233 , H01L27/2427 , H01L27/2481 , H01L45/06 , H01L45/1253 , H01L45/126 , H01L45/141 , H01L45/144 , H01L45/1675 , H01L45/1683 , H01L21/82
摘要： 本公开提供了存储器件。一种存储器件包括：多条第一导电线，彼此间隔开并在第一方向上延伸；多条第二导电线，彼此间隔开并在不同于第一方向的第二方向上延伸；第一存储单元，具有包括选择器件层、中间电极层、可变电阻层和顶电极层的结构；以及绝缘结构，在第二方向上与第一存储单元交替地布置在第二导电线下面，其中该绝缘结构具有比顶电极层的顶表面高的顶表面，第二导电线具有包括凸起部分和凹入部分的结构，该凸起部分连接到顶电极层的顶表面并且该凹入部分在凸起部分之间容纳该绝缘结构。
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公开(公告)号：CN103325806B
公开(公告)日：2017-05-03
申请号：CN201210532366.4
申请日：2012-12-11
申请人： 爱思开海力士有限公司
CPC分类号： H01L45/04 , H01L27/249 , H01L45/06 , H01L45/08 , H01L45/085 , H01L45/1226 , H01L45/144 , H01L45/145 , H01L45/146 , H01L45/147
摘要： 本发明公开了一种可变电阻存储器件及其制造方法，所述可变电阻存储器件包括：有源区，所述有源区在半导体衬底中由隔离层限定；半导体衬底中的沟槽，所述沟槽沿与有源区相交叉的方向延伸；结区，所述结区形成在位于沟槽两侧的有源区中；以及可变电阻图案，所述可变电阻图案插入在字线与结区之间。
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公开(公告)号：CN103545276B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201310289922.4
申请日：2013-07-11
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L23/48 , H01L21/768
CPC分类号： H01L27/11582 , H01L23/5384 , H01L27/11556 , H01L27/11565 , H01L27/2409 , H01L27/2481 , H01L27/249 , H01L29/7827 , H01L45/04 , H01L45/06 , H01L45/1226 , H01L45/144 , H01L45/146 , H01L45/147 , H01L45/148 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明提供了一种半导体装置及其制造方法，所述半导体装置包括交替并竖直地堆叠在基板上的多个第一绝缘层和多个第二层。所述多个第二层中的每个第二层包括通过第二绝缘层水平分离的水平电极。接触塞贯穿所述多个第一绝缘层和所述多个第二层中的第二绝缘层。
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公开(公告)号：CN103855300B
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201210513905.X
申请日：2012-12-04
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有 , 限公司
CPC分类号： H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/124 , H01L45/1253 , H01L45/144 , H01L45/1683
摘要： 一种相变存储器及其形成方法，其中所述相变存储器的形成方法包括：提供半导体衬底、位于半导体衬底表面的第一介质层，位于所述半导体衬底表面、第一介质层内的环形电极，所述环形电极上表面与所述第一介质层表面齐平，且所述第一介质层填充所述环形电极内部；形成覆盖所述第一介质层和环形电极的第二介质层；在所述第二介质层内形成第一开口，所述第一开口暴露部分所述环形电极上表面；在所述第一开口内形成相变层。本发明相变存储器的形成方法，环形电极和相变层的接触面积小于环形电极的顶表面的面积，相变存储器操作功耗低。
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公开(公告)号：CN103918070B
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201280053239.4
申请日：2012-10-30
申请人： 圆益IPS股份有限公司
IPC分类号： H01L45/00 , H01L27/115
CPC分类号： H01L45/1616 , C23C16/50 , C23C16/52 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/148 , H01L45/16
摘要： 的基板面沉积相变层。本发明涉及沉积相变存储器(PRAM)的相变层的基板处理装置及其处理方法，是制造沉积特性优秀的相变层的基板处理装置及基板处理方法。本发明的实施形态为，根据制造相变存储器的基板处理方法，包括：在形成图案的基板形成下部电极的过程；通过所述形成下部电极的过程，清除在基板表面生成或残留的杂质的表面处理过程；与对所述清除杂质的基板表面执行氮化处理的过程；在所述下部电极上按顺序沉积相变层及上部电极的过程。另外，本发明的实施形态的基板处理装置，包括：装载锁定腔室，装载及卸载多个基板，在大气状态与真空状态之间变换；真空移送腔室，内部维持真空状态由多角面形态构成，在多个面中的一面结合所述装载锁定腔室，具有为了移送基板的基板移送机器人；氮化处理腔室，结合于所述真空移送腔室的多个面中的一面，将形成下部电极的基板表面进行氮化处
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公开(公告)号：CN106415869A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201580004920.3
申请日：2015-02-18
申请人： 密克罗奇普技术公司
IPC分类号： H01L45/00
CPC分类号： H01L45/1273 , H01L27/2463 , H01L45/08 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/142 , H01L45/144 , H01L45/145 , H01L45/146 , H01L45/16 , H01L45/1608 , H01L45/1675 , H01L45/00
摘要： 本发明揭示了一种形成电阻式存储器单元(例如CBRAM或ReRAM单元)的方法，其可包含：形成多个底部电极连接件(302)；将底部电极层以移除所述底部电极层的部分，以使至少一个指向上底部电极区域(340)形成于所述底部电极连接件上方，每一指向上底部电极区域界定底部电极尖端；及使电解质区域(350)及顶部电极(352)形成于每一底部电极尖端上，使得所述电解质区域布置于所述顶部电极与所述相应底部电极顶部之间。(310)沉积于所述底部电极连接件上；执行蚀刻
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