相机模块、图像处理系统和图像压缩方法

    公开(公告)号:CN113949879A

    公开(公告)日:2022-01-18

    申请号:CN202110802432.4

    申请日:2021-07-15

    Abstract: 提供了一种图像压缩相机模块、一种图像处理系统和一种压缩形成图像数据的多个像素组中的每一个的方法。所述方法包括:检测像素组中的多个像素中的坏像素;产生指示关于所述坏像素的位置信息的标示;计算所述多个像素中的除所述坏像素之外的像素的像素值与参考像素值之间的第一差;以及产生包括所述标示和所述第一差的比特流。

    使用饱和像素的图像压缩方法、编码器和电子装置

    公开(公告)号:CN113949878A

    公开(公告)日:2022-01-18

    申请号:CN202110794817.0

    申请日:2021-07-14

    Abstract: 提供了一种用于压缩由图像传感器生成的图像数据的图像压缩方法,该图像压缩方法包括:检测图像数据中包括的像素组中包括的多个像素中的饱和像素,饱和像素具有超过阈值的像素值,并且多个像素彼此相邻并且彼此具有相同的颜色;生成指示饱和像素的位置的饱和标志;通过将参考像素与像素组中包括的多个像素中的至少一个非饱和像素进行比较来压缩图像数据;以及输出包括饱和标志、压缩结果和压缩方法的比特流。

    半导体封装件
    24.
    发明公开
    半导体封装件 审中-实审

    公开(公告)号:CN113921507A

    公开(公告)日:2022-01-11

    申请号:CN202110289212.6

    申请日:2021-03-18

    Inventor: 崔允硕

    Abstract: 公开了一种半导体封装件,所述半导体封装件包括:上基底,具有彼此背对的第一表面和第二表面;半导体芯片,位于上基底的第一表面上;缓冲层,位于上基底的第二表面上;模制层,位于上基底的第二表面与缓冲层之间;多个贯穿电极,穿透上基底和模制层;互连层,位于上基底的第一表面与半导体芯片之间,并且被构造为将半导体芯片电连接到多个贯穿电极;以及多个凸块,设置在缓冲层上,与模制层间隔开,并且电连接到多个贯穿电极。模制层包括热膨胀系数大于上基底的热膨胀系数的绝缘材料。

    半导体存储器件及其制造方法
    26.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113410235A

    公开(公告)日:2021-09-17

    申请号:CN202110288110.2

    申请日:2021-03-17

    Abstract: 本申请提供了一种半导体存储器件及其制造方法,半导体存储器件包括:第一杂质区和第二杂质区,在半导体衬底中间隔开;位线,电连接到第一杂质区;存储节点接触部,电连接到第二杂质区;气隙,在位线与存储节点接触部之间;着落焊盘,电连接到存储节点接触部;掩埋介电图案,在着落焊盘的侧壁上且在气隙上;以及间隔物封盖图案,在掩埋介电图案与气隙之间。

    图像传感器和图像处理系统

    公开(公告)号:CN112243090A

    公开(公告)日:2021-01-19

    申请号:CN202010668078.6

    申请日:2020-07-13

    Abstract: 公开了图像传感器和图像处理系统。所述图像传感器包括:感测单元,被配置为:生成针对同一对象具有不同亮度的多个图像;预处理器,被配置为:将除了所述多个图像中的至少一个图像之外的n个图像(n是等于或大于2的自然数)合并以生成合并图像;以及接口电路,被配置为:将所述至少一个图像和合并图像输出到外部处理器。

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