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公开(公告)号：CN105185784B
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：CN201510684447.X
申请日：2010-12-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11551 , H01L27/11578
CPC classification number: H01L23/3157 , H01L21/76816 , H01L23/291 , H01L23/528 , H01L27/11519 , H01L27/11521 , H01L27/11551 , H01L27/11556 , H01L27/11565 , H01L27/11568 , H01L27/11578 , H01L27/11582 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种三维半导体器件。该三维半导体器件可包括：模结构，具有间隙区；以及互连结构，包括设置在间隙区中的多个互连图案。该模结构可包括限定互连图案的上表面和下表面的层间模以及限定低于层间模的互连图案的侧壁的侧壁模。
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公开(公告)号：CN102623456A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201110461204.1
申请日：2011-12-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247 , G11C16/02
CPC classification number: G11C16/0483 , G11C5/025 , G11C5/063 , H01L27/11548 , H01L27/11556 , H01L27/11575 , H01L27/11582
Abstract: 本发明提供了一种具有参考特征的垂直非易失性存储装置。一种垂直非易失性存储装置具有在其中限定的单元阵列区的基底。虚设结构靠近单元阵列区的边界处设置在基底上或基底中。所述存储装置还包括多条垂直堆叠的栅极导电线并在栅极导电线之间设置有绝缘层，所述多条导电栅极线和设置的绝缘层与垂直沟道区侧向相邻地设置并横跨虚设结构延伸，导电栅极线和绝缘层中的至少最上面的一个在虚设结构的交叉处具有表面变形，所述表面变形被构造为用作参考特征。虚设结构可包括沟槽，并且表面变形可包括在沟槽上方的凹进。
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公开(公告)号：CN115915767A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202210742445.1
申请日：2022-06-27
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了半导体装置和包括半导体装置的电子系统。所述半导体装置可包括：基底，包括单元阵列区域和连接区域，单元阵列区域包括中心区域和外部区域；电极结构，包括电极和垫；垂直结构，在单元阵列区域上并穿透电极结构；以及分离绝缘图案，穿透作为电极中的一个的上电极，并将上电极分成沿与第一方向相交的第二方向布置的至少两个部分。分离绝缘图案包括第一部分和第二部分，第一部分在中心垂直结构中的至少一些之间，第二部分与第一部分间隔开，使得当在平面图中观察时，第二部分在外围垂直结构中的至少一些之间。
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公开(公告)号：CN115696918A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202210868073.7
申请日：2022-07-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00
Abstract: 提供一种半导体装置及包括其的数据存储系统，所述半导体装置包括衬底结构、堆叠结构、垂直存储结构、垂直虚设结构和上分隔图案，其中，当在高于所述上分隔图案的最下端的高度水平的第一高度水平的平面上观察时，所述虚设沟道层包括面对所述虚设数据存储层的第一虚设沟道区域和面对所述虚设数据存储层的第二虚设沟道区域，所述第一虚设沟道区域的厚度不同于所述第二虚设沟道区域的厚度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115589731A
公开(公告)日：2023-01-10
申请号：CN202210347357.1
申请日：2022-04-01
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了三维(3D)半导体存储器装置和包括其的电子系统。所述3D半导体存储器装置包括：基底；堆叠结构，包括交替地且重复地堆叠在基底上的层间介电层和栅电极；垂直沟道结构，穿透堆叠结构；分隔结构，与垂直沟道结构间隔开并且填充与堆叠结构交叉的沟槽，分隔结构包括间隔件和第一导电接触件，间隔件覆盖沟槽的内侧壁，第一导电接触件填充沟槽的被间隔件围绕的内空间；绝缘层，覆盖基底和堆叠结构；接触插塞，穿透绝缘层以连接到堆叠结构的栅电极；以及第二导电接触件，与堆叠结构间隔开并且穿透绝缘层以连接到外围电路晶体管。第一导电接触件的底表面位于比间隔件的底表面低的水平处。
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公开(公告)号：CN115084153A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210144610.3
申请日：2022-02-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11565 , H01L27/1157 , H01L27/11573 , H01L27/11575 , H01L27/11578
Abstract: 发明构思提供了半导体器件和包括其的电子系统。该半导体器件可以包括第一单元块和第二单元块，第一单元块包括第一电极结构和穿透第一电极结构的第一沟道，第一电极结构包括堆叠在基板上的第一电极，第二单元块包括第二电极结构和穿透第二电极结构的第二沟道，第二电极结构包括堆叠在基板上的第二电极。第一和第二电极结构可以在第一方向上延伸。第一电极结构可以在第二方向上具有第一宽度，第二电极结构可以具有大于第一宽度的第二宽度。第一电极结构的侧表面和与其相邻的第一沟道可以彼此间隔开第一距离，并且第二电极结构的侧表面和与其相邻的第二沟道可以彼此间隔开不同于第一距离的第二距离。
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公开(公告)号：CN103199082B
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：CN201310002147.X
申请日：2013-01-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/528 , H01L21/768
CPC classification number: H01L29/0657 , H01L27/0207 , H01L27/1157 , H01L27/11582
Abstract: 本发明提供一种半导体器件，该半导体器件包括设置在衬底上的第一和第二隔离图案。交替堆叠的层间绝缘图案和导电图案设置在衬底的表面上且在第一和第二隔离图案之间。支撑图案贯穿导电图案和层间绝缘图案，并具有比第一和第二隔离图案小的宽度。第一垂直结构设置在第一隔离图案和支撑图案之间并贯穿导电图案和层间绝缘图案。第二垂直结构设置在第二隔离图案和支撑图案之间并贯穿导电图案和层间绝缘图案。支撑图案的顶表面和底表面之间的距离大于支撑图案的底表面与衬底的表面之间的距离。
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公开(公告)号：CN105185784A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201510684447.X
申请日：2010-12-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/115
CPC classification number: H01L23/3157 , H01L21/76816 , H01L23/291 , H01L23/528 , H01L27/11519 , H01L27/11521 , H01L27/11551 , H01L27/11556 , H01L27/11565 , H01L27/11568 , H01L27/11578 , H01L27/11582 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种三维半导体器件。该三维半导体器件可包括：模结构，具有间隙区；以及互连结构，包括设置在间隙区中的多个互连图案。该模结构可包括限定互连图案的上表面和下表面的层间模以及限定低于层间模的互连图案的侧壁的侧壁模。
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公开(公告)号：CN103199082A
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201310002147.X
申请日：2013-01-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/528 , H01L21/768
CPC classification number: H01L29/0657 , H01L27/0207 , H01L27/1157 , H01L27/11582
Abstract: 本发明提供一种半导体器件，该半导体器件包括设置在衬底上的第一和第二隔离图案。交替堆叠的层间绝缘图案和导电图案设置在衬底的表面上且在第一和第二隔离图案之间。支撑图案贯穿导电图案和层间绝缘图案，并具有比第一和第二隔离图案小的宽度。第一垂直结构设置在第一隔离图案和支撑图案之间并贯穿导电图案和层间绝缘图案。第二垂直结构设置在第二隔离图案和支撑图案之间并贯穿导电图案和层间绝缘图案。支撑图案的顶表面和底表面之间的距离大于支撑图案的底表面与衬底的表面之间的距离。
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