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公开(公告)号：CN102184830B
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN201110071585.2
申请日：2005-07-29
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01J37/32
摘要： 本发明提供一种等离子体处理装置和方法，能够提高晶片面内的蚀刻处理的均匀性。相对于与供给等离子体生成用的高频电力的下部电极3相对的上部电极(4)来设置电气特性调整部(20)。电气特性调整部(20)可以进行调整，使得相对于向下部电极3供给的高频电力的频率的、从等离子体(P)看到的上部电极(4)一侧的电路的阻抗，使该电路不发生共振。在进行蚀刻处理时，通过调整，使得所述阻抗从共振点错开，以提高蚀刻处理的面内均匀性。
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公开(公告)号：CN101552187B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200910129589.4
申请日：2009-03-31
申请人： 东京毅力科创株式会社
发明人： 舆水地盐
IPC分类号： H01L21/00 , H01L21/3065 , H01L21/311 , H01L21/20 , H05H1/24
CPC分类号： H01J37/32165 , H01J37/32091
摘要： 本发明提供等离子体处理装置和等离子体处理方法。在周期性地对在等离子体处理中使用的高频的功率进行调制的方式中，尽可能地减少等离子体阻抗的变动和向高频电源的反射，保证等离子体的稳定性、再现性以及高频电源的安全保护。在该等离子体处理装置中，不仅以与处理相应的特性对偏压控制用高频(LF)的功率进行频率调制，还与LF功率的脉冲调制同步地对其频率(LF频率)进行脉冲调制。即，使LF功率与LF频率之间在1个周期内具有如下的同步关系，在LF功率维持H电平的设定值PA的期间TA的时段内，LF频率也维持H电平的设定值FA，在LF功率维持L电平的设定值PB的期间TB的时段内，LF频率也维持L电平的设定值FB。
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公开(公告)号：CN102235852A
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN201110079179.0
申请日：2011-03-29
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： G01B11/06
CPC分类号： G01B9/02021 , G01B9/02019 , G01B9/02028 , G01B9/02071 , G01B9/0209 , G01B11/06 , G01B11/0675
摘要： 本发明提供能够在所期望的时机测量耗材的消耗量的消耗量测量方法。对具有暴露在等离子体中的上表面(25a)及与基座(12)相对的下表面(25b)的聚焦环(25)的消耗量进行测量时，将具有与基座相对的下表面(57b)及与聚焦环相对的上表面(57a)的基准片(57)与聚焦环热耦合，与上表面(25a)及下表面(25b)垂直地向聚焦环照射低相干光并计测低相干光的沿厚度方向在聚焦环内往返的第1光路长度，与上表面(57a)及下表面(57b)垂直地向基准片(57)照射低相干光并计测低相干光的沿厚度方向在基准片(57)内往返的第2光路长度，基于第1光路长度与第2光路长度的比率算出聚焦环的消耗量。
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公开(公告)号：CN102157372A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN201110092752.1
申请日：2005-06-21
申请人： 东京毅力科创株式会社
发明人： 舆石公 , 杉本胜 , 日向邦彦 , 小林典之 , 舆水地盐 , 大谷龙二 , 吉备和雄 , 齐藤昌司 , 松本直树 , 大矢欣伸 , 岩田学 , 矢野大介 , 山泽阳平 , 花冈秀敏 , 速水利泰 , 山崎广树 , 佐藤学
IPC分类号： H01L21/3065 , H01J37/32
CPC分类号： H01L21/31116 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J37/32532 , H01J2237/3342 , H01L21/31138
摘要： 本发明提供一种在上部电极(34)和下部电极(16)之间生成处理气体的等离子体、对晶片(W)进行等离子体蚀刻的等离子体蚀刻装置，该等离子体蚀刻装置还包括向上部电极(34)施加直流电压的可变直流电源(50)，其施加直流电压，使得上部电极(34)表面的自偏压Vdc的绝对值增大至可得到对该表面的适度的溅射效果的程度，并且使得上部电极(34)的等离子体鞘的厚度增厚至可形成期望的缩小的等离子体的程度。
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公开(公告)号：CN1983518B
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：CN200710004237.7
申请日：2005-06-21
申请人： 东京毅力科创株式会社
发明人： 舆石公 , 日向邦彦 , 大谷龙二 , 松本直树 , 矢野大介 , 速水利泰 , 杉本胜 , 小林典之 , 吉备和雄 , 大矢欣伸 , 山泽阳平 , 山崎广树 , 舆水地盐 , 齐藤昌司 , 岩田学 , 花冈秀敏 , 佐藤学
IPC分类号： H01L21/00 , H01L21/3065 , H01L21/311 , H01J37/32 , H05H1/00
摘要： 本发明提供一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：收容被处理基板，能够进行真空排气的处理容器；在处理容器内相对配置的第一电极和支承被处理基板的第二电极；向所述第二电极施加频率相对较高的第一高频电力的第一高频电力施加单元；向所述第二电极施加频率相对较低的第二高频电力的第二高频电力施加单元；向所述第一电极施加直流电压的直流电源；和向所述处理容器内供给处理气体的处理气体供给单元。
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公开(公告)号：CN101483138A
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：CN200910003005.9
申请日：2006-09-30
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/683 , G05D23/00
摘要： 本发明提供可提高半导体器件的成品率的基板处理装置。作为基板处理装置的等离子体处理装置(10)具有静电吸附载置的晶片(W)的载置台(35)。等离子体处理装置(10)与测定晶片(W)的温度的温度测定装置(200)、和直接或间接地进行晶片(W)的温度调节使根据预先设定的参数与目标温度实质上相等的控制装置(400)连接。控制装置(400)根据所测定的温度，自动地控制晶片(W)的温度。
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公开(公告)号：CN101160014A
公开(公告)日：2008-04-09
申请号：CN200710182349.1
申请日：2003-07-11
申请人： 东京毅力科创株式会社
摘要： 一种使用等离子体来对被处理基板实施等离子体处理的装置，包含在处理室内相互对向的第一及第二电极。在第一和第二电极间，形成激励并等离子体化处理气体的RF电场。RF电源经匹配电路连接于第一及第二电极，提供RF电力。匹配电路自动进行输入阻抗相对RF电力的匹配。可变阻抗设定部经布线连接于在与等离子体电耦合的规定部件上。阻抗设定部设定作为与从等离子体输入规定部件的RF分量对应的阻抗的反方向阻抗。配置控制部，向阻抗设定部提供关于反方向阻抗设定值的控制信号。
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公开(公告)号：CN101047114A
公开(公告)日：2007-10-03
申请号：CN200710091350.3
申请日：2007-03-30
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/00 , H01L21/67 , H01L21/3065 , H01L21/205 , H01L21/311 , H01L21/31 , C23C16/50 , C23C16/505 , C23C16/513 , C23F4/00 , H01J37/32 , H01J37/00 , H05H1/00 , H05H1/46
CPC分类号： H01J37/32174 , H01J37/32091 , H01J37/32165
摘要： 本发明涉及等离子体处理装置和等离子体处理方法。根据本发明，在双频重叠施加方式的电容结合型中，充分地防止和控制在另外一方的相对电极上形成的不期望的膜，同时任意地控制等离子体的密度的空间的分布特性。在下部电极的基座(16)上载置被处理基板(W)，从高频电源(30)施加等离子体生成用的第一高频，施加来自高频电源(70)的离子引入用的第二高频。在基座(16)的上方与其平行地相对地配置的上部电极(34)通过环状的绝缘体(35)安装在腔室(10)内。上部电极(34)通过棒状的电感器(54)以及导线(56)连接到接地电位(通常是到腔室10中)。
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公开(公告)号：CN1983518A
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：CN200710004237.7
申请日：2005-06-21
申请人： 东京毅力科创株式会社
发明人： 舆石公 , 日向邦彦 , 大谷龙二 , 松本直树 , 矢野大介 , 速水利泰 , 杉本胜 , 小林典之 , 吉备和雄 , 大矢欣伸 , 山泽阳平 , 山崎广树 , 舆水地盐 , 齐藤昌司 , 岩田学 , 花冈秀敏 , 佐藤学
IPC分类号： H01L21/00 , H01L21/3065 , H01L21/311 , H01J37/32 , H05H1/00
摘要： 本发明提供一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：收容被处理基板，能够进行真空排气的处理容器；在处理容器内相对配置的第一电极和支承被处理基板的第二电极；向所述第二电极施加频率相对较高的第一高频电力的第一高频电力施加单元；向所述第二电极施加频率相对较低的第二高频电力的第二高频电力施加单元；向所述第一电极施加直流电压的直流电源；和向所述处理容器内供给处理气体的处理气体供给单元。
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公开(公告)号：CN1842242A
公开(公告)日：2006-10-04
申请号：CN200610066499.1
申请日：2006-03-31
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H05H1/46 , H01J37/32 , H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/32091 , H01J37/32082 , H01J37/32174
摘要： 本发明提供除高频电力之外，以施加直流电压的电容结合型等离子体处理装置为前提，可以得到良好的等离子体的等离子体处理装置和等离子体处理方法。在腔室(10)内相对配置的上部电极(34)和下部电极(16)之间形成处理气体的等离子体，在晶片(W)上进行等离子体蚀刻的等离子体蚀刻装置中，具有将高频电力供给到上部电极(34)，用于形成等离子体的高频电源(48)；将直流电压施加到上部电极(34)的直流电源(50)和控制高频电源(48)与可变直流电源(50)的控制部(95)。控制部(95)进行控制，使得在开始从高频电源(18)供电的时刻或其后，使从可变直流电源(50)施加的电压成设定值。
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