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公开(公告)号：CN115377005A
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202210850702.3
申请日：2022-07-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L27/11517 , H01L27/11521
Abstract: 一种半导体装置、其制造方法与使用其的感测方法，半导体装置包含半导体鳍、隔离结构、栅极结构、源极/漏极结构、感测触点、感测垫结构及读取触点。半导体鳍包含通道区及位于通道区相对两侧的源极/漏极区。隔离结构横向围绕半导体鳍。栅极结构位于半导体鳍的通道区上方。源极/漏极结构分别位于半导体鳍的源极/漏极区上方。感测触点位于隔离结构正上方且与栅极结构相邻。感测垫结构连接至感测触点。读取触点位于隔离结构正上方且与栅极结构相邻。
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公开(公告)号：CN114594658A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202210112360.5
申请日：2022-01-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 揭示一种半导体制造设备及制造半导体装置的方法。在一个态样中，设备包括：一支持器，支持器用以放置一基板；及一辐射源，辐射源用于提供辐射以将一图案转移至基板上。设备亦包括多个感测装置，感测装置用以在不存在基板时基于辐射的强度提供一参考信号。设备进一步包括一控制器，控制器能够操作地耦接至感测装置，控制器用以基于参考信号调整辐射的强度。
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公开(公告)号：CN105372944B
公开(公告)日：2017-12-19
申请号：CN201410829755.2
申请日：2014-12-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: H01J37/3177 , H01J37/045 , H01J37/10 , H01J37/12 , H01J37/20 , H01J2237/0435 , H01J2237/1205
Abstract: 本发明公开了用于带电粒子多束光刻系统的装置。该装置包括多个带电粒子双合透镜，每个双合透镜均具有第一孔径并且均配置为缩小入射在第一孔径上的细光束，从而产生缩小的细光束。该装置还包括多个带电粒子透镜，每个带电粒子透镜均与带电粒子双合透镜中的一个相关，每个带电粒子透镜均具有第二孔径，并且每个带电粒子透镜均配置为从相关的带电粒子双合透镜接受缩小的细光束并且实现以下两种状态中的一种：开启状态，其中允许缩小的细光束沿着期望的路径传输，以及关闭状态，其中阻止缩小的细光束沿着期望的路径传输。在实施例中，第一孔径大于第二孔径，从而改进带电粒子多束光刻系统中的粒子束效率。
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公开(公告)号：CN103454853B
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201210451288.5
申请日：2012-11-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F1/78 , G03F1/56 , H01L21/027 , H01L21/311
CPC classification number: G03F1/56 , G03F1/78 , G03F7/2063 , H01L21/0276 , H01L21/0277
Abstract: 一种用于电子束图案化的方法，包括：在衬底上形成导电材料层；在导电材料层上形成底部抗反射涂覆(BARC)层；在BARC层上形成抗蚀剂层；以及将电子束(电子束)引导至感光抗蚀剂层以用于电子束图案化工艺。设计BARC层，使得在电子束图案化工艺期间抗蚀剂层的顶部电势基本为零。
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公开(公告)号：CN105205201A
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：CN201510344663.X
申请日：2015-06-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G03F1/36 , G06F17/5068 , G06F17/5072 , G06F2217/12 , H01L21/76229 , H01L27/0203 , H01L27/0207
Abstract: 本发明提供了集成电路(IC)方法的实施例，该方法包括接收IC设计布局，IC设计布局具有多个主要部件和多个空间块。该IC方法也包括计算最优化的块伪密度比率r0以使图案密度均匀性(UPD)最优化，确定目标块伪密度比率R，确定不可印刷的伪部件的尺寸、节距和类型，生成不可印刷的伪部件的图案以及将不可印刷的伪部件添加在IC设计布局中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103454853A
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201210451288.5
申请日：2012-11-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F1/78 , G03F1/56 , H01L21/027 , H01L21/311
CPC classification number: G03F1/56 , G03F1/78 , G03F7/2063 , H01L21/0276 , H01L21/0277
Abstract: 一种用于电子束图案化的方法，包括：在衬底上形成导电材料层；在导电材料层上形成底部抗反射涂覆(BARC)层；在BARC层上形成抗蚀剂层；以及将电子束(电子束)引导至感光抗蚀剂层以用于电子束图案化工艺。设计BARC层，使得在电子束图案化工艺期间抗蚀剂层的顶部电势基本为零。
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公开(公告)号：CN101354527B
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：CN200810135751.9
申请日：2008-07-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F1/64
CPC classification number: G03F1/64
Abstract: 本发明提供一种用于微影图案化工艺的光掩模保护膜系统和集成电路的制造方法，系统包括透明基板；预定义图案形成于其上；保护膜靠近于透明基板；保护膜框架固定保护膜包括一延伸部分以保护吸震物微影工艺时不受辐射能影响；吸震物附着至保护膜框架且黏性附着至透明基板设计以降低透明基板压力。方法包括提供基板其上具有辐射能感应镀膜；提供光掩模保护膜系统包括光掩模其上具有图案；保护膜框架设置于光掩模和保护膜间且固定保护膜，包括一延伸部分以保护吸震物微影工艺时不受辐射能影响；吸震物设置于保护膜框架和光掩模间且黏性附着至光掩模降低光掩模压力；微影工艺中用光掩模在基板上形成集成电路图案。
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公开(公告)号：CN101846885B
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN200910168480.1
申请日：2009-08-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70275 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F7/70291 , G03F7/70508 , H01J37/3177 , H01J2237/31762
Abstract: 本发明提供一种无掩膜光刻设备及图案化多个基材的方法。此设备包括多个写入腔室，每一写入腔室包括：一晶圆座，用以固持一待写入晶圆；以及一多波束模块，用以提供多道辐射束以对该晶圆进行写入；一接口，可在每一该些写入腔室与一阻剂涂布显影机之间传输该晶圆，以处理该晶圆的一影像层；以及一数据路径，可提供一组电路图案数据给每一该些写入腔室中该多道辐射束中的每一道辐射束。
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公开(公告)号：CN102420215A
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN201110294592.9
申请日：2011-09-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/544 , H01L21/308
CPC classification number: H01L23/544 , G03F1/42 , G03F9/7076 , H01L21/0337 , H01L21/0338 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种具有多个亚分辨率元件的对准标记。每个亚分辨率元件具有小于能被对准工艺中的对准信号检测到的最小分辨率的尺寸。也提供了一种其上具有第一、第二和第三图案的半导体晶圆。第一和第二图案在第一方向上延伸，以及第三图案在垂直于第一方向的第二方向上延伸。通过在第二方向上测量的第一距离将第二图案与第一图案分离。通过在第一方向上测量的第二距离将第三图案与所第一图案分离。通过在第一方向上测量的第三距离将第三图案与第二图案分离。第一距离约等于第三距离。第二距离小于第一距离的两倍。本发明同样涉及了一种多边缘的图案化。
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公开(公告)号：CN1904726B
公开(公告)日：2011-03-09
申请号：CN200610090053.2
申请日：2006-06-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G03F1/36
Abstract: 本发明是有关于一种产生光罩图案的方法和系统，此方法包括利用复数个像素来表示光罩图案，其中每一像素具有一光罩透明度系数。初始化一控制参数，并产生此光罩图案的一代表。此方法透过一成本函数和一波兹曼几率函数(Boltzmann Probability Function)来决定是否接受光罩图案的代表，其中成本函数与光罩图案和目标基材图案有关，而波兹曼几率函数与成本函数及控制参数有关。重复产生光罩图案的代表的步骤和决定光罩图案的代表的接受步骤，直至稳定光罩图案。根据退火程序减少此控制参数。重复产生光罩图案的代表的步骤、决定步骤、重做步骤、和减少控制参数的步骤，直至最佳化此光罩图案。
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