功率模块结构
    22.
    发明授权

    公开(公告)号:CN110739294B

    公开(公告)日:2021-03-16

    申请号:CN201910323836.8

    申请日:2019-04-22

    Abstract: 本发明提供一种功率模块结构,该功率模块结构包括第一金属层、第二金属层、第三金属层、第四金属层、第一开关和第二开关;第一金属层和第三金属层分别设置于第一参考平面和第二参考平面,其中,所述第一金属层和所述第三金属层在所述第一参考平面或所述第二参考平面上的投影有第一重叠区域,且流经所述第一金属层的电流与流经所述第三金属层的电流方向相反。通过采用本发明的功率模块结构,很好地实现了电感的抵消,降低了模组的寄生电感。

    多芯片封装功率模块
    24.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111415909A

    公开(公告)日:2020-07-14

    申请号:CN201910013074.1

    申请日:2019-01-07

    Abstract: 本发明提供一种多芯片封装功率模块,其包括:多个芯片,包括相邻设置的第一芯片和第二芯片;第一导电件,至少部分设置于所述第一芯片和所述第二芯片之间;以及第二导电件,至少部分设置于所述第一芯片和所述第二芯片之间,其中,所述第一导电件电连接所述第一芯片的功率端,所述第二导电件电连接所述第二芯片的功率端,且所述多个芯片、所述第一导电件和所述第二导电件均埋设于绝缘封装料中。本发明提供的多芯片封装功率模块,芯片的功率输出电流可以直接通过导电件从相对的两侧引出,使得路径对称,从而减少电路阻抗,提升效率和输出电流的能力。

    功率模块及其制备方法
    25.
    发明授权

    公开(公告)号:CN108417501B

    公开(公告)日:2020-03-24

    申请号:CN201810178717.3

    申请日:2018-03-05

    Abstract: 本发明提供一种功率模块及其制作方法,其中,制作方法是使用上表面和下表面均为平面的金属基板与连接基板进行高温连接,以使在高温冷却到低温的过程中,该金属基板的上表面和下表面朝向连接基板方向弯曲变形以分别形成向连接基板方向凸出的曲面,然后再将形成为曲面的下表面加工成平面。也即是说,本发明提供的功率模块,其金属基板的上表面为向连接基板方向凸出的曲面,而其下表面为平面。本发明的功率模块及其制作方法,相比于现有技术而言,位于金属基板的上表面和连接基板的下表面之间的第二焊料层具有更大的平均边缘厚度,从而降低了第二焊料层边缘所承受的热应力大小,继而在功率模块具有良好散热性能的基础上提高了功率模块的可靠性。

    封装结构及其制造方法
    26.
    发明授权

    公开(公告)号:CN106684076B

    公开(公告)日:2019-09-06

    申请号:CN201510746327.8

    申请日:2015-11-05

    Inventor: 鲁凯 赵振清 王涛

    Abstract: 本发明公开了一种封装结构及其制造方法。该封装结构包含一第一载板、一第二载板、一引导组件及一封装体;第一载板的一第一上表面上设置至少一功率器件;第二载板设置于第一上表面上,且包含一驱动电路组件及至少一贯穿孔,其中驱动电路组件设置于第二载板的一第二上表面上,用以驱动功率器件,贯穿孔与功率器件相对应设置,当第二载板设置于第一上表面上时,贯穿孔供功率器件穿设;导引组件与第一载板及/或第二载板组接;封装体包覆第一载板、第二载板、部份导引组件,且导引组件部份外露于封装体。本发明的封装结构具备较小尺寸及较佳散热效率的优势,减少线路阻抗及寄生参数。

    功率模块及其制备方法
    27.
    发明公开

    公开(公告)号:CN108417501A

    公开(公告)日:2018-08-17

    申请号:CN201810178717.3

    申请日:2018-03-05

    Abstract: 本发明提供一种功率模块及其制作方法,其中,制作方法是使用上表面和下表面均为平面的金属基板与连接基板进行高温连接,以使在高温冷却到低温的过程中,该金属基板的上表面和下表面朝向连接基板方向弯曲变形以分别形成向连接基板方向凸出的曲面,然后再将形成为曲面的下表面加工成平面。也即是说,本发明提供的功率模块,其金属基板的上表面为向连接基板方向凸出的曲面,而其下表面为平面。本发明的功率模块及其制作方法,相比于现有技术而言,位于金属基板的上表面和连接基板的下表面之间的第二焊料层具有更大的平均边缘厚度,从而降低了第二焊料层边缘所承受的热应力大小,继而在功率模块具有良好散热性能的基础上提高了功率模块的可靠性。

    多功率芯片的功率封装模块及功率芯片单元的制造方法

    公开(公告)号:CN106486458B

    公开(公告)日:2019-03-15

    申请号:CN201510548984.1

    申请日:2015-08-31

    Abstract: 本发明公开了多功率芯片的功率封装模块及功率芯片单元的制造方法,多功率芯片的功率封装模块包括功率芯片单元,包括至少两个并行设置的功率芯片和连接两个功率芯片的连接体;基板,承载功率芯片单元,基板包括金属层,金属层与功率芯片单元电性连接;密封层,将安置于基板上的功率芯片单元与周边环境隔离,实现功率芯片单元的密封;连接体和密封层的材料各为不同的绝缘材料,两个并行设置的功率芯片之间的间隔小于等于预设宽度,连接体填充于间隔之中连接且绝缘两个并行设置的功率芯片。在封装过程中可以一次贴装多个芯片,提高贴装效率,而且缩短功率芯片间距,减小功率芯片之间的寄生电感,利于降低芯片的最大结温,提高功率封装模块的可靠性。

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