公开(公告)号：CN101197572B

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN200710196068.1

申请日：2007-11-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 加藤清 ,  松崎隆德

IPC: H03L7/08 ,  H03L7/18 ,  H04L7/033

CPC classification number: H03L7/0995 ,  H03L7/093 ,  H03L7/107 ,  H03L7/18

Abstract: 本发明的目的在于提供工作范围广的PLL。而且，本发明的目的还在于通过内置有这种PLL，来提供从通讯距离和温度的方面来看工作范围广的半导体器件或无线芯片。本发明是一种半导体器件或一种无线芯片，其包括：第一分频电路；第二分频电路；接收第一分频电路的输出及第二分频电路的输出的相位比较电路；接收相位比较电路的输出并且按照被输入的信号转换时间常数的环路滤波器；以及接收环路滤波器的输出并且向第二分频电路提供输出的电压控制振荡电路。

公开(公告)号：CN102804360A

公开(公告)日：2012-11-28

申请号：CN201080059256.X

申请日：2010-12-03

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  小山润 ,  加藤清

IPC: H01L21/8242 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L27/10 ,  H01L27/108 ,  H01L27/115 ,  H01L29/786 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

CPC classification number: H01L27/1052 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/003 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/105 ,  H01L27/108 ,  H01L27/11 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/1156 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1255 ,  H01L28/40 ,  H01L29/24 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明的一个实施例的目的在于提供一种在数据存储期间中即使当没有电力供给时也可以存储所存储数据且对写入次数没有制限的新颖结构的半导体装置。该半导体装置包括：包含使用氧化物半导体以外的半导体材料的第一沟道形成区域的第一晶体管；包含使用氧化物半导体材料的第二沟道形成区域的第二晶体管；以及电容器，其中，第二晶体管的第二源电极和第二漏电极中的一个与电容器的一个电极电连接。

公开(公告)号：CN101221628B

公开(公告)日：2012-10-10

申请号：CN200710305406.0

申请日：2007-12-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 加藤清 ,  古谷一马

IPC: G06K19/077

CPC classification number: H02J50/00 ,  H02J7/022 ,  H02J7/025 ,  H02J17/00

Abstract: 本发明的目的在于提供一种半导体装置，其中即使在通讯距离极短时半导体装置也可以正常工作，并且当接收大电力时蓄积半导体装置的电路工作而不需要的电力。本发明的半导体装置包括：天线；与天线连接的第一AC/DC转换电路；与天线通过开关元件连接的第二AC/DC转换电路；对应于从第一AC/DC转换电路输出的电压值而控制开关元件的工作的检测电路；以及蓄积从天线通过第二AC/DC转换电路供应的电力的电池。当开关元件工作时，从外部供应的电力的至少一部分通过第二AC/DC转换电路供应到电池。

公开(公告)号：CN102714180A

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN201080057883.X

申请日：2010-11-16

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 加藤清 ,  小山润

IPC: H01L21/8242 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/08 ,  H01L27/088 ,  H01L27/10 ,  H01L27/108 ,  H01L29/786

CPC classification number: H03K3/037 ,  G11C11/24 ,  G11C14/0054 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/105 ,  H01L27/1207 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1255 ,  H01L29/045 ,  H01L29/7869 ,  H03K19/173

Abstract: 为了提供新的非易失性锁存电路以及使用非易失性锁存电路的半导体器件，非易失性锁存电路包括：锁存部分，具有循环结构，其中第一元件的输出电连接到第二元件的输入，并且第二元件的输出电连接到第一元件的输入；以及数据保存部分，配置成保存锁存部分的数据。在数据保存部分中，将使用氧化物半导体作为用于形成沟道形成区的半导体材料的晶体管用作开关元件。另外，包括电连接到晶体管的源电极或漏电极的电容器。

公开(公告)号：CN1971913B

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN200610163750.6

申请日：2006-11-24

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 斋藤利彦 ,  加藤清 ,  佐藤岳尚

IPC: H01L27/02 ,  H01L23/485 ,  H01L23/522 ,  G06K19/077

CPC classification number: H01Q1/38 ,  H01L2924/0002 ,  H01Q1/2283 ,  H01Q23/00 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的是在具有薄膜的无线芯片中，解决当加压接合天线时的问题。本发明的技术要点如下：形成由薄膜构成的无线芯片，特别是，在无线芯片内包括具有有机化合物层的存储区域，并将在存储区域和焊盘之间的距离设定为预定值或更大。结果，可以进行数据写入，而不受到当加压接合天线时的应力或热的影响。可以将玻璃衬底或硅片用于设置有无线芯片的衬底。

公开(公告)号：CN102282523A

公开(公告)日：2011-12-14

申请号：CN200980154959.8

申请日：2009-12-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 井上广树 ,  加藤清 ,  长塚修平 ,  镰田康一郎 ,  村川努 ,  辻隆博 ,  井加田香

IPC: G05F1/56 ,  G06K19/07

CPC classification number: G05F3/16 ,  G05F1/56 ,  G05F3/242

Abstract: 本发明的目的是提供噪声容限有改善的调节器电路。在调节器电路中包括：偏置电路，其基于第一电源端子和第二电源端子之间的电位差生成基准电压；以及电压调节器，其基于从偏置电路输入的基准电位向输出端子输出电位。旁路电容器被设置在电源端子与连接至包含在偏置电路中的晶体管的栅极的节点之间。

公开(公告)号：CN102142443A

公开(公告)日：2011-08-03

申请号：CN201010620964.8

申请日：2007-02-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 高野圭惠 ,  加藤清 ,  桑原秀明

IPC: H01L27/105 ,  G11C13/00 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/112 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L27/12 ,  B82Y10/00 ,  G11C11/5664 ,  G11C13/0014 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/1266 ,  H01L27/13 ,  H01L51/0595

Abstract: 半导体装置以及其制造方法提供处理技术较简单且可以以少元件存储多值数据的新的存储器。通过使在第一存储元件中的第一电极的形状的一部分与在第二存储元件中的第一电极的形状不同，使第一电极与第二电极之间的电阻变化的电压值不同，来在一个存储单元中进行存储超过一位的多值信息。通过部分地加工第一电极，可以增加每单位面积的存储容量。

公开(公告)号：CN1697187B

公开(公告)日：2011-05-04

申请号：CN200410094239.6

申请日：2004-12-17

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 加藤清

IPC: H01L27/12 ,  H01L23/532 ,  H01L23/50 ,  B42D15/10 ,  G06F17/60 ,  G06K19/07 ,  G07D7/02 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L27/112 ,  H01L21/76892 ,  H01L21/76894 ,  H01L21/76895 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11253 ,  H01L27/11293 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1266 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1292 ,  H01L27/13 ,  H01L29/78624 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供了一种具有增加的冲击阻力、有吸引力的设计和减少的成本的芯片，及其制造方法。半导体集成电路形成在大的玻璃衬底上，其包括的ROM的数据部分是通过喷墨方法或激光切割方法确定。因此不需要利用光掩模，能够减小成本，形成廉价的ID芯片。另外，依靠本申请，半导体集成电路能够置换到挠性衬底上，从而能得到增强的冲击阻力和更具吸引力的ID芯片。

公开(公告)号：CN102037556A

公开(公告)日：2011-04-27

申请号：CN200980118810.4

申请日：2009-05-18

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  及川欣聪 ,  小路博信 ,  盐野入丰 ,  加藤清 ,  中田昌孝

IPC: H01L21/822 ,  G06K19/07 ,  G06K19/077 ,  H01L27/04 ,  H01L29/786 ,  H01Q1/24 ,  H01Q1/38

CPC classification number: G06K19/07749 ,  G06K19/07735 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/1266 ,  H01L27/13 ,  H01Q1/38 ,  H01Q7/00

Abstract: 一个目的是在实现厚度和尺寸减小时提供具有对外部应力和静电放电的耐受性的高可靠半导体器件。另一目的是防止在制造过程中由于外部应力或静电放电导致的缺陷形状或特性劣化以高成品率地制造半导体器件。设置彼此面对的第一绝缘体和第二绝缘体、设置于彼此面对的第一绝缘体和第二绝缘体之间的半导体集成电路和天线、设置于第一绝缘体的一个表面上的导电屏蔽体和设置于第二绝缘体的一个表面上的导电屏蔽体。设置于第一绝缘体的一个表面上的导电屏蔽体和设置于第二绝缘体的一个表面上的导电屏蔽体电连接。

公开(公告)号：CN1581358B

公开(公告)日：2010-04-14

申请号：CN200410056603.X

申请日：2004-08-11

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 盐野入丰 ,  热海知昭 ,  加藤清

IPC: G11C17/08

CPC classification number: G11C7/1096 ,  G11C7/1078 ,  G11C7/12 ,  G11C11/4094 ,  G11C17/12

Abstract: 根据本发明，通过减少元件数量，使安装区域减少并且产量提高，而且提供外围电路具有较少负荷的存储器及其驱动方法。本发明包含存储单元、列解码器和包含时钟控制反相器的选择器，其中存储单元在位线和字线与介于二者之间的绝缘体相交的区域包含存储元件。时钟控制反相器的输入节点连接到位线，而输出节点连接到数据线。在形成时钟控制反相器的多个串联的晶体管中，其源极或漏极连接到高电位端VDD上的电源的P-型晶体管的栅极和其源极或漏极连接到低电位端VSS上的电源的N-型晶体管的栅极连接到列解码器。