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公开(公告)号：CN104009054A
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN201410190371.0
申请日：2010-10-22
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14636 , H01L21/76251 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L24/05 , H01L27/14632 , H01L27/14634 , H01L27/1464 , H01L27/14645 , H01L27/14687 , H01L27/1469 , H01L31/02005 , H01L31/0203 , H01L31/02325 , H01L31/18 , H01L2224/02166 , H01L2224/04042 , H01L2224/45124 , H01L2224/45147 , H01L2224/48463 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01047 , H01L2924/10253 , H01L2924/12043 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/3025 , H01L2924/00 , H01L2224/48 , H01L2924/01005 , H01L2924/01033 , H01L2224/45099
Abstract: 本发明提供了一种半导体装置、其制造方法以及一种电子设备，该半导体装置包括：在其一侧包括第一布线层的第一半导体部；在其一侧包括第二布线层并包括电极焊盘部的第二半导体部，所述第一和第二半导体部被固定到一起，使得第一半导体部的第一布线层侧与第二半导体部的第二布线层侧彼此面对；第一导电材料，其设置在穿过第一半导体部的装置层而延伸到第一半导体部的第一布线层中的连接点的第一凹槽部中；第二导电材料，其设置在穿过第一半导体部而延伸到第二半导体部的第二布线层中的连接点的第二凹槽部中，从而第一和第二布线层电连通；绝缘膜，其各自布置在第一和第二凹槽部的侧壁上；以及延伸穿过第一半导体部以使电极焊盘部暴露的开口。
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公开(公告)号：CN103247648A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201310092864.6
申请日：2010-03-12
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14634 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L27/14612 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14632 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14643 , H01L27/14645 , H01L27/14687 , H01L27/1469 , H01L2224/11 , H04N5/225 , H04N5/374
Abstract: 本发明涉及半导体装置及其制造方法和电子设备。半导体装置用作为背面照明的固态成像装置。该装置的制造方法为：将具有半成品状态的像素阵列的第一半导体晶片与具有半成品状态的逻辑电路的第二半导体晶片结合起来，将第一半导体晶片制成薄膜，将像素阵列电连接到逻辑电路，将像素阵列和逻辑电路制成成品的状态，并且将结合在一起的第一半导体晶片和第二半导体晶片分成微芯片。
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公开(公告)号：CN1271716C
公开(公告)日：2006-08-23
申请号：CN01805025.5
申请日：2001-12-13
Applicant: 索尼公司
Inventor： 梅林拓
IPC: H01L27/108 , H01L21/8242
CPC classification number: H01L27/10876 , H01L27/10814 , H01L27/10855 , H01L27/10891 , H01L27/10894
Abstract: 本发明提供了一种DRAM，其中的接点泄漏受到抑止而不会增加电容器的电容；扩散层和露头电极之间的接触面积增大以减小二者之间的接触电阻，因而可以减小DRAM单元的尺寸和保证栅极电极和露头电极两端的绝缘耐电压。在存储器元件和逻辑元件作在同一块半导体基片上的半导体器件中，存储器元件的晶体管包括：穿过栅极绝缘薄膜(15)埋入在半导体基片(11)上作出的沟槽(13)内的栅极电极(16)；和在半导体基片(11)的表面上的沟槽(13)的侧壁上形成扩散层(17)。另外，露头电极(20)与扩散层(17)连接，使露头电极可以穿过在栅极电极(16)上的第一层间绝缘膜(绝缘薄膜)(18)，覆盖栅极电极(16)。扩散层(17)的深度增加时，扩散层(17)的杂质浓度降低。
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公开(公告)号：CN1401139A
公开(公告)日：2003-03-05
申请号：CN01805025.5
申请日：2001-12-13
Applicant: 索尼公司
Inventor： 梅林拓
IPC: H01L27/108 , H01L21/8242
CPC classification number: H01L27/10876 , H01L27/10814 , H01L27/10855 , H01L27/10891 , H01L27/10894
Abstract: 本发明提供了一种DRAM，其中的接点泄漏受到抑止而不会增加电容器的电容；并且，扩散层和露头电极之间的接触面积增大，以减小二者之间的接触电阻，因而可以减小DRAM单元的尺寸，和保证栅极电极和该露头电极两端的绝缘耐电压。在存储器元件和逻辑元件作在同一块半导体基片上的半导体器件中，该存储器元件的晶体管包括：一个穿过栅极绝缘薄膜(15)，埋入在半导体基片(11)上作出的沟槽(13)内的栅极电极(16)；和在该半导体基片(11)的表面上的沟槽(13)的侧壁上形成一个扩散层(17)。另外，一个露头电极(20)与该扩散层(17)连接，使该露头电极可以穿过在栅极电极(16)上的第一层间绝缘膜(绝缘薄膜)(18)，覆盖该栅极电极(16)。在该沟槽(13)中还形成一条字线(16)，并且当扩散层(17)的深度增加时，扩散层(17)的杂质浓度降低。
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公开(公告)号：CN105874578B
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201480071921.5
申请日：2014-12-11
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L21/336 , H01L21/8234 , H01L21/8246 , H01L27/08 , H01L27/088 , H01L27/105 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/78 , H01L43/08
Abstract: 本发明的半导体装置包含第一扩散部分(22)、第二扩散部分(21)、沟道部分(23)、栅极部分(24)和应力施加部分(31、32或33)。在具有凹槽(10A)的半导体层(10)中，第一扩散部分(22)形成在凹槽(10A)的底部处或附近，第二扩散部分(21)形成在凹槽(10A)的上端处，且沟道部分(23)形成在第一扩散部分(22)与第二扩散部分(21)之间。栅极部分(24)在与沟道部分(23)相对的位置处埋入在凹槽(10A)中。应力施加部分(31、32或33)在垂直于半导体层(10)的方向上将压缩应力和拉伸应力中的一者施加到沟道部分(23)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105633056B
公开(公告)日：2018-08-14
申请号：CN201511009747.4
申请日：2011-08-26
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L23/498 , H01L27/146 , H01L21/48
CPC classification number: H01L25/00 , H01L21/76251 , H01L23/147 , H01L23/49805 , H01L23/49822 , H01L25/0657 , H01L25/167 , H01L25/50 , H01L27/14634 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/1469 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及电子装置和半导体器件的制造方法。其中，一种电子装置包括：第一半导体芯片和第二半导体芯片，第一半导体芯片和第二半导体芯片各自包括半导体基板和布线层，其中第一半导体芯片的第一绝缘层和第二半导体芯片第二绝缘层的相对表面彼此结合，并且在第一绝缘层和第二绝缘层的所述相对表面处不暴露第一半导体芯片的第一布线部和第二半导体芯片的第二布线部，并且其中，第一布线部与第二布线部通过在第一半导体芯片和第二半导体芯片的外围区域处的导电部彼此电连接。根据本发明，能够提高装置的制造效率、降低成本、提高装置的可靠性并能够对装置进行小型化。
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公开(公告)号：CN105633056A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201511009747.4
申请日：2011-08-26
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L23/498 , H01L27/146 , H01L21/48
CPC classification number: H01L25/00 , H01L21/76251 , H01L23/147 , H01L23/49805 , H01L23/49822 , H01L25/0657 , H01L25/167 , H01L25/50 , H01L27/14634 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/1469 , H01L2924/0002 , H01L2924/00 , H01L21/4821
Abstract: 本发明涉及电子装置和半导体器件的制造方法。其中，一种电子装置包括：第一半导体芯片和第二半导体芯片，第一半导体芯片和第二半导体芯片各自包括半导体基板和布线层，其中第一半导体芯片的第一绝缘层和第二半导体芯片第二绝缘层的相对表面彼此结合，并且在第一绝缘层和第二绝缘层的所述相对表面处不暴露第一半导体芯片的第一布线部和第二半导体芯片的第二布线部，并且其中，第一布线部与第二布线部通过在第一半导体芯片和第二半导体芯片的外围区域处的导电部彼此电连接。根据本发明，能够提高装置的制造效率、降低成本、提高装置的可靠性并能够对装置进行小型化。
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公开(公告)号：CN101989609B
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201010233877.7
申请日：2010-07-22
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146 , H01L21/82
CPC classification number: H01L27/14632 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14685 , H01L27/14687
Abstract: 本发明公开了固体摄像器件及固体摄像器件制造方法。该固体摄像器件包括：第一基板，它包括用于对入射光进行光电转换的感光部和设置在光入射侧上的布线部；透光性第二基板，它以指定间隔设置在所述第一基板的布线部侧上；贯通孔，它设置在所述第一基板中；贯通连接部，它设置在所述贯通孔中；正面侧电极，它与所述贯通连接部连接并设置在所述第一基板的正面上；背面侧电极，它与所述贯通连接部连接并设置在所述第一基板的背面上；以及停止电极，它设置在所述正面侧电极上，并填充所述正面侧电极与所述第二基板之间的空间。本发明能够容易地形成滤色器层和微透镜，且能够通过能量束加工工艺在固体摄像器件的基板中形成将要设有贯通连接部的贯通孔。
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公开(公告)号：CN101840925A
公开(公告)日：2010-09-22
申请号：CN201010134092.4
申请日：2010-03-12
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146 , H04N5/335 , H04N3/15
CPC classification number: H01L27/14634 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L27/14612 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14632 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14643 , H01L27/14645 , H01L27/14687 , H01L27/1469 , H01L2224/11 , H04N5/225 , H04N5/374
Abstract: 本发明涉及半导体装置及其制造方法和电子设备。半导体装置用作为背面照明的固态成像装置。该装置的制造方法为：将具有半成品状态的像素阵列的第一半导体晶片与具有半成品状态的逻辑电路的第二半导体晶片结合起来，将第一半导体晶片制成薄膜，将像素阵列电连接到逻辑电路，将像素阵列和逻辑电路制成成品的状态，并且将结合在一起的第一半导体晶片和第二半导体晶片分成微芯片。
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公开(公告)号：CN110246854B
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN201910188795.6
申请日：2013-10-10
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明提供了一种半导体装置，其包括：第一半导体部，它包括在它一侧的第一布线层，所述第一半导体部还包括光电二极管；第二半导体部，它包括在它一侧的第二布线层，所述第一半导体部和所述第二半导体部被紧固在一起；第三半导体部，它包括在它一侧的第三布线层，所述第二半导体部和所述第三半导体部被紧固在一起以使所述第一半导体部、所述第二半导体部和所述第三半导体部被堆叠在一起；以及第一导电材料，其将(i)所述第一布线层、(ii)所述第二布线层和(iii)所述第三布线层之中的至少两者电连接，以使得被电连接的布线层处于电气通信。
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