公开(公告)号：CN104465339A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201310757104.2

申请日：2013-12-27

申请人： 现代自动车株式会社

发明人： 郑永均 ,  千大焕 ,  洪坰国 ,  李钟锡 ,  朴正熙

IPC分类号： H01L21/04

CPC分类号： H01L29/66666 ,  H01L21/02104 ,  H01L21/0475 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7813

摘要： 本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括：在n+型碳化硅衬底的第一表面上顺序地形成n-型外延层、p-型外延层、以及n+区域；在n+区域形成缓冲层；在缓冲层的一部分上形成光敏薄膜图案；利用光敏薄膜图案作为掩模对缓冲层蚀刻以形成缓冲层图案，缓冲层图案布置在光敏薄膜图案下方并露出n+区域的一部分；在n+区域的露出部分和光敏薄膜图案上顺序地形成第一金属层和第二金属层；去除缓冲层图案、光敏薄膜图案、第一金属层的第二部分、以及第二金属层的第二部分；利用第一金属层的第一部分和第二金属层的第一部分作为掩模对n+区域的露出部分蚀刻以形成沟槽，其中沟槽穿过n+区域和p-型外延层，形成在n-型外延层上。

公开(公告)号：CN104299909A

公开(公告)日：2015-01-21

申请号：CN201310452511.2

申请日：2013-09-27

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 让-皮埃尔·科林格 ,  江国诚 ,  张广兴 ,  吴志强 ,  王志豪 ,  卡洛斯·H.·迪亚兹

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/7849 ,  H01L21/02104 ,  H01L21/76224 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785

摘要： 本发明提供了一种热调整半导体器件中的应力的方法，其包括：进行第一外延以在半导体衬底上生长硅锗层；进行第二外延以在硅锗层上生长硅层；以及进行第一氧化以氧化硅锗层，其中生成第一硅锗氧化区。执行应力释放操作以释放由第一硅锗氧化区引起的应力。在硅层的顶面和侧壁上形成栅极介电质。栅电极形成于栅极介电质上方。

公开(公告)号：CN103635992A

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：CN201280031035.0

申请日：2012-05-30

申请人： 国际电气高丽株式会社

发明人： 朴用城 ,  李成光 ,  金东烈 ,  方弘柱 ,  金玟锡

IPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/205

CPC分类号： H01L21/02104 ,  B05B1/005 ,  H01J37/3244 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771

摘要： 本发明涉及一种基板处理装置。基板处理装置包括：处理腔室，其容纳多个基板以便执行等离子处理过程；支撑构件，其安装在所述处理腔室内以便将多个基板安装在其相同平面上；喷射构件，其相对于所述支撑构件安装并且包括多个独立的挡板，以便将至少一种反应气体和一种净化气体独立地喷射到与放置在所述支撑构件上的所述多个基板相对应的位置中；和驱动单元，其用于使所述支撑构件或所述喷射构件转动，以使所述喷射构件的所述挡板朝向放置在支撑构件上的多个基板的上侧依次地转动。所述喷射构件包括等离子体发生器，其安装在至少一个所述挡板上，以喷射来自多个挡板的反应气体，以便将待喷射到到基板上的反应气体等离子体化。

公开(公告)号：CN103545175A

公开(公告)日：2014-01-29

申请号：CN201310284976.1

申请日：2013-07-08

申请人： 丰田自动车株式会社

发明人： 八代辉彦

IPC分类号： H01L21/027 ,  H01L23/544

CPC分类号： H01L23/544 ,  G03F9/7076 ,  G03F9/7084 ,  H01L21/02104 ,  H01L21/6836 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2223/5442 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法，所述方法包括：在半导体晶片（2）的一个表面的至少一部分上形成膜（4），通过在所述膜上设置凹部来形成对准标记（6），以及将片材（8）附着到形成有所述对准标记的所述半导体晶片的所述一个表面上。

公开(公告)号：CN103500730A

公开(公告)日：2014-01-08

申请号：CN201310486484.0

申请日：2013-10-17

申请人： 北京京东方光电科技有限公司

发明人： 郭建

IPC分类号： H01L21/77 ,  H01L27/02

CPC分类号： H01L27/1288 ,  G02F1/1368 ,  G02F2201/121 ,  G02F2201/123 ,  G02F2201/124 ,  H01L27/124 ,  H01L27/3276 ,  H01L21/02104 ,  H01L21/77 ,  H01L27/02

摘要： 本发明提供了一种阵列基板及其制作方法、显示装置，涉及显示技术领域，解决了现有的阵列基板制作曝光次数多、工序复杂、成本高的问题。一种阵列基板的制作方法，包括：在衬底基板上形成栅金属层、栅绝缘层、有源层以及源漏金属层，其中，所述在衬底基板上形成栅绝缘层、有源层和源漏金属层包括：在衬底基板上形成栅绝缘薄膜、有源层薄膜以及源漏金属薄膜；利用一次构图工艺形成的所述栅绝缘层、有源层以及源漏金属层。

公开(公告)号：CN103493203A

公开(公告)日：2014-01-01

申请号：CN201280019774.8

申请日：2012-03-22

申请人： 曼彻斯特大学

发明人： A·K·海姆 ,  K·S·诺沃肖洛夫 ,  R·V·戈尔巴乔夫 ,  L·A·波诺马连科 ,  L·布里特内尔

IPC分类号： H01L29/16 ,  H01L29/417 ,  H01L29/51

CPC分类号： H01L29/775 ,  H01L21/02104 ,  H01L29/06 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/267 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/51 ,  H01L29/778

摘要： 本申请涉及石墨烯基异质结构和包含石墨烯的晶体管器件。异质结构包括：（i）第一石墨烯层；（ii）间隔层；以及（iii）第三石墨烯。晶体管包括：（i）包括石墨烯层的电极；以及（ii）绝缘阻挡层。

公开(公告)号：CN102947359A

公开(公告)日：2013-02-27

申请号：CN201180031283.0

申请日：2011-03-28

申请人： 旭硝子株式会社

发明人： 伊藤昌宏 ,  阿部岳文 ,  鹤冈薰 ,  江里口武

IPC分类号： C08F299/02 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30

CPC分类号： C08L49/00 ,  C08F216/1408 ,  C08F220/30 ,  C08F222/18 ,  C08F290/06 ,  C08F299/02 ,  C08G65/007 ,  C08L27/12 ,  C08L29/10 ,  C08L33/16 ,  C08L35/02 ,  C08L65/00 ,  C09D4/06 ,  C09D171/00 ,  H01L21/02104 ,  H01L51/052 ,  C08F220/22 ,  C08F220/06 ,  C08F220/20 ,  C08F212/14

摘要： 提供即使不经过高温下的加热步骤也能充分固化，能够获得耐溶剂性优异、低介电常数的固化膜的固化性组合物。一种固化性组合物，含有：具有交联性官能团的含氟聚亚芳基预聚物（A），数均分子量为140～5000、具有2个以上交联性官能团且不具有氟原子的化合物（B），具有下述单元（c1）和单元（c2）的共聚物（C）以及自由基聚合引发剂（D）。单元（c1）是碳原子间可以具有醚性氧原子、具有碳数20以下的氟烷基且不具有交联性官能团的单元。单元（c2）是具有交联性官能团的单元。

公开(公告)号：CN101647089B

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN200880008386.3

申请日：2008-02-28

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 吉原孝介 ,  井关智弘 ,  高柳康治

IPC分类号： G03F7/16 ,  H01L21/027 ,  B05D1/40

CPC分类号： H01L21/02104 ,  B05D1/005 ,  G03F7/162 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/6715

摘要： 本发明提供涂敷处理方法、涂敷处理装置和计算机能够读取的存储介质。在涂敷工序中，使基板高速旋转，在此状态下从第一喷嘴向基板的中心部喷出抗蚀剂液，在基板上涂敷抗蚀剂液。接着，在平坦化工序中，使基板的旋转减速，使基板以低速旋转，使基板上的抗蚀剂液平坦化。此时，涂敷工序中的第一喷嘴进行的抗蚀剂液的喷出持续进行至平坦化工序的中途，在该平坦化工序中在使抗蚀剂液的喷出结束时，使第一喷嘴移动，使抗蚀剂液的喷出位置从基板的中心部移动。采用本发明，能够在基板面内均匀地涂敷抗蚀剂液。

公开(公告)号：CN108962915A

公开(公告)日：2018-12-07

申请号：CN201711242223.9

申请日：2017-11-30

申请人： 广东聚华印刷显示技术有限公司 ,  TCL集团股份有限公司

发明人： 高卓

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L23/13 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L27/12 ,  H01L21/02104 ,  H01L23/13

摘要： 本发明涉及一种复合基板及其制备方法。该复合基板包括载体基板、柔性基板以及阻隔层；其中，所述载体基板设有第一凹槽；所述第一凹槽包括底面以及围绕所述底面设置的侧壁，所述第一凹槽的开口面积小于所述第一凹槽的底面面积；所述柔性基板设置于所述第一凹槽内；所述阻隔层覆盖所述柔性基板的整个上表面。该复合基板中，柔性基板与载体基板之间结合的牢固性，能够保证制作得到的柔性显示器件性能稳定，品质高。

公开(公告)号：CN108122929A

公开(公告)日：2018-06-05

申请号：CN201711227140.2

申请日：2017-11-29

申请人： 乐金显示有限公司

发明人： 李晙硕 ,  金世埈

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L21/762 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L27/3246 ,  H01L21/02008 ,  H01L21/02104 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3248 ,  H01L29/41733

摘要： 提供了一种具有两个电极之间的多个绝缘层的显示装置及其制造方法。显示装置包括：下基板；在下基板上方的第一覆盖层，该第一覆盖层包括第一接触孔；在下基板与第一覆盖层之间的薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括包含与第一接触孔交叠的端部的漏电极，漏电极的端部包括底切区域；薄膜晶体管与第一覆盖层之间的下钝化层，该下钝化层部分地露出漏电极的端部的侧表面；以及在第一覆盖层上方的发光结构，发光结构被通过第一接触孔电连接至薄膜晶体管。