公开(公告)号：CN104247583B

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201380019587.4

申请日：2013-02-28

Applicant: 日本麦可罗尼克斯股份有限公司

Inventor： 井上龙雄 ,  菅井孝安 ,  工藤俊之 ,  大森利则

IPC: H05K3/46 ,  H05K1/02

CPC classification number: H05K1/0298 ,  H05K1/0233 ,  H05K1/0242 ,  H05K1/025 ,  H05K1/09 ,  H05K3/46 ,  H05K2201/0154 ,  H05K2201/0338 ,  H05K2201/0391 ,  H05K2201/0776 ,  H05K2201/0792 ,  H05K2201/083 ,  Y10T29/49155

Abstract: 本发明的课题是提供一种特性阻抗的调整较为容易的、能够与端子的窄间距化进行对应的多层配线基板及其制造方法以及探针卡。通过提供以下多层配线基板及其制造方法以及探针卡来解决上述的课题：一种在基板上将多个配线层夹着绝缘层地进行叠层而成的多层配线基板，在所述配线层上所形成的配线是由第一层和第二层组成的二层结构的配线，所述第一层由第一导电材料构成，所述第二层由比所述第一导电性材料的相对磁导率大的第二导电性材料构成，通过设为所述二层结构，相比于与所述二层结构的配线相同厚度的配线仅由所述第一导电性材料构成的情况，所述配线的特性阻抗被调整为更接近50欧姆的值。

公开(公告)号：CN106716626A

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：CN201580050056.0

申请日：2015-09-04

Applicant: 高通股份有限公司

Inventor： D·D·金 ,  J-H·J·兰 ,  C·H·尹 ,  M·F·维纶茨 ,  C·左 ,  J·金 ,  D·F·伯蒂

IPC: H01L23/00

CPC classification number: H05K1/0271 ,  C23F1/02 ,  H01L21/768 ,  H01L23/562 ,  H01L2924/0002 ,  H05K1/0306 ,  H05K1/09 ,  H05K2201/0154 ,  H05K2201/0195 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种器件包括在(例如，半导体管芯或其他集成电路的)基板的至少两个应力域之间的应力缓减区。该应力缓减区包括一种导电结构，该导电结构电耦合其间布置该导电结构的应力域的电路系统。

公开(公告)号：CN104136548B

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201380011207.2

申请日：2013-01-16

Applicant: 富士胶片株式会社

Inventor： 三田村康弘 ,  中山昌哉 ,  松並由木

IPC: C08L101/00 ,  B32B15/08 ,  C08K5/3447 ,  C08K5/3472 ,  C08K5/46 ,  H05K1/03 ,  H05K3/28

CPC classification number: H05K1/0256 ,  B32B3/08 ,  B32B5/024 ,  B32B7/12 ,  B32B15/08 ,  B32B27/20 ,  B32B27/281 ,  B32B27/283 ,  B32B27/30 ,  B32B27/308 ,  B32B27/32 ,  B32B27/322 ,  B32B27/36 ,  B32B27/38 ,  B32B27/42 ,  B32B2255/205 ,  B32B2260/021 ,  B32B2260/046 ,  B32B2262/0269 ,  B32B2262/101 ,  B32B2307/202 ,  B32B2307/412 ,  B32B2457/00 ,  C08K5/378 ,  C08K5/47 ,  H01B3/447 ,  H05K1/092 ,  H05K3/285 ,  H05K2201/0108 ,  H05K2201/0145 ,  H05K2201/0154 ,  H05K2201/0206 ,  H05K2201/032 ,  H05K2201/0769 ,  Y10T428/2804

Abstract: 本发明的目的在于提供一种银离子扩散抑制层形成用组成物、银离子扩散抑制层用膜及其应用，所述银离子扩散抑制层形成用组成物可形成银离子扩散抑制层，所述银离子扩散抑制层可抑制含有银或银合金的金属配线间的银的离子迁移，且提高金属配线间的绝缘可靠性。本发明的银离子扩散抑制层形成用组成物含有：绝缘树脂以及化合物，而所述化合物具有：选自由三唑结构、噻二唑结构及苯并咪唑结构所组成的组群中的结构；巯基；以及一个以上的可含有杂原子的烃基，且烃基中的碳原子的合计数(而且，在具有多个烃基的情形时，为各烃基中的碳原子数的合计数)为5以上。

公开(公告)号：CN106457760A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201580024335.X

申请日：2015-05-12

Applicant: 沙特基础工业全球技术有限公司

Inventor： 杨剑 ,  潘胜平 ,  安德里斯·J·P·范·茨尔

IPC: B32B7/12 ,  B32B15/04 ,  B32B15/08 ,  B32B15/14 ,  B32B15/18 ,  B32B15/20 ,  B32B27/20 ,  B32B27/28 ,  H05K1/03 ,  H05K1/05

CPC classification number: H05K1/0204 ,  B32B5/022 ,  B32B5/024 ,  B32B7/12 ,  B32B15/043 ,  B32B15/08 ,  B32B15/14 ,  B32B15/18 ,  B32B15/20 ,  B32B27/20 ,  B32B27/281 ,  B32B27/285 ,  B32B2255/06 ,  B32B2255/26 ,  B32B2260/021 ,  B32B2260/046 ,  B32B2262/0269 ,  B32B2262/062 ,  B32B2307/204 ,  B32B2307/206 ,  B32B2307/302 ,  B32B2307/306 ,  B32B2307/538 ,  B32B2457/08 ,  H05K1/034 ,  H05K1/0346 ,  H05K1/0373 ,  H05K1/038 ,  H05K1/056 ,  H05K1/09 ,  H05K3/0061 ,  H05K2201/0129 ,  H05K2201/0154 ,  H05K2203/0759

Abstract: 本文中公开了一种包括以下各项的电路组件：聚醚酰亚胺介电层；置于介电层上的导电金属层；以及在导电金属层的相反侧，置于介电层上的支撑金属基体层。聚醚酰亚胺介电层包含具有200℃或更高的玻璃化转变温度的聚醚酰亚胺。电路组件在根据SJ 20780-2000的280℃热应力下30分钟之前和之后，具有通过IPC-TM-650测试方法测定的在±10％以内的相同的粘附性。还公开了制造电路组件的方法，以及包括该电路组件的制品。

公开(公告)号：CN106232679A

公开(公告)日：2016-12-14

申请号：CN201580021382.9

申请日：2015-04-20

Applicant: 杰富意化学株式会社

Inventor： 井上洋平 ,  森浩章

IPC: C08G73/10 ,  B32B27/34

CPC classification number: C08G73/10 ,  B32B15/08 ,  B32B15/20 ,  B32B27/281 ,  B32B2307/206 ,  B32B2307/734 ,  B32B2457/08 ,  C08G73/1042 ,  C08G73/1085 ,  C08L79/08 ,  C09J7/22 ,  C09J7/25 ,  C09J7/30 ,  C09J2203/326 ,  C09J2477/00 ,  C09J2479/086 ,  H05K1/0346 ,  H05K2201/0154

Abstract: 本发明提供作为电子基板材料用而有用的、在保持聚酰亚胺原本的高耐热性和机械强度的同时介电常数和介电损耗角正切得到了降低的聚酰亚胺组合物。一种电子基板材料用聚酰亚胺组合物，其含有通过使包含5-(4-氨基苯氧基)-3-[4-(4-氨基苯氧基)苯基]-1,1,3-三甲基茚满的二胺成分与包含3,3’,4,4’-联苯四羧酸二酐的酸成分聚合而得到的聚酰亚胺。

公开(公告)号：CN106031316A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201580009471.1

申请日：2015-02-20

Applicant: 三井金属矿业株式会社

Inventor： 桑子富士夫 ,  松岛敏文 ,  细井俊宏

IPC: H05K3/46 ,  B32B15/08

CPC classification number: H05K1/162 ,  B32B15/00 ,  B32B15/04 ,  B32B15/20 ,  B32B2307/51 ,  B32B2457/00 ,  B32B2457/08 ,  B32B2457/16 ,  H05K1/0298 ,  H05K1/09 ,  H05K1/115 ,  H05K3/0047 ,  H05K3/022 ,  H05K3/429 ,  H05K3/4602 ,  H05K3/4623 ,  H05K3/4644 ,  H05K2201/0154 ,  H05K2201/09763

Abstract: 本发明的目的在于，提供在高多层的内置电容电路多层印刷线路板的制造中，当通过钻孔加工形成了通孔形成用的贯通孔时，电容介电层不产生裂纹的电容器层形成材料等。为了实现该目的，采用了内置电容器层形成用覆铜层压板等，所述内置电容器层形成用覆铜层压板是用于为了在多层印刷线路板的内层形成铜层/电容介电层/铜层的结构的内置电容电路的覆铜层压板，其特征在于，构成该电容介电层的树脂膜的厚度方向的复合弹性率Er小于6.1GPa。

公开(公告)号：CN105992456A

公开(公告)日：2016-10-05

申请号：CN201510078592.3

申请日：2015-02-13

Applicant: 颀邦科技股份有限公司

Inventor： 谢庆堂 ,  吴非艰 ,  涂家荣

IPC: H05K1/02

CPC classification number: H05K1/0209 ,  H05K1/0203 ,  H05K1/028 ,  H05K1/0346 ,  H05K1/0393 ,  H05K1/189 ,  H05K2201/0154 ,  H05K2201/066 ,  H05K2201/068

Abstract: 本发明是关于一种可挠性基板，其具有电路板、可挠性散热结构及黏着胶，该电路板具有基板及电路层，该电路层形成于该基板的上表面，该可挠性散热结构具有可挠性支撑板及可挠性散热金属层，该可挠性散热金属层形成于该可挠性支撑板的表面，该可挠性散热结构的该可挠性散热金属层借由该黏着胶结合于该基板的下表面，该电路层及该可挠性散热金属层为相同材料。本发明可挠性基板借由黏着于电路板的可挠性散热结构，可提高该可挠性基板的热传导效率，使该可挠性基板具有散热功能及高稳定性。

公开(公告)号：CN104080605B

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201280066809.3

申请日：2012-01-13

Applicant: JX日矿日石金属株式会社

Inventor： 田中幸一郎 ,  冠和树

IPC: B32B15/08 ,  H05K1/02

CPC classification number: H05K1/0393 ,  B32B7/02 ,  B32B15/08 ,  B32B15/20 ,  B32B2307/712 ,  B32B2457/08 ,  H05K1/053 ,  H05K1/056 ,  H05K1/09 ,  H05K3/022 ,  H05K2201/0145 ,  H05K2201/0154 ,  H05K2201/0355 ,  H05K2201/0358 ,  H05K2201/05 ,  H05K2201/06 ,  Y10T29/302 ,  Y10T428/12438 ,  Y10T428/273

Abstract: 本发明的目的在于提供一种即便进行压制加工这样的不同于单轴弯曲的苛刻（复杂）的变形也可防止铜箔破裂、加工性优异、进而长期稳定地发挥耐蚀性和电接点性能的铜箔复合体、以及其成形体及其制造方法。本发明涉及铜箔复合体以及其成形体及其制造方法，所述铜箔复合体是铜箔与树脂层层叠而成的铜箔复合体，在将铜箔的厚度设为t2（mm），将拉伸应变4%时的铜箔的应力设为f2（MPa），将树脂层的厚度设为t3（mm），将拉伸应变4%时的树脂层的应力设为f3（MPa）时，满足式1：（f3×t3）/（f2×t2）≥1，并且在将铜箔与树脂层的180°剥离粘接强度设为f1（N/mm），将铜箔复合体的拉伸应变30%时的强度设为F（MPa），将铜箔复合体的厚度设为T（mm）时，满足式2：1≤33f1/（F×T），且在铜箔中的未层叠有树脂层的面，形成有附着量5～100 μg/dm2的Cr氧化物层。

公开(公告)号：CN105778049A

公开(公告)日：2016-07-20

申请号：CN201610129810.6

申请日：2016-03-08

Applicant: 广东广山新材料有限公司

Inventor： 潘庆崇

IPC: C08G59/26 ,  B32B15/14 ,  B32B15/09 ,  B32B15/08 ,  B32B15/04 ,  H05K1/03

CPC classification number: C08G59/26 ,  B32B15/04 ,  B32B15/08 ,  B32B15/09 ,  B32B15/14 ,  B32B2255/02 ,  B32B2255/10 ,  B32B2255/26 ,  B32B2260/046 ,  B32B2262/101 ,  B32B2262/106 ,  B32B2311/12 ,  B32B2311/24 ,  B32B2379/08 ,  H05K1/036 ,  H05K2201/0145 ,  H05K2201/0154

Abstract: 本发明涉及一种异氰酸酯改性环氧树脂，具有式(I)所示结构：其中，R选自亚有机基团；R1、R2、R3、R4各自独立地选自氢原子或有机基团；n为大于或等于零的整数。本发明提供的环氧树脂采用含有2个以上的多异氰酸酯为原料制备，多异氰酸酯与具有环氧基的树脂单体反应，达到在环氧树脂单体中引入噁唑烷酮基的目的，且本发明提供的环氧树脂以环氧基封端，使提供的环氧树脂组分具有高耐热、低介电的性能。

公开(公告)号：CN103571189B

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201210315755.1

申请日：2012-08-30

Applicant: 财团法人工业技术研究院

Inventor： 林志成 ,  吕奇明

IPC: C08L79/08 ,  C08K3/36 ,  C08K3/22 ,  G03F7/00

CPC classification number: C08K3/20 ,  C08J7/12 ,  C08J2379/08 ,  C08K3/22 ,  C08K3/36 ,  C08K2003/2227 ,  H05K1/0346 ,  H05K2201/0154 ,  H05K2201/0209 ,  H05K2203/0769 ,  H05K2203/0793 ,  Y10T428/259 ,  Y10T428/31721 ,  C08L79/08

Abstract: 本发明提出一种含聚酰亚胺的膜层及一种蚀刻含聚酰亚胺的膜层的方法。该用于碱性蚀刻的含聚酰亚胺的膜层可包含：20-50重量份的无机氧化物粒子；以及50-80重量份的聚酰亚胺。