公开(公告)号：CN1531102A

公开(公告)日：2004-09-22

申请号：CN200410005258.7

申请日：2004-02-17

申请人： 因芬尼昂技术股份公司

发明人： A·蒂尔科 ,  W·克莱恩

IPC分类号： H01L29/72 ,  H01L29/78 ,  H01L29/02 ,  H01L29/00 ,  H01L21/328 ,  H01L21/334 ,  H01L21/8249

CPC分类号： H01L21/8222 ,  H01L27/0825 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/732

摘要： 半导体结构，包括第一掺杂型态之埋藏第一半导体层，第一掺杂型态之第二半导体层，其系位于埋藏半导体层上，并较埋藏第一半导体层之掺杂少，第二掺杂型态之一半导体区域，其系位于该第二半导体层上，pn接合面形成于半导体区域及第二半导体层之间，及一凹陷，其系位于包含第一掺杂型态之半导体材料之埋藏第一半导体层中低于半导体区域之位置，并可较埋藏第一半导体层之掺杂少，且其与在第二半导体层上之第二掺杂型态之半导体区域间之距离较大，因此穿越pn接合面之击穿电压高于未提供该凹陷之状况。

公开(公告)号：CN1421914A

公开(公告)日：2003-06-04

申请号：CN02127074.0

申请日：2002-07-26

申请人： 三菱电机株式会社

发明人： 中岛贵志

IPC分类号： H01L21/76 ,  H01L27/10 ,  H01L29/72

CPC分类号： H01L29/66272 ,  H01L21/763 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/7322

摘要： 在P－型硅衬底(1)上形成了N－型外延层(3)。形成了贯通N－型外延层(3)并到达P－型硅衬底(1)的规定的深度的沟槽(6a、6b)。在沟槽(6a、6b)的侧壁上形成了热氧化膜(9a、9b)。形成了埋入多晶硅(10a、10b)，使其填埋沟槽(6a、6b)。以从沟槽(6a、6b)的底部到开口端不对N－型外延层(3a－3c)施加应力的大致恒定的膜厚来形成了热氧化膜(9a、9b)。由此，可得到漏泄电流被抑制的半导体装置。

公开(公告)号：CN1143428A

公开(公告)日：1997-02-19

申请号：CN95191279.8

申请日：1995-01-12

申请人： 霍尼韦尔公司

发明人： 罗纳德·D·巴克斯特 ,  詹姆斯·G·康纳里 ,  约翰·D·福格尔 ,  斯潘塞·W·西尔弗索恩

IPC分类号： H01L21/70 ,  H01L29/72

CPC分类号： H01L27/0251 ,  G01N27/4148 ,  H01L27/0248 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 描述了给用于选择测量液体中的离子的基于感离子场效应管(ISFET)的装置提供静电放电(ESD)保护的方法、设备和芯片制造技术。由传统保护元件组成的ESD保护电路和与被测液体接触且在ISFET和液体之间无直流漏电流通路的接口被集成在形成ISFET的同一块硅片上。根据本发明的一个优选实施例，一个电容结构被用作保护电路和液体样品之间的接口。

公开(公告)号：CN1137688A

公开(公告)日：1996-12-11

申请号：CN96105106.X

申请日：1996-04-18

申请人： 富士通株式会社

发明人： 今西健治

IPC分类号： H01L29/12 ,  H01L29/72 ,  H01L29/80 ,  H01L21/331 ,  H01L21/22 ,  H01L21/24

CPC分类号： H01L29/66318 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02461 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/205 ,  H01L29/7371 ,  H01L29/7783

摘要： 一种制作半导体器件的方法包括用MOVPE工艺沉积具有第一导电类型的第一化合物半导体层(14，25)的步骤、采用由于气体掺杂剂的分解实施的平面掺杂工艺使第一化合物半导体层(15，16)的表面掺杂成同样的第一导电类型，这样在平面掺杂工艺期间不出现第一化合物半导体层的明显生长以及在第一化合物半导体晶层的掺杂表面上用MOVPE工艺沉积第一导电类型的第二化合物半导体层(16，27)。

公开(公告)号：CN1027413C

公开(公告)日：1995-01-11

申请号：CN89106258.0

申请日：1989-07-31

申请人： 国际商业机器公司

发明人： 沙赫·阿克巴 ,  帕特里西安·拉维勒·克罗森 ,  赛克·欧古拉 ,  尼弗·罗维多

IPC分类号： H01L29/72

CPC分类号： H01L29/66272 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/732 ,  Y10S148/009 ,  Y10S148/011

摘要： 压缩式垂直双极晶体管结构消除了标准对称基极接触一侧和收集极接触穿透要求，它包括：收集极层，置于收集极层上的基极层，置于基极层上的发射极层，第一侧壁绝缘层邻接并与发射极，基极层及至少收集极层的一部分的一侧相接触；第二侧壁绝缘层邻接并与发射极层和至少是基极的一部分的另一侧相接触，基极接触延展层由与基极层相同导电型的掺杂半导体材料形成，还有在基极接触延展层表面上的基极接触内连接，与收集极接触的延展层。

公开(公告)号：CN1040116A

公开(公告)日：1990-02-28

申请号：CN89106258.0

申请日：1989-07-31

申请人： 国际商业机器公司

发明人： 沙赫·阿克巴 ,  帕特里西安·拉维勒·克罗森 ,  赛克·欧古拉 ,  尼弗·罗维多

IPC分类号： H01L29/72

CPC分类号： H01L29/66272 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/732 ,  Y10S148/009 ,  Y10S148/011

摘要： 压缩式垂直双极晶体管结构消除了标准对称基极接触一侧和收集极接触穿透要求，它包括：收集极层，置于收集极层上的基极层，置于基极层上的发射极层，第一侧壁绝缘层邻接并与发射极，基极层及至少收集极层的一部分的一侧相接触；第二侧壁绝缘层邻接并与发射极层和至少是基极的一部分的另一侧相接触，基极接触延展层由与基极层相同导电型的掺杂半导体材料形成，还有在基极接触延展层表面上的基极接触内连接，与收集极接触的延展层。

公开(公告)号：CN1004736B

公开(公告)日：1989-07-05

申请号：CN85108969

申请日：1985-10-16

申请人： 株式会社日立制作所

发明人： 渡边笃雄 ,  长野隆洋 ,  池田隆英 ,  门马直弘 ,  斋藤隆一

IPC分类号： H01L29/28 ,  H01L29/72 ,  H01L27/06

CPC分类号： H01L21/76224 ,  H01L21/74 ,  H01L21/76205 ,  H01L21/763 ,  H01L21/823892 ,  H01L27/0623 ,  H01L27/092

摘要： 一具有n型和P型陷井区的单片互补半导体器件，其n型和P型陷井区是由介电隔离区从表面延伸到衬底分离开的。陷井区包括在其底部的高掺杂的埋层区，并将陷井中的有源区与衬底区分离开。隔离区比埋层区深。陷井到陷井的隔离是由埋层区和深解电隔离区的结合增强的，封装密度和工作速度也可得到改善。

公开(公告)号：CN1004594B

公开(公告)日：1989-06-21

申请号：CN85108008

申请日：1985-10-30

申请人： 得克萨斯仪器公司

发明人： 戴维·B·斯伯特 ,  詹姆斯·D·琼拉瑞 ,  爱尔顿·J·赞雷斯基

IPC分类号： H01L29/72 ,  H01L29/76 ,  H01L29/68 ,  H01L21/04 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L29/66265 ,  H01L21/76264 ,  H01L21/76281 ,  H01L21/84 ,  H01L29/735

摘要： 在被诸如氧化物之类的绝缘体[22]完全包围的一个薄的外延岛[24，70]中制成水平结构晶体管[20，68]。该晶体管[20，68]具有从同一掩模扩散到岛[24，70]中的基极区[34，80]和发射极区[26，84]，从而使基极[34，80]的宽度是可控的并且相对于发射极[26，84]来说保持不变。多晶硅基极接触[36，96]位于岛[24，70]的顶部之上并通过氧化层[90]与发射极区[26，84]和集电极区[28，86]相隔离。此水平结构晶体管很容易把互补的双极型晶体管[20，68]和互补的IGFET器件制作在同一衬底上。

公开(公告)号：CN87100294A

公开(公告)日：1987-08-26

申请号：CN87100294

申请日：1987-01-15

申请人： 德克萨斯仪器公司

发明人： 道格拉斯·P·弗莱特 ,  杰弗里·E·布赖顿 ,  迪姆斯·兰迪·霍林斯沃思 ,  曼纽尔·路易斯·托莱诺

IPC分类号： H01L29/02 ,  H01L29/72 ,  H01L21/22

CPC分类号： H01L29/66272 ,  H01L29/7325

摘要： 一种在半导体基片的表面上生成的双极晶体管，它包括一个在所述半导体的部分发射极—基极区域里生成的第一种导电型的含杂质基极。在含杂质基极上面生成一导电的基极接触层，它具有在其侧壁上面生成的一不导电的隔离层。在发射极—基极区域里一无杂质基极与含杂质基极并置。在无杂质基极内形成第二种导电型的发射极，该发射极具有一个发射边缘，它与隔离层的外缘对准。

公开(公告)号：CN86101884A

公开(公告)日：1986-11-12

申请号：CN86101884

申请日：1986-03-22

申请人： ITT工业公司

发明人： 彼得·丹尼斯·斯科维尔 ,  彼得·夫里德·布洛姆利 ,  罗格·莱斯利·巴克 ,  加里·约翰·托姆金斯

IPC分类号： H01L21/18 ,  H01L29/72

CPC分类号： H01L21/0337 ,  Y10S148/01 ,  Y10S148/011 ,  Y10S148/124

摘要： 一种全自对准的多晶硅发射极双极晶体管。用发射极台面(7)的氧化侧壁(8)(侧壁隔离层)作为P+基极接触注入的掩膜，可实现P+基极接触(12)的自对准。采用与发射极台面(7)相同的多晶硅所确定的多晶硅对准台面(14)的氧化侧壁(17)，可获得收集极接触(13)的对准，但对准台面是淀积在氧化物(2)上，而不是淀积在被注入的基区(5)之上。