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公开(公告)号:CN104364882B
公开(公告)日:2018-11-16
申请号:CN201380031975.4
申请日:2013-05-29
申请人: EV , 集团 , E·索尔纳有限责任公司
IPC分类号: H01L21/18
CPC分类号: B32B38/1833 , B32B37/0076 , H01L21/187 , Y10T156/17
摘要: 本发明涉及一种用以使用以下步骤、尤其按以下顺序在该衬底(3、8)的接触表面(3k、8k)上将第一衬底(3)接合至第二衬底(8)的方法:‑在第一接纳设备(1)的第一接纳表面(2o)上安置该第一衬底(3)且在第二接纳设备(4)的第二接纳表面(2o')上接纳该第二衬底(8),‑在接合起始位点(20)上接触该接触表面(3k、8k),‑沿着自该接合起始位点(20)行进至该衬底(3、8)的侧边缘(3s、8s)的接合波将该第一衬底(3)接合至该第二衬底(8),其特征在于:该第一衬底(3)和/或该第二衬底(8)经变形以在该接合之前和/或在该接合期间使该接触表面(3k、8k)在该接合起始位点(20)外对准。此外,本发明涉及一种对应装置。
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公开(公告)号:CN105377452B
公开(公告)日:2018-09-25
申请号:CN201480029673.8
申请日:2014-04-01
申请人: EV , 集团 , E·索尔纳有限责任公司
发明人: C.迈尔
摘要: 本发明涉及一种用于利用具有至少一种涂覆成分和至少一种溶剂的涂覆材料涂覆基板(9)的表面(9o)的装置,该装置具有以下特征:腔室(7),其可加压;保持设备(8),其用于将基板(9)保持在保持表面(12)上;以及喷射喷嘴(11),其用于涂覆基板(9),其特征在于,该装置具有冷却器件,其用于冷却至少基板(9)的表面(9o),基板(9)保持在保持设备(8)的保持表面(12)上。本发明还涉及对应的方法。
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公开(公告)号:CN108368640A
公开(公告)日:2018-08-03
申请号:CN201580079657.4
申请日:2015-05-21
申请人: EV , 集团 , E·索尔纳有限责任公司
CPC分类号: G03F7/0002 , C30B23/04 , C30B25/04 , H01L21/02381 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L21/02439 , H01L21/02521 , H01L21/02642 , H01L21/02647
摘要: 本发明涉及一种将掩蔽的过生长层(14)施加至晶种层(2)上以用于生产半导体组件的方法,其特征在于将用于掩蔽所述过生长层(14)的掩模(6)压印至所述晶种层(2)上。
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公开(公告)号:CN108028212A
公开(公告)日:2018-05-11
申请号:CN201580075099.4
申请日:2015-11-03
申请人: EV 集团 E·索尔纳有限责任公司
发明人: A.费屈雷尔
CPC分类号: H01L21/67051 , B26F3/004 , B32B43/006 , H01L21/67092 , H01L21/67757 , H01L21/6836 , H01L2221/68327 , H01L2221/68381
摘要: 建议了一种用于至少部分溶解临时压接的衬底叠层(2)的连接层(4)的装置(22),带有如下特征:‑装置(22)具有至少一个环形物(1),其中,衬底叠层(2)可被放置在至少一个环形物(1)内,‑至少一个环形物(1)具有多个喷嘴(1a),其中,喷嘴(1a)至少在至少一个环形物(1)的周缘的部分上分布地布置,‑喷嘴(1a)朝向连接层(4)定向,‑装置(22)构造成,使得溶剂可由喷嘴(1a)被喷洒到连接层(4)的边缘区域上。此外建议了一种用于至少部分溶解连接层(4)的方法。
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公开(公告)号:CN104508809B
公开(公告)日:2017-12-12
申请号:CN201280074905.2
申请日:2012-07-26
申请人: EV , 集团 , E·索尔纳有限责任公司
发明人: M.温普林格
IPC分类号: H01L21/60
CPC分类号: H01L24/83 , B32B37/24 , B32B38/0008 , B32B2037/243 , B32B2037/246 , B32B2457/14 , C23C14/08 , C23C14/081 , C23C14/086 , C23C16/40 , C23C16/403 , C23C16/407 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/75 , H01L31/18 , H01L2224/2741 , H01L2224/27418 , H01L2224/2745 , H01L2224/27452 , H01L2224/278 , H01L2224/27848 , H01L2224/2908 , H01L2224/29187 , H01L2224/29287 , H01L2224/29394 , H01L2224/29395 , H01L2224/3201 , H01L2224/32145 , H01L2224/32501 , H01L2224/7501 , H01L2224/75101 , H01L2224/83001 , H01L2224/83002 , H01L2224/83011 , H01L2224/83012 , H01L2224/83013 , H01L2224/83065 , H01L2224/83075 , H01L2224/8322 , H01L2224/8383 , H01L2224/83896 , H01L2224/83907 , H01L2924/01009 , H01L2924/01013 , H01L2924/0103 , H01L2924/01031 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/053 , H01L2924/12042 , H01L2924/20102 , H01L2924/0549 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/0531 , H01L2924/01001 , H01L2924/01008 , H01L2924/00
摘要: 本发明涉及一种将第一至少大致透明衬底(1)的第一接触面(3)接合至第二至少大致透明衬底(2)的第二接触面(4)的方法,在所述接触面的至少一者上使用氧化物来进行接合,在第一及第二接触面(3、4)上由该氧化物形成至少大致透明的连接层(14),其具有:至少10e1S/cm2的电导率(测量:四点法,相对于300K的温度)及大于0.8的光透射率(针对400 nm至1500 nm的波长范围)。
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公开(公告)号:CN104364892B
公开(公告)日:2017-11-03
申请号:CN201280073761.9
申请日:2012-06-06
申请人: EV , 集团 , E·索尔纳有限责任公司
发明人: T.瓦根莱特纳
IPC分类号: H01L21/68
CPC分类号: H01L21/68 , G01B11/002 , G01B11/272 , G03F9/7011 , H01L21/681
摘要: 一种用于确定存在于衬底(5)上或已施加至该衬底(5)的结构(6)的对准误差的装置,该装置具有以下特征:衬底固持器(2),其用于容纳具有该结构(6)的衬底(5),及检测构件,其用于通过在第一坐标系中移动该衬底(5)或该检测构件而检测该衬底(5)上的第一标记(7)和/或结构(6)上的第二标记(11、11')的X‑Y位置,其特征在于在独立于该第一坐标系的第二坐标系中给出结构(6)的X'‑Y'结构位置,可通过该装置确定X'‑Y'结构位置与第一标记(7)和/或第二标记(11、11')的X‑Y位置的各自距离。
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公开(公告)号:CN107210246A
公开(公告)日:2017-09-26
申请号:CN201580072902.9
申请日:2015-10-22
申请人: EV 集团 E·索尔纳有限责任公司
发明人: A.费屈雷尔
IPC分类号: H01L21/67
摘要: 本发明涉及一种用于利用膜层涂装基体(6)的方法,其特征在于,所述装置具有用于安设热塑性的膜层材料(4)的安设器件(1)和用于使得膜层材料(4)分配在所述基体(6)上以用于构造所述膜层的分配器件。此外,本发明涉及一种对应的装置。
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公开(公告)号:CN103221813B
公开(公告)日:2017-05-17
申请号:CN201080070098.8
申请日:2010-11-12
申请人: EV 集团 E·索尔纳有限责任公司
发明人: M.温普林格
IPC分类号: G01N29/04 , G01N29/265 , G01N29/27 , G01N29/275 , G01B7/06 , G01B15/02 , G01B17/02 , G01B21/08 , G01N21/95 , H01L21/00 , H01L21/66
CPC分类号: H01L22/20 , G01B7/06 , G01B11/0625 , G01B17/02 , G01B17/025 , G01N21/9501 , G01N21/9505 , G01N29/043 , G01N29/265 , G01N29/27 , G01N29/275 , G01N2291/0231 , G01N2291/02854 , G01N2291/0289 , G01N2291/044 , G01N2291/2697 , H01L21/67253 , H01L21/67288 , H01L22/12
摘要: 本发明涉及用于在分布于晶片堆叠上的多个测量位置处测量和/或检测晶片堆叠的一个或多个层的层厚度和/或晶格缺陷的测量装置以及方法,以及相对应的晶片处理设备。
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公开(公告)号:CN103718282B
公开(公告)日:2016-11-30
申请号:CN201180072828.2
申请日:2011-08-22
申请人: EV集团E·索尔纳有限责任公司
发明人: T.瓦根莱特纳
IPC分类号: H01L21/683 , H01L21/67
摘要: 本发明涉及一种装置,所述装置用于接合、尤其是临时接合第一衬底(15)与第二衬底,所述装置具有以下特征:‑ 装配装置,所述装配装置用于利用所述装配装置的有效装配面(7,7',7",7'",7IV)来在装配轮廓(8,8',8",8"',8IV)上装配所述第一衬底(15),其具有用于可控制地固定所述第一衬底(15)的外环区段(10),‑ 变形装置,所述变形装置用于可控制地使所述第一衬底(15)变形,其中,所述变形装置可操作地构造在所述外环区段内,以及‑ 用于接合所述第一衬底(15)与所述第二衬底()的接合装置。此外,本发明涉及一种用于接合、尤其是临时接合第一衬底(15)与第二衬底的方法,所述方法具有以下步骤、尤其是以下流程:‑ 利用所述装配装置(1)的有效装配面(7,7',7",7'",7IV)来在装配轮廓(8,8',8",8"')上装配第一衬底(15),其具有用于可控制地固定所述第一衬底(15)的外环区段(10),‑ 通过用于可控制地使所述第一衬底(15)变形的变形装置使所述第一衬底(15)在所述外环区段内变形,‑ 通过接合装置来接合所述第一衬底(15)与所述第二衬底。
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