公开(公告)号：CN104064591A

公开(公告)日：2014-09-24

申请号：CN201410216921.1

申请日：2011-11-25

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 末川英介 ,  折附泰典 ,  樽井阳一郎

IPC: H01L29/45 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7811 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/45 ,  H01L29/456 ,  H01L29/4941 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7804 ,  H01L29/7815 ,  H01L29/861

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，能够抑制阈值电压随时间变化而下降，并且能够防止铝布线引起的绝缘膜的腐蚀或铝尖峰引起的栅极源极间的短路。半导体装置的MOSFET单元具有多晶硅的栅极电极(6)以及在n-漂移层(2)的上部形成的n+源极区域(4)。栅极电极(6)上被层间绝缘膜(7)覆盖，Al的源极电极(101)在层间绝缘膜(7)上延伸。此外，在栅极电极(6)上连接有Al的栅极焊盘(102)。在源极电极(101)和层间绝缘膜(7)之间以及栅极焊盘(102)和栅极电极(6)之间分别配设有抑制Al的扩散的阻挡金属层(99)。

公开(公告)号：CN102903702A

公开(公告)日：2013-01-30

申请号：CN201210117261.2

申请日：2012-04-20

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 折附泰典 ,  油谷直毅 ,  樽井阳一郎

IPC: H01L23/64 ,  H01L29/78 ,  H01L23/522 ,  H01L27/02

CPC classification number: H01L29/7811 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/402 ,  H01L29/456 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7803 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种能够以少的工序数形成并且具备耐热性优良的温度检测元件的碳化硅（SiC）半导体装置。SiC半导体装置具备：半导体元件，形成在SiC基板（1）上；源极电极（15）以及栅极焊盘（16），使用在底面具备势垒金属（14）的布线层形成；测温电阻体（20），使用该布线层的势垒金属（14）的一部分形成。

公开(公告)号：CN102194669A

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN201110003496.4

申请日：2011-01-10

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 宇田幸生 ,  关谷晃一 ,  小林和雄 ,  樽井阳一郎

IPC: H01L21/04 ,  H01L21/66 ,  C23C16/26

CPC classification number: H01L29/7802 ,  C23C16/325 ,  C23C16/56 ,  H01L21/046 ,  H01L22/12 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  Y10S438/931

Abstract: 本发明提供一种碳化硅半导体装置的制造方法，能够精度良好且低成本地进行防止在退火处理时硅以及碳发生蒸发的保护膜的膜厚测定。在衬底保持器（35）上搭载晶片（WF）并置于成膜炉（32）内，利用真空泵经由气体排出部（33）对成膜炉（32）内进行真空排气，在极力除去残存的氧之后，一边经由气体导入部（31）导入Ar或氦（He）等的非活性气体，一边在减压下将成膜炉（32）内的温度加热到800℃～950℃的范围。达到该温度后，使非活性气体的流入停止，经由气体导入部（31）向成膜炉（32）内导入气化后的乙醇作为源气体，由此，在晶片（WF）的整个表面形成石墨膜。

公开(公告)号：CN101447468B

公开(公告)日：2011-01-12

申请号：CN200810178809.8

申请日：2008-12-01

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 盐泽胜臣 ,  金本恭三 ,  大石敏之 ,  黑川博志 ,  大塚健一 ,  樽井阳一郎 ,  德田安纪

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/28 ,  H01L33/00 ,  H01S5/00

CPC classification number: H01L33/40 ,  H01L33/32 ,  H01L2924/0002 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/22 ,  H01S5/32341 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供具有在电极间不产生电阻成分的p电极的氮化物半导体装置及其制造方法。p电极(12)由第一Pd膜(13)、Ta膜(14)和防止Ta膜(14)氧化的作为防氧化膜的第二Pd膜(15)构成，并且形成在由氮化物半导体构成的p型接触层(11)上。在该第二Pd膜(15)上形成焊盘电极(22)。作为防氧化膜的第二Pd膜(15)形成在构成p电极(12)的Ta膜(14)上部的整个面上，并且由于可以由该第二Pd膜(15)防止Ta膜(14)被氧化，所以能够抑制在p电极(12)和焊盘电极(22)之间产生的电阻成分。由此，由于能够防止p电极(12)和焊盘电极(22)之间的接触不良，所以，能够实现低电阻的p电极(12)。

公开(公告)号：CN101471253A

公开(公告)日：2009-07-01

申请号：CN200810190647.X

申请日：2008-12-26

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 樽井阳一郎 ,  大塚健一 ,  铃木洋介 ,  盐泽胜臣 ,  金本恭三 ,  大石敏之 ,  德田安纪 ,  大森达夫

IPC: H01L21/28 ,  H01L33/00 ,  H01S5/042

CPC classification number: H01L21/28575 ,  H01L29/2003 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/32 ,  H01L33/40

Abstract: 本发明涉及半导体装置的制造方法。本发明提供能够降低针对p型氮化物半导体层的欧姆电极的接触电阻，且能够长期稳定地进行工作的半导体装置的制造方法。在电极形成工序中，在p型GaN接触层(7)上依次形成作为第一p型欧姆电极(10)的Pd膜和作为第二p型欧姆电极(11)的Ta膜，在形成以包括Pd膜和Ta膜的金属膜构成的p型欧姆电极时，以在金属膜中含有氧原子的方式形成金属膜。这样，在金属膜中存在氧原子的状态下，在热处理工序中，在不含有包含氧原子的气体的气氛下对由金属膜构成的p型欧姆电极进行热处理。

公开(公告)号：CN101447645A

公开(公告)日：2009-06-03

申请号：CN200810182383.3

申请日：2008-11-28

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 大塚健一 ,  樽井阳一郎 ,  铃木洋介 ,  盐泽胜臣 ,  金本恭三 ,  大石敏之 ,  德田安纪 ,  大森达夫

IPC: H01S5/343 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/325 ,  H01L33/40 ,  H01S5/0421 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/22 ,  H01S5/2214 ,  H01S5/3063

Abstract: 本发明涉及半导体装置的制造方法。其目的在于得到不会导致装置性能恶化、能够进行长期稳定工作并且具有氮化镓系的半导体结构的半导体装置的制造方法。在脊部的表面上以外形成绝缘膜(8)以后，提供O2、O3、NO、N2O、NO2等的含有氧的气体，从表面对p型GaN接触层(7)进行氧化，由此，在p型GaN接触层(7)的表面形成氧化膜(9)。接下来，通过蒸镀或溅射，在氧化膜(9)以及绝缘膜(8)上形成谋求与p型GaN接触层(7)接触的p型电极(10)。之后，在400～700℃下，在氮气、NH3等含有氮的气体或Ar(氩)、He(氦)等惰性气体中进行热处理。

公开(公告)号：CN101447468A

公开(公告)日：2009-06-03

申请号：CN200810178809.8

申请日：2008-12-01

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 盐泽胜臣 ,  金本恭三 ,  大石敏之 ,  黑川博志 ,  大塚健一 ,  樽井阳一郎 ,  德田安纪

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/28 ,  H01L33/00 ,  H01S5/00

CPC classification number: H01L33/40 ,  H01L33/32 ,  H01L2924/0002 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/22 ,  H01S5/32341 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供具有在电极间不产生电阻成分的p电极的氮化物半导体装置及其制造方法。p电极(12)由第一Pd膜(13)、Ta膜(14)和防止Ta膜(14)氧化的作为防氧化膜的第二Pd膜(15)构成，并且形成在由氮化物半导体构成的p型接触层(11)上。在该第二Pd膜(15)上形成焊盘电极(22)。作为防氧化膜的第二Pd膜(15)形成在构成p电极(12)的Ta膜(14)上部的整个面上，并且由于可以由该第二Pd膜(15)防止Ta膜(14)被氧化，所以能够抑制在p电极(12)和焊盘电极(22)之间产生的电阻成分。由此，由于能够防止p电极(12)和焊盘电极(22)之间的接触不良，所以，能够实现低电阻的p电极(12)。

公开(公告)号：CN116057712B

公开(公告)日：2024-11-05

申请号：CN202080102138.6

申请日：2020-06-24

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 樽井阳一郎 ,  藤原伸夫 ,  田中贵规

IPC: H01L29/78

Abstract: 本公开涉及使用超级结构造的半导体装置，具备：第1导电类型的半导体基体；柱体部，具有在所述半导体基体上以向所述半导体基体的厚度方向突出的方式设置的第1导电类型的多个第1柱体以及第2导电类型的多个第2柱体；第1导电类型或者第2导电类型的柱体周边部，设置于所述柱体部的周围；以及半导体元件，将所述柱体部设置为活性区域，所述多个第1以及第2柱体具有条纹状的俯视时形状，在与各自的长度方向正交的柱体宽度方向上以并列的方式交替排列。

公开(公告)号：CN107431090B

公开(公告)日：2020-10-20

申请号：CN201580077932.9

申请日：2015-03-18

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 樽井阳一郎 ,  谷冈寿一 ,  折附泰典

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/739

Abstract: 本发明涉及一种电力用半导体装置，其具有：第1导电型的碳化硅半导体层；开关器件，其形成于碳化硅半导体层；第2导电型的电场缓和杂质区域，其形成于开关器件的形成区域的终端部，对终端部的电场进行缓和；以及第1导电型的附加区域，其设置于构成开关器件的多个单位单元的第2导电型的阱区域间以及至少所述电场缓和杂质区域的外侧，与碳化硅半导体层相比杂质浓度更高。

公开(公告)号：CN107078158B

公开(公告)日：2020-08-28

申请号：CN201480083226.0

申请日：2014-11-06

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 谷冈寿一 ,  樽井阳一郎 ,  古桥壮之

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12

Abstract: 碳化硅半导体装置(200)能够通过由栅极电压的施加来实现的沟道区域的控制而对导通状态及截止状态进行切换。碳化硅半导体装置(200)具有碳化硅层(20)、栅极绝缘膜(50)和栅极电极(60)。碳化硅层(20)具有沟道区域(CH)。栅极绝缘膜(50)将沟道区域(CH)覆盖。栅极电极(60)隔着栅极绝缘膜(50)而与沟道区域(CH)相对。导通状态下的沟道区域(CH)的电阻在大于或等于100℃而小于或等于150℃的温度具有最小值。