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公开(公告)号：CN108307699B
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN201780003973.2
申请日：2017-11-02
Applicant: 株式会社LG化学
Abstract: 本发明涉及用于制造绝缘层的方法，其可以以更快且更简单的方式制造，可以提高过程效率，可以容易地调节绝缘层的厚度，并且可以形成高分辨率的通孔而没有物理损坏；以及使用由制造绝缘层的方法获得的绝缘层来制造多层印刷电路板的方法。
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公开(公告)号：CN111417695A
公开(公告)日：2020-07-14
申请号：CN201880077578.3
申请日：2018-12-20
Applicant: 株式会社LG化学
IPC: C09J133/08 , C09J133/10 , C08L63/00 , C09J11/08 , C09J11/04 , C09J7/30
Abstract: 本发明涉及半导体用粘合膜，其包括：包含粘合粘结剂和散热填料的第一层；以及包含粘合粘结剂和磁性填料的第二层，第二层形成在第一层的至少一个表面上，其中粘合膜具有预定组成的在第一层和第二层中的每一者中包含的粘合粘结剂。
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公开(公告)号：CN105190442B
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201480013033.8
申请日：2014-09-22
Applicant: 株式会社LG化学
Abstract: 本发明涉及：一种制备阻焊干膜的方法，其通过更简化的方法能够允许形成具有表面微凸起的阻焊干膜；以及其中使用的层压膜。阻焊干膜的制备方法包括下列步骤：将预定的可光固化和热固化树脂组合物形成于透明载体膜上，所述透明载体膜具有平均粗糙度(Ra)为200nm至2μm的表面微凸起；通过将树脂组合物层压于基板上而形成其中基板、树脂组合物和透明载体膜依次形成的层状结构；曝光树脂组合物并剥离透明载体膜；以及碱性显影未曝光部分的树脂组合物并对其进行热固化。
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公开(公告)号：CN108174606B
公开(公告)日：2019-12-17
申请号：CN201780003642.9
申请日：2017-09-22
Applicant: 株式会社LG化学
IPC: C09J133/10 , C08L61/04 , C08L63/00 , C09J7/30
Abstract: 本发明涉及半导体用粘合树脂组合物，包含上述半导体用粘合树脂组合物的半导体用粘合膜，包括含有半导体用粘合膜的粘合层的切割管芯粘结膜，以及使用切割管芯粘结膜切割半导体晶片的方法，所述半导体用粘合树脂组合物包含：基于(甲基)丙烯酸酯的树脂，所述基于(甲基)丙烯酸酯的树脂包含含有基于环氧的官能团的基于(甲基)丙烯酸酯的重复单元和含有芳族官能团的基于(甲基)丙烯酸酯的重复单元，基于(甲基)丙烯酸酯的树脂的羟基当量重量为0.15eq/kg或更小；固化剂，所述固化剂包含软化点为100℃或更高的酚树脂；和环氧树脂，其中基于(甲基)丙烯酸酯的树脂中的含有芳族官能团的基于(甲基)丙烯酸酯的官能团的含量为2重量％至40重量％。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104380196B
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201480001532.5
申请日：2014-06-17
Applicant: 株式会社LG化学
Abstract: 本发明涉及一种光固化和热固性树脂组合物，所述光固化和热固性树脂组合物包含酸改性低聚物、光聚合单体、热固性粘合剂树脂、光引发剂、两种或多种彼此具有不同粒径的球形氧化铝颗粒及有机溶剂。本发明还涉及由所述树脂组合物获得的阻焊干膜及包含所述阻焊干膜的电路板。
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公开(公告)号：CN108174606A
公开(公告)日：2018-06-15
申请号：CN201780003642.9
申请日：2017-09-22
Applicant: 株式会社LG化学
IPC: C09J133/10 , C08L61/04 , C08L63/00 , C09J7/30
Abstract: 本发明涉及半导体用粘合树脂组合物，包含上述半导体用粘合树脂组合物的半导体用粘合膜，包括含有半导体用粘合膜的粘合层的切割管芯粘结膜，以及使用切割管芯粘结膜切割半导体晶片的方法，所述半导体用粘合树脂组合物包含：基于(甲基)丙烯酸酯的树脂，所述基于(甲基)丙烯酸酯的树脂包含含有基于环氧的官能团的基于(甲基)丙烯酸酯的重复单元和含有芳族官能团的基于(甲基)丙烯酸酯的重复单元(BzMA)，基于(甲基)丙烯酸酯的树脂的羟基当量重量为0.15eq/kg或更小；固化剂，所述固化剂包含软化点为100℃或更高的酚树脂；和环氧树脂，其中基于(甲基)丙烯酸酯的树脂中的含有芳族官能团的基于(甲基)丙烯酸酯的官能团的含量为2重量％至40重量％。
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公开(公告)号：CN105264033B
公开(公告)日：2018-05-18
申请号：CN201480031647.9
申请日：2014-12-29
Applicant: 株式会社LG化学
IPC: C09J7/20 , C09J133/04 , C09J163/00 , H01L21/301
CPC classification number: H01L21/6836 , C08L63/00 , C09D133/04 , C09J7/29 , C09J133/04 , C09J2203/326 , C09J2400/22 , C09J2433/006 , C09J2463/00 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/94 , H01L2221/68327 , H01L2221/68381 , H01L2224/27003 , H01L2224/271 , H01L2224/2919 , H01L2224/32245 , H01L2224/83885 , H01L2224/92 , H01L2224/94 , H01L2924/00012 , H01L2924/0665 , H01L2224/83862 , H01L2224/8388 , H01L2224/27 , H01L2221/68304 , H01L21/78
Abstract: 本发明涉及一种切割膜，其包括:基底膜；和粘合层，其中所述粘合层的储能模量在30℃下为3.0*105至4.0*106Pa，所述粘合层的交联度为80％至99％，还涉及一种包括所述切割膜的切割晶片粘合膜、及使用所述切割晶片粘合膜的半导体晶圆的切割方法。
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公开(公告)号：CN105324454A
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201480021827.9
申请日：2014-12-12
Applicant: 株式会社LG化学
IPC: C09J11/00 , C09J133/04 , C09J7/00 , C09J7/02 , H01L21/301
CPC classification number: C09J11/08 , C09J5/00 , C09J7/20 , C09J133/00 , C09J2201/128 , C09J2201/606 , C09J2203/326 , C09J2205/302 , C09J2205/31 , C09J2433/00 , C09J2463/00 , C09J2475/00 , C09J2483/00 , H01L21/26 , H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/94 , H01L2221/68336 , H01L2221/68377 , H01L2221/68381 , H01L2224/27003 , H01L2224/271 , H01L2224/27436 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/83203 , H01L2224/83204 , H01L2224/83862 , H01L2224/92 , H01L2224/92247 , H01L2224/94 , H01L2924/00014 , H01L2924/3512 , H01L2924/0665 , H01L2224/27 , H01L2924/00012 , H01L2224/83 , H01L2224/85 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明涉及一种用于形成切割膜的粘着层的组合物，其包含：含有一个以上反应性官能团的硅化合物油；粘着粘合剂；和光引发剂，其中含有一个以上反应性官能团的硅化合物油与粘着粘合剂的重量比为0.01％至4.5％；涉及一种包括含有所述组合物的粘着层的切割膜、和包括所述切割膜的切割晶片接合膜、及使用所述切割晶片接合膜的半导体晶圆的切割方法。
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