公开(公告)号：CN102867847A

公开(公告)日：2013-01-09

申请号：CN201210233277.X

申请日：2012-07-05

申请人： 索尼公司

发明人： 香川恵永 ,  青柳健一 ,  萩本贤哉 ,  藤井宣年

IPC分类号： H01L29/40 ,  H01L23/522 ,  H01L21/28 ,  H01L21/768 ,  H01L27/146

CPC分类号： H01L27/14636 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76841 ,  H01L21/76843 ,  H01L23/481 ,  H01L23/528 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53266 ,  H01L23/53295 ,  H01L23/564 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/08 ,  H01L24/80 ,  H01L24/83 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/1469 ,  H01L2221/1031 ,  H01L2224/02245 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/0508 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05546 ,  H01L2224/05547 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05578 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05686 ,  H01L2224/08121 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/0903 ,  H01L2224/80011 ,  H01L2224/80013 ,  H01L2224/80091 ,  H01L2224/80097 ,  H01L2224/80203 ,  H01L2224/80345 ,  H01L2224/80357 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/83345 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/13091 ,  H04N5/369 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/053 ,  H01L2924/049 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

摘要： 本发明公开了半导体器件、半导体器件制造方法及电子装置。所述半导体器件包括第一基板和第二基板。所述第一基板包括第一电极以及第一绝缘膜，所述第一绝缘膜由针对所述第一电极的防扩散材料构成并覆盖所述第一电极的周边。所述第一电极与所述第一绝缘膜互相配合而构成结合表面。所述第二基板结合至所述第一基板并设置于所述第一基板上，且所述第二基板包括第二电极以及第二绝缘膜，所述第二电极接合至所述第一电极，所述第二绝缘膜由针对所述第二电极的防扩散材料构成并覆盖所述第二电极的周边。所述第二电极与所述第二绝缘膜互相配合而构成与所述第一基板相结合的结合表面。本发明能够确保电极的结合强度，同时能够防止电极材料的扩散。