公开(公告)号：CN104916619B

公开(公告)日：2019-07-12

申请号：CN201410444601.1

申请日：2014-09-03

申请人： 东芝存储器株式会社

发明人： 河崎一茂 ,  栗田洋一郎

IPC分类号： H01L23/522 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L25/18 ,  H01L21/563 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/295 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3135 ,  H01L24/03 ,  H01L24/09 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/73 ,  H01L24/80 ,  H01L24/81 ,  H01L24/92 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/02317 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/03002 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/08146 ,  H01L2224/11002 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/1703 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29298 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73251 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73259 ,  H01L2224/80203 ,  H01L2224/80357 ,  H01L2224/80862 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/9222 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06524 ,  H01L2225/06544 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/80001 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/014

摘要： 本发明提供一种可以降低贯通电极部分的寄生电容的半导体装置及其制造方法。第2芯片层叠在第1芯片的第1配线层侧。第2芯片包含：第2半导体层，具有与第1配线层对向的第2电路面、及第2电路面的相反侧的第2背面；第2配线层，设置在第2电路面并与第1芯片的第1配线层连接；及第2贯通电极，贯通第2半导体层而设置，并连接于第2配线层。第3芯片层叠在第2芯片的第2背面侧。第3芯片包含：第3半导体层，具有第3电路面、及与第2芯片对向的第3背面；第3配线层，设置在第3电路面；及第3贯通电极，贯通第3半导体层而设置，连接于第3配线层，并且利用凸块而连接于第2芯片的第2贯通电极。

公开(公告)号：CN107369631A

公开(公告)日：2017-11-21

申请号：CN201710315343.0

申请日：2017-05-05

申请人： 松下知识产权经营株式会社

发明人： 岸新 ,  圆尾弘树

IPC分类号： H01L21/603

CPC分类号： B23K1/0016 ,  B23K35/26 ,  B23K35/264 ,  B23K2101/36 ,  B23K2103/08 ,  C22C12/00 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16501 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/9211 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L24/80 ,  H01L2224/80203

摘要： 本发明提供一种电路部件的连接方法，包括：第1工序，准备在粘合剂中分散了焊料的连接材料；第2工序，以第1电路部件的第1电极与第2电路部件的第2电极隔着连接材料对置的方式，配置第1电路部件和第2电路部件；和第3工序，一边对连接材料加热，一边对第1电路部件与第2电路部件进行压接。第3工序具有：在连接材料的温度达到焊料的熔点之前进行的第1按压工序、以及继第1按压工序之后的第2按压工序。

公开(公告)号：CN107134408A

公开(公告)日：2017-09-05

申请号：CN201611190738.4

申请日：2016-12-21

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 黄信华 ,  林永隆 ,  刘丙寅 ,  蔡嘉雄

IPC分类号： H01L21/18 ,  H01L21/67

CPC分类号： H01L21/68764 ,  H01L21/02049 ,  H01L21/187 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/76251 ,  H01L22/12 ,  H01L22/20 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L24/799 ,  H01L24/80 ,  H01L24/94 ,  H01L24/98 ,  H01L2224/04 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/80203 ,  H01L2224/80801 ,  H01L2224/80805 ,  H01L2224/80893 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/80908 ,  H01L2224/80948 ,  H01L2224/80986 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/80 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/08 ,  H01L2224/808 ,  H01L21/67011

摘要： 本发明公开了一种半导体制造方法。该方法包括：提供第一晶圆和第二晶圆，其中，所述第一晶圆和所述第二晶圆接合在一起；将已接合的所述第一晶圆和所述第二晶圆浸没在超声波传输介质中；产生超声波；以及通过超声波传输介质，将超声波传导至已接合的第一晶圆和第二晶圆并且持续预定的时间段。本发明还公开了相关的用于至少减弱接合晶圆的接合强度的半导体制造系统。

公开(公告)号：CN106486027A

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201610756200.9

申请日：2016-08-29

申请人： 三星显示有限公司

发明人： 金武谦

IPC分类号： G09F9/33

CPC分类号： H01L24/97 ,  H01L21/6835 ,  H01L24/03 ,  H01L24/80 ,  H01L24/81 ,  H01L24/92 ,  H01L24/95 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2224/03002 ,  H01L2224/04 ,  H01L2224/80003 ,  H01L2224/80201 ,  H01L2224/80203 ,  H01L2224/80224 ,  H01L2224/80401 ,  H01L2224/80417 ,  H01L2224/80423 ,  H01L2224/80424 ,  H01L2224/80438 ,  H01L2224/80439 ,  H01L2224/80444 ,  H01L2224/80447 ,  H01L2224/80455 ,  H01L2224/80464 ,  H01L2224/80466 ,  H01L2224/80469 ,  H01L2224/80471 ,  H01L2224/80478 ,  H01L2224/8048 ,  H01L2224/80484 ,  H01L2224/81001 ,  H01L2224/81201 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81224 ,  H01L2224/81401 ,  H01L2224/81417 ,  H01L2224/81423 ,  H01L2224/81424 ,  H01L2224/81438 ,  H01L2224/81439 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/81455 ,  H01L2224/81464 ,  H01L2224/81466 ,  H01L2224/81469 ,  H01L2224/81471 ,  H01L2224/81478 ,  H01L2224/8148 ,  H01L2224/81484 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/9222 ,  H01L2224/95 ,  H01L2224/95001 ,  H01L2224/95085 ,  H01L2224/951 ,  H01L2224/95136 ,  H01L2224/95144 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/10156 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2224/03 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0106 ,  H01L2924/01003 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2224/80 ,  H01L2224/81 ,  H01L2221/68304 ,  H01L21/78 ,  H01L2221/68381 ,  G09F9/33

摘要： 提供了一种制造显示装置的方法和用该方法制造的显示装置。所述方法包括：将包括开口的掩模浸入在溶液中；在掩模的开口中分别安置发光二极管芯片；在掩模下方布置包括在其上的第一布线的第一柔性基底，并且使第一布线对准以分别与掩模的开口对应；将具有与掩模的开口对应的第一布线的第一柔性基底和具有安置在掩模的开口中的发光二极管芯片的掩模一起从溶液中移开；使发光二极管芯片与第一布线彼此结合；提供包括在其上的第二布线的第二柔性基底，并且使第二布线对准以分别与发光二极管芯片对应；以及使发光二极管芯片与第二布线彼此结合以形成显示装置。

公开(公告)号：CN105448862A

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201410514075.1

申请日：2014-09-29

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

发明人： 丁敬秀 ,  何作鹏

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/52 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L23/544 ,  H01L21/68 ,  H01L24/03 ,  H01L24/09 ,  H01L24/89 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/03618 ,  H01L2224/05111 ,  H01L2224/05113 ,  H01L2224/05116 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/8013 ,  H01L2224/80203 ,  H01L2224/80801 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06593 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/20104 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/20109

摘要： 一种半导体结构及其制作方法，其中半导体结构的制作方法包括：提供第一晶圆以及第二晶圆，第一晶圆内形成有第一金属层，第二晶圆内形成有第二金属层；在第一晶圆表面形成第一材料层；在第二晶圆表面形成第二材料层；对所述第一晶圆与第二晶圆进行对准处理以及键合处理，使第一材料层与第二材料层对准且表面相接触；在进行键合处理后，对所述第一材料层以及第二材料层进行加热处理，使第一材料层以及第二材料层相互熔融，提高第一金属层与第二金属层之间的对准精度。本发明利用第一材料层以及第二材料层相互熔融产生的表面张力，使第一材料层和第二材料层相互拉近，从而提高第一金属层和第二金属层之间的对准精度，减小键合偏移。

公开(公告)号：CN102376664B

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：CN201110225510.5

申请日：2011-08-08

申请人： 三菱电机株式会社

发明人： 小坂尚希 ,  天清宗山 ,  金谷康

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L25/065 ,  H01L23/12 ,  H01L21/48 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/80 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/49833 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/94 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7322 ,  H01L2221/6835 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/11831 ,  H01L2224/11845 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/274 ,  H01L2224/27831 ,  H01L2224/27845 ,  H01L2224/29011 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/8001 ,  H01L2224/80013 ,  H01L2224/80123 ,  H01L2224/80129 ,  H01L2224/8013 ,  H01L2224/80132 ,  H01L2224/80201 ,  H01L2224/80203 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06551 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1423 ,  H05K1/14 ,  H05K2201/047 ,  H05K2201/10515 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01031

摘要： 本发明提供一种能够节减化合物半导体材料并且得到使用了化合物半导体的高性能的半导体元件的半导体装置、半导体电路基板及半导体电路基板的制造方法。半导体电路基板具有晶体管形成基板（10）和电路形成基板（50）。晶体管形成基板（10）是GaN基板，在表面形成BJT（40）。晶体管形成基板（10）的背面平滑，并且在背面具有接触区域。电路形成基板（50）由化合物半导体以外的材料形成，不具有半导体有源元件。电路形成基板（50）为平滑的表面，具有以在表面露出的方式埋入的接触区域（52、54）及无源电路（未图示）。晶体管形成基板（10）和电路形成基板（50）不插入绝缘膜等其他膜地直接接合。

公开(公告)号：CN103531492A

公开(公告)日：2014-01-22

申请号：CN201210382930.9

申请日：2012-10-10

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 刘丙寅 ,  林诗玮 ,  黄信华 ,  赵兰璘 ,  蔡嘉雄

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： H01L24/80 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L24/27 ,  H01L24/74 ,  H01L24/94 ,  H01L2224/02215 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/03616 ,  H01L2224/0381 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05687 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/74 ,  H01L2224/7501 ,  H01L2224/75101 ,  H01L2224/7565 ,  H01L2224/75753 ,  H01L2224/75824 ,  H01L2224/80004 ,  H01L2224/80007 ,  H01L2224/8001 ,  H01L2224/80011 ,  H01L2224/80013 ,  H01L2224/80014 ,  H01L2224/80065 ,  H01L2224/80075 ,  H01L2224/80097 ,  H01L2224/80121 ,  H01L2224/80136 ,  H01L2224/80203 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/83889 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/351 ,  Y10T156/15 ,  Y10T156/1744 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/80 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/00 ,  H01L21/67121 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/10

摘要： 本发明公开了用于半导体晶圆的混合接合系统和方法。在一个实施例中，用于半导体晶圆的混合接合系统包括室和多个设置在该室内的副室。机械夹持器设置在该室内，适用于在多个副室之间移动室内的多个半导体晶圆。多个副室包括：适用于从多个半导体晶圆去除保护层的第一副室，以及适用于在将多个半导体晶圆混合接合在一起之前激活多个半导体晶圆的顶面的第二副室。多个副室还包括适用于对准多个半导体晶圆和将多个半导体晶圆混合接合在一起的第三副室。

公开(公告)号：CN102867847A

公开(公告)日：2013-01-09

申请号：CN201210233277.X

申请日：2012-07-05

申请人： 索尼公司

发明人： 香川恵永 ,  青柳健一 ,  萩本贤哉 ,  藤井宣年

IPC分类号： H01L29/40 ,  H01L23/522 ,  H01L21/28 ,  H01L21/768 ,  H01L27/146

CPC分类号： H01L27/14636 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76841 ,  H01L21/76843 ,  H01L23/481 ,  H01L23/528 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53266 ,  H01L23/53295 ,  H01L23/564 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/08 ,  H01L24/80 ,  H01L24/83 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/1469 ,  H01L2221/1031 ,  H01L2224/02245 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/0508 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05546 ,  H01L2224/05547 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05578 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05686 ,  H01L2224/08121 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/0903 ,  H01L2224/80011 ,  H01L2224/80013 ,  H01L2224/80091 ,  H01L2224/80097 ,  H01L2224/80203 ,  H01L2224/80345 ,  H01L2224/80357 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/83345 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/13091 ,  H04N5/369 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/053 ,  H01L2924/049 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

摘要： 本发明公开了半导体器件、半导体器件制造方法及电子装置。所述半导体器件包括第一基板和第二基板。所述第一基板包括第一电极以及第一绝缘膜，所述第一绝缘膜由针对所述第一电极的防扩散材料构成并覆盖所述第一电极的周边。所述第一电极与所述第一绝缘膜互相配合而构成结合表面。所述第二基板结合至所述第一基板并设置于所述第一基板上，且所述第二基板包括第二电极以及第二绝缘膜，所述第二电极接合至所述第一电极，所述第二绝缘膜由针对所述第二电极的防扩散材料构成并覆盖所述第二电极的周边。所述第二电极与所述第二绝缘膜互相配合而构成与所述第一基板相结合的结合表面。本发明能够确保电极的结合强度，同时能够防止电极材料的扩散。

公开(公告)号：CN104733327B

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201410778317.8

申请日：2014-12-15

申请人： IMEC公司 ,  鲁汶天主教大学

发明人： V·杜贝 ,  I·德沃尔夫 ,  E·贝内

IPC分类号： H01L21/50 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L23/3157 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/528 ,  H01L24/02 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L24/09 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/33 ,  H01L24/80 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0213 ,  H01L2224/0214 ,  H01L2224/02145 ,  H01L2224/0217 ,  H01L2224/02175 ,  H01L2224/0218 ,  H01L2224/02185 ,  H01L2224/0224 ,  H01L2224/0225 ,  H01L2224/02255 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/08225 ,  H01L2224/0903 ,  H01L2224/10135 ,  H01L2224/10145 ,  H01L2224/10165 ,  H01L2224/10175 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16147 ,  H01L2224/16148 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/1703 ,  H01L2224/80004 ,  H01L2224/80007 ,  H01L2224/80121 ,  H01L2224/8013 ,  H01L2224/80132 ,  H01L2224/80143 ,  H01L2224/80203 ,  H01L2224/80894 ,  H01L2224/80907 ,  H01L2224/81002 ,  H01L2224/81007 ,  H01L2224/81121 ,  H01L2224/8113 ,  H01L2224/81132 ,  H01L2224/81141 ,  H01L2224/81143 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/81894 ,  H01L2224/81907 ,  H01L2224/83143 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06593 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014

摘要： 本发明涉及用于对准微电子组件的方法。根据本发明，第一微电子组件到第二微电子组件的接收表面的对准通过由毛细作用力产生的自对准，结合静电对准，来实现。后者通过沿对应组件的周边提供至少一个第一电导线以及沿第二组件的接收表面上的要放置所述组件的位置的周边提供至少一个第二电导体来实现。由导线围绕的接触区覆盖有润湿层。电导线可被嵌入在沿所述周边行进以创建可润湿能力对比的抗湿材料带中。可润湿能力对比在维持接触区之间的一滴对准液体方面是可操纵的，以通过毛细作用力来获得自对准。通过对导线施加适当的电荷，实现了静电自对准，它改进了通过毛细作用力获得的对准并在液体的蒸发期间维持所述对准。

公开(公告)号：CN105448862B

公开(公告)日：2018-08-10

申请号：CN201410514075.1

申请日：2014-09-29

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

发明人： 丁敬秀 ,  何作鹏

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/52 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L23/544 ,  H01L21/68 ,  H01L24/03 ,  H01L24/09 ,  H01L24/89 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/03618 ,  H01L2224/05111 ,  H01L2224/05113 ,  H01L2224/05116 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/8013 ,  H01L2224/80203 ,  H01L2224/80801 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06593 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/20104 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/20109

摘要： 一种半导体结构及其制作方法，其中半导体结构的制作方法包括：提供第一晶圆以及第二晶圆，第一晶圆内形成有第一金属层，第二晶圆内形成有第二金属层；在第一晶圆表面形成第一材料层；在第二晶圆表面形成第二材料层；对所述第一晶圆与第二晶圆进行对准处理以及键合处理，使第一材料层与第二材料层对准且表面相接触；在进行键合处理后，对所述第一材料层以及第二材料层进行加热处理，使第一材料层以及第二材料层相互熔融，提高第一金属层与第二金属层之间的对准精度。本发明利用第一材料层以及第二材料层相互熔融产生的表面张力，使第一材料层和第二材料层相互拉近，从而提高第一金属层和第二金属层之间的对准精度，减小键合偏移。