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公开(公告)号：CN103247593B
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201210192129.8
申请日：2012-06-11
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L23/522 , H01L21/768
CPC分类号： H01L24/11 , H01L21/0214 , H01L21/0217 , H01L21/02271 , H01L21/768 , H01L23/3114 , H01L23/3171 , H01L23/3192 , H01L23/564 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L2224/0231 , H01L2224/02311 , H01L2224/0239 , H01L2224/024 , H01L2224/0345 , H01L2224/03452 , H01L2224/0346 , H01L2224/0401 , H01L2224/05008 , H01L2224/05022 , H01L2224/05082 , H01L2224/05111 , H01L2224/05124 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05166 , H01L2224/05181 , H01L2224/05572 , H01L2224/05611 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05666 , H01L2224/05681 , H01L2224/05686 , H01L2224/1146 , H01L2224/11849 , H01L2224/13005 , H01L2224/13022 , H01L2224/13023 , H01L2224/13024 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/13113 , H01L2224/13116 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/16227 , H01L2224/16237 , H01L2224/81011 , H01L2224/81191 , H01L2224/81411 , H01L2224/81413 , H01L2224/81416 , H01L2224/81439 , H01L2224/81447 , H01L2224/81455 , H01L2224/81815 , H01L2224/8191 , H01L2924/00014 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/014 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/12042 , H01L2924/20755 , H01L2924/20756 , H01L2924/20757 , H01L2924/20758 , H01L2924/20759 , H01L2924/2076 , H01L2224/05552 , H01L2924/00
摘要： 半导体器件包括形成在钝化后互连(PPI)结构的表面上的介电层。聚合物层形成在介电层上方并且将该聚合物层图案化为具有开口以露出介电层的一部分。然后去除介电层的露出部分以露出PPI结构的一部分。然后在PPI结构的第一部分的上方形成焊料凸块并且焊料凸块与PPI结构的第一部分电连接。本发明还提供了钝化后互连结构及其形成方法。
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公开(公告)号：CN103633059B
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201210479913.7
申请日：2012-11-22
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L23/498 , H01L21/48
CPC分类号： H01L21/56 , H01L21/566 , H01L23/293 , H01L23/3171 , H01L23/3192 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L2224/0391 , H01L2224/0401 , H01L2224/05005 , H01L2224/05022 , H01L2224/05027 , H01L2224/05083 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05541 , H01L2224/05556 , H01L2224/05558 , H01L2224/05567 , H01L2224/05572 , H01L2224/05611 , H01L2224/05644 , H01L2224/05655 , H01L2224/05666 , H01L2224/05681 , H01L2224/05686 , H01L2224/10126 , H01L2224/11831 , H01L2224/1191 , H01L2224/13022 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/13113 , H01L2224/13116 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/16 , H01L2924/00014 , H01L2924/12042 , H01L2924/181 , H01L2924/04953 , H01L2924/04941 , H01L2924/014 , H01L2924/00012 , H01L2924/01047 , H01L2924/206 , H01L2224/05552 , H01L2924/00
摘要： 本发明公开了半导体封装件及其制造方法，其中该半导体封装件包括：半导体衬底、位于半导体衬底上方的接触焊盘、位于接触焊盘上方的互连层、形成在接触焊盘和互连层之间的钝化层、位于互连层上方的凸块以及位于互连层和钝化层上方并覆盖凸块的下部的保护层。保护层包括弯曲表面区。
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公开(公告)号：CN103299419A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201180064944.X
申请日：2011-11-14
申请人： 德塞拉股份有限公司
发明人： 贝勒卡西姆·哈巴
IPC分类号： H01L23/485 , H01L21/60
CPC分类号： H01L24/05 , H01L23/49838 , H01L24/03 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L25/0657 , H01L2224/03001 , H01L2224/03003 , H01L2224/0311 , H01L2224/0401 , H01L2224/04026 , H01L2224/05551 , H01L2224/05552 , H01L2224/05555 , H01L2224/05568 , H01L2224/0557 , H01L2224/05571 , H01L2224/05572 , H01L2224/05576 , H01L2224/05644 , H01L2224/05655 , H01L2224/05686 , H01L2224/0569 , H01L2224/13022 , H01L2224/13023 , H01L2224/16145 , H01L2224/16221 , H01L2224/29018 , H01L2224/29026 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01023 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/10253 , H01L2924/1032 , H01L2924/10329 , H01L2924/1037 , H01L2924/1203 , H01L2924/12042 , H01L2924/1304 , H01L2924/14 , H01L2924/1433 , H01L2924/1436 , H01L2924/1437 , H01L2924/1461 , H01L2924/20107 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： 提供了组件(100)及制造组件的方法。组件(100)可包括第一元器件(105)，第一元器件包括具有暴露表面(122)的介电区域(120)、在表面(122)上由导电元件(132)限定的导电垫(134)、及与导电垫(134)接合的导电结合材料(140)，导电元件的至少一部分在振荡路径或螺旋路径中沿表面(122)延伸，导电结合材料与介电表面(122)的位于相邻段(136,138)之间的暴露部分(137)桥接。导电垫(134)可允许第一元器件(105)与具有端子(108)的第二元器件(107)电互连，端子与垫(134)通过导电结合材料(140)而接合。导电元件(132)的路径可自身重叠或横穿，或可不自身重叠或横穿。
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公开(公告)号：CN102969336A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201210055411.1
申请日：2012-03-05
申请人： 株式会社东芝
发明人： 远藤光芳
CPC分类号： H01L24/05 , H01L21/76256 , H01L24/08 , H01L2224/05556 , H01L2224/05559 , H01L2224/05573 , H01L2224/05576 , H01L2224/056 , H01L2224/05686 , H01L2224/08145 , H01L2224/8385 , H01L2224/83895 , H01L2224/83896 , H01L2224/94 , H01L2224/83 , H01L2924/00014 , H01L2924/053 , H01L2924/05442 , H01L2924/049 , H01L2924/05042
摘要： 本发明提供半导体晶片及具备该半导体晶片的叠层构造体。根据一个实施方式，半导体晶片具备半导体基板和形成在半导体基板上的布线层。在该半导体晶片中，半导体基板具备位于半导体基板的外周部、且未被布线层覆盖的第1区域，布线层具备布线层的上表面大致平坦的第2区域，在第1区域形成了第1绝缘膜，第2区域的布线层的上表面和第1绝缘膜的上表面大致为同一面。
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公开(公告)号：CN102867795A
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201210237416.6
申请日：2012-07-09
申请人： 瑞萨电子株式会社
发明人： 押田大介
IPC分类号： H01L23/48 , H01L21/768
CPC分类号： H01L24/03 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L23/522 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L2224/0401 , H01L2224/05025 , H01L2224/05546 , H01L2224/05548 , H01L2224/05567 , H01L2224/05571 , H01L2224/05573 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/05649 , H01L2224/05657 , H01L2224/05666 , H01L2224/05684 , H01L2224/05686 , H01L2224/06181 , H01L2224/13025 , H01L2224/13111 , H01L2224/14181 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2924/00014 , H01L2924/01029 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/01047 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/05552
摘要： 本发明提供了一种半导体器件及制造该半导体器件的方法，所述半导体器件具有供应大电流的第一通路和第一互连，其中具有第一通路和第一互连的第一表面是平坦的。该半导体器件具有：第一通路，其从第一衬底的第一表面穿透第一衬底；和第一互连，其掩埋在第一衬底的第一表面中且与至少一个第一通路的一端连接。第一通路具有倾斜部分，在该倾斜部分中，形成在第一通路的侧面和第一通路的底部之间的角度大于形成在第一互连的侧面和第一互连的底部之间的角度。
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公开(公告)号：CN103178025B
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201210557719.6
申请日：2012-12-20
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
CPC分类号： H01L23/142 , H01L23/3107 , H01L23/4334 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L2224/056 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05686 , H01L2224/0603 , H01L2224/06181 , H01L2224/291 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/48137 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/83192 , H01L2924/00014 , H01L2924/10252 , H01L2924/10253 , H01L2924/10271 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/014 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
摘要： 本发明涉及半导体器件和制造方法。在各个实施例中，一种半导体器件可以包括：载体；半导体芯片，设置在载体的第一侧上方；叠层，设置在载体与半导体芯片之间或者载体的与半导体芯片相对的第二侧上方或者二者，该叠层至少包括第一电绝缘层，该第一电绝缘层具有层压片，该层压片具有第一电绝缘基质材料以及嵌入到第一电绝缘基质材料中的第一机械稳定材料。
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公开(公告)号：CN102693922B
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201210036308.2
申请日：2012-02-15
申请人： 马维尔国际贸易有限公司
发明人： S·苏塔雅
IPC分类号： H01L21/60 , H01L23/488
CPC分类号： H01L23/485 , H01L24/05 , H01L24/48 , H01L24/85 , H01L2224/0213 , H01L2224/0217 , H01L2224/04042 , H01L2224/05011 , H01L2224/05186 , H01L2224/05551 , H01L2224/05564 , H01L2224/05573 , H01L2224/05576 , H01L2224/05578 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05686 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48624 , H01L2224/48644 , H01L2224/48647 , H01L2224/48655 , H01L2224/48686 , H01L2224/48824 , H01L2224/48844 , H01L2224/48847 , H01L2224/48855 , H01L2224/48886 , H01L2224/85035 , H01L2224/85365 , H01L2924/00014 , H01L2924/01327 , H01L2924/05442 , H01L2924/05042 , H01L2924/01029 , H01L2924/01014 , H01L2924/00 , H01L2224/05552
摘要： 本发明的实施例涉及键合焊盘上的钝化材料的图案及其制造方法。一种方法包括在电子组件上形成焊盘。该焊盘包括导电材料。该方法进一步包括在导电材料的表面上提供钝化材料，以及从该表面去除钝化材料以暴露导电材料的部分从而形成包括导电材料和钝化材料的键合焊盘。
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公开(公告)号：CN102969336B
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201210055411.1
申请日：2012-03-05
申请人： 株式会社东芝
发明人： 远藤光芳
CPC分类号： H01L24/05 , H01L21/76256 , H01L24/08 , H01L2224/05556 , H01L2224/05559 , H01L2224/05573 , H01L2224/05576 , H01L2224/056 , H01L2224/05686 , H01L2224/08145 , H01L2224/8385 , H01L2224/83895 , H01L2224/83896 , H01L2224/94 , H01L2224/83 , H01L2924/00014 , H01L2924/053 , H01L2924/05442 , H01L2924/049 , H01L2924/05042
摘要： 本发明提供半导体晶片及具备该半导体晶片的叠层构造体。根据一个实施方式，半导体晶片具备半导体基板和形成在半导体基板上的布线层。在该半导体晶片中，半导体基板具备位于半导体基板的外周部、且未被布线层覆盖的第1区域，布线层具备布线层的上表面大致平坦的第2区域，在第1区域形成了第1绝缘膜，第2区域的布线层的上表面和第1绝缘膜的上表面大致为同一面。
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公开(公告)号：CN103247593A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201210192129.8
申请日：2012-06-11
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L23/522 , H01L21/768
CPC分类号： H01L24/11 , H01L21/0214 , H01L21/0217 , H01L21/02271 , H01L21/768 , H01L23/3114 , H01L23/3171 , H01L23/3192 , H01L23/564 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L2224/0231 , H01L2224/02311 , H01L2224/0239 , H01L2224/024 , H01L2224/0345 , H01L2224/03452 , H01L2224/0346 , H01L2224/0401 , H01L2224/05008 , H01L2224/05022 , H01L2224/05082 , H01L2224/05111 , H01L2224/05124 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05166 , H01L2224/05181 , H01L2224/05572 , H01L2224/05611 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05666 , H01L2224/05681 , H01L2224/05686 , H01L2224/1146 , H01L2224/11849 , H01L2224/13005 , H01L2224/13022 , H01L2224/13023 , H01L2224/13024 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/13113 , H01L2224/13116 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/16227 , H01L2224/16237 , H01L2224/81011 , H01L2224/81191 , H01L2224/81411 , H01L2224/81413 , H01L2224/81416 , H01L2224/81439 , H01L2224/81447 , H01L2224/81455 , H01L2224/81815 , H01L2224/8191 , H01L2924/00014 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/014 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/12042 , H01L2924/20755 , H01L2924/20756 , H01L2924/20757 , H01L2924/20758 , H01L2924/20759 , H01L2924/2076 , H01L2224/05552 , H01L2924/00
摘要： 半导体器件包括形成在钝化后互连(PPI)结构的表面上的介电层。聚合物层形成在介电层上方并且将该聚合物层图案化为具有开口以露出介电层的一部分。然后去除介电层的露出部分以露出PPI结构的一部分。然后在PPI结构的第一部分的上方形成焊料凸块并且焊料凸块与PPI结构的第一部分电连接。本发明还提供了钝化后互连结构及其形成方法。
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公开(公告)号：CN102867847A
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201210233277.X
申请日：2012-07-05
申请人： 索尼公司
IPC分类号： H01L29/40 , H01L23/522 , H01L21/28 , H01L21/768 , H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14636 , H01L21/76807 , H01L21/7684 , H01L21/76841 , H01L21/76843 , H01L23/481 , H01L23/528 , H01L23/5283 , H01L23/53223 , H01L23/53238 , H01L23/53266 , H01L23/53295 , H01L23/564 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/08 , H01L24/80 , H01L24/83 , H01L27/0688 , H01L27/14609 , H01L27/14621 , H01L27/14625 , H01L27/1464 , H01L27/14645 , H01L27/1469 , H01L2221/1031 , H01L2224/02245 , H01L2224/05027 , H01L2224/0508 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05166 , H01L2224/05181 , H01L2224/05546 , H01L2224/05547 , H01L2224/05571 , H01L2224/05573 , H01L2224/05578 , H01L2224/05647 , H01L2224/05686 , H01L2224/08121 , H01L2224/08145 , H01L2224/0903 , H01L2224/80011 , H01L2224/80013 , H01L2224/80091 , H01L2224/80097 , H01L2224/80203 , H01L2224/80345 , H01L2224/80357 , H01L2224/80895 , H01L2224/80896 , H01L2224/83345 , H01L2924/00014 , H01L2924/12043 , H01L2924/13091 , H04N5/369 , H01L2924/00012 , H01L2924/05442 , H01L2924/05042 , H01L2924/053 , H01L2924/049 , H01L2924/00 , H01L2224/05552
摘要： 本发明公开了半导体器件、半导体器件制造方法及电子装置。所述半导体器件包括第一基板和第二基板。所述第一基板包括第一电极以及第一绝缘膜，所述第一绝缘膜由针对所述第一电极的防扩散材料构成并覆盖所述第一电极的周边。所述第一电极与所述第一绝缘膜互相配合而构成结合表面。所述第二基板结合至所述第一基板并设置于所述第一基板上，且所述第二基板包括第二电极以及第二绝缘膜，所述第二电极接合至所述第一电极，所述第二绝缘膜由针对所述第二电极的防扩散材料构成并覆盖所述第二电极的周边。所述第二电极与所述第二绝缘膜互相配合而构成与所述第一基板相结合的结合表面。本发明能够确保电极的结合强度，同时能够防止电极材料的扩散。
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