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公开(公告)号：CN104867895B
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201410344902.7
申请日：2014-07-18
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L23/488 , H01L21/60
CPC分类号： H01L24/80 , H01L24/02 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/89 , H01L25/0657 , H01L2224/02181 , H01L2224/0219 , H01L2224/0345 , H01L2224/03452 , H01L2224/0346 , H01L2224/03616 , H01L2224/05082 , H01L2224/05083 , H01L2224/0516 , H01L2224/05546 , H01L2224/05547 , H01L2224/05559 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05684 , H01L2224/0603 , H01L2224/06517 , H01L2224/08147 , H01L2224/80011 , H01L2224/80012 , H01L2224/80013 , H01L2224/80014 , H01L2224/8084 , H01L2224/80895 , H01L2224/80896 , H01L2224/80948 , H01L2224/8192 , H01L2224/94 , H01L2225/06524 , H01L2924/01026 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/04953 , H01L2924/12042 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2224/80001
摘要： 在本发明中提供了一种半导体器件及其制造方法。在实施例中，在第一衬底上方形成一个或多个钝化层。在钝化层中形成凹槽且在凹槽中形成一个或多个导电焊盘。在钝化层和导电焊盘之间形成一个或多个阻挡层。将第一衬底的导电焊盘与第二衬底的导电焊盘对准，并且使用直接接合方法使第一导电焊盘与第二导电焊盘接合。本发明还涉及晶圆接合工艺和结构。
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公开(公告)号：CN104054171B
公开(公告)日：2017-11-07
申请号：CN201280053476.0
申请日：2012-08-03
申请人： 国际商业机器公司
CPC分类号： H01L23/4825 , H01L21/6835 , H01L21/76819 , H01L22/32 , H01L22/34 , H01L23/5223 , H01L23/5283 , H01L24/02 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/08 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/80 , H01L24/81 , H01L29/1054 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68363 , H01L2221/68381 , H01L2224/0361 , H01L2224/0401 , H01L2224/05166 , H01L2224/05187 , H01L2224/05567 , H01L2224/05624 , H01L2224/05687 , H01L2224/06181 , H01L2224/08225 , H01L2224/131 , H01L2224/73251 , H01L2224/80011 , H01L2224/80013 , H01L2224/80075 , H01L2224/80203 , H01L2224/804 , H01L2224/80487 , H01L2224/80896 , H01L2224/80907 , H01L2224/80948 , H01L2224/81203 , H01L2224/81801 , H01L2224/81815 , H01L2924/00014 , H01L2924/12042 , H01L2924/1305 , H01L2924/1306 , H01L2924/13062 , H01L2924/15788 , H01L2924/014 , H01L2224/08 , H01L2224/16 , H01L2924/05432 , H01L2924/053 , H01L2924/01031 , H01L2924/01033 , H01L2924/04941 , H01L2924/00 , H01L2224/05552
摘要： 公开了用于接合基板表面的方法、接合基板组件和用于接合基板组件的设计结构。通过使用器件基板(10)的第一表面(15)形成产品芯片(25)的器件结构(18、19、20、21)。在产品芯片上形成用于器件结构的互连结构的布线层(26)。布线层被平整化。临时操作晶片(52)被可去除地接合到平整化后的布线层。响应可去除地将临时操作晶片接合到平整化后的第一布线层，器件基板的与第一表面相对的第二表面(54)被接合到最终操作基板(56)。然后从组件去除临时操作晶片。
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公开(公告)号：CN103531492A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201210382930.9
申请日：2012-10-10
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L21/60
CPC分类号： H01L24/80 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/08 , H01L24/27 , H01L24/74 , H01L24/94 , H01L2224/02215 , H01L2224/0361 , H01L2224/03616 , H01L2224/0381 , H01L2224/05647 , H01L2224/05687 , H01L2224/08145 , H01L2224/74 , H01L2224/7501 , H01L2224/75101 , H01L2224/7565 , H01L2224/75753 , H01L2224/75824 , H01L2224/80004 , H01L2224/80007 , H01L2224/8001 , H01L2224/80011 , H01L2224/80013 , H01L2224/80014 , H01L2224/80065 , H01L2224/80075 , H01L2224/80097 , H01L2224/80121 , H01L2224/80136 , H01L2224/80203 , H01L2224/80895 , H01L2224/80896 , H01L2224/83889 , H01L2224/94 , H01L2924/00014 , H01L2924/1461 , H01L2924/351 , Y10T156/15 , Y10T156/1744 , H01L2924/00012 , H01L2224/80 , H01L2924/05442 , H01L2924/00 , H01L21/67121 , H01L24/81 , H01L2224/10
摘要： 本发明公开了用于半导体晶圆的混合接合系统和方法。在一个实施例中，用于半导体晶圆的混合接合系统包括室和多个设置在该室内的副室。机械夹持器设置在该室内，适用于在多个副室之间移动室内的多个半导体晶圆。多个副室包括：适用于从多个半导体晶圆去除保护层的第一副室，以及适用于在将多个半导体晶圆混合接合在一起之前激活多个半导体晶圆的顶面的第二副室。多个副室还包括适用于对准多个半导体晶圆和将多个半导体晶圆混合接合在一起的第三副室。
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公开(公告)号：CN102867847A
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201210233277.X
申请日：2012-07-05
申请人： 索尼公司
IPC分类号： H01L29/40 , H01L23/522 , H01L21/28 , H01L21/768 , H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14636 , H01L21/76807 , H01L21/7684 , H01L21/76841 , H01L21/76843 , H01L23/481 , H01L23/528 , H01L23/5283 , H01L23/53223 , H01L23/53238 , H01L23/53266 , H01L23/53295 , H01L23/564 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/08 , H01L24/80 , H01L24/83 , H01L27/0688 , H01L27/14609 , H01L27/14621 , H01L27/14625 , H01L27/1464 , H01L27/14645 , H01L27/1469 , H01L2221/1031 , H01L2224/02245 , H01L2224/05027 , H01L2224/0508 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05166 , H01L2224/05181 , H01L2224/05546 , H01L2224/05547 , H01L2224/05571 , H01L2224/05573 , H01L2224/05578 , H01L2224/05647 , H01L2224/05686 , H01L2224/08121 , H01L2224/08145 , H01L2224/0903 , H01L2224/80011 , H01L2224/80013 , H01L2224/80091 , H01L2224/80097 , H01L2224/80203 , H01L2224/80345 , H01L2224/80357 , H01L2224/80895 , H01L2224/80896 , H01L2224/83345 , H01L2924/00014 , H01L2924/12043 , H01L2924/13091 , H04N5/369 , H01L2924/00012 , H01L2924/05442 , H01L2924/05042 , H01L2924/053 , H01L2924/049 , H01L2924/00 , H01L2224/05552
摘要： 本发明公开了半导体器件、半导体器件制造方法及电子装置。所述半导体器件包括第一基板和第二基板。所述第一基板包括第一电极以及第一绝缘膜，所述第一绝缘膜由针对所述第一电极的防扩散材料构成并覆盖所述第一电极的周边。所述第一电极与所述第一绝缘膜互相配合而构成结合表面。所述第二基板结合至所述第一基板并设置于所述第一基板上，且所述第二基板包括第二电极以及第二绝缘膜，所述第二电极接合至所述第一电极，所述第二绝缘膜由针对所述第二电极的防扩散材料构成并覆盖所述第二电极的周边。所述第二电极与所述第二绝缘膜互相配合而构成与所述第一基板相结合的结合表面。本发明能够确保电极的结合强度，同时能够防止电极材料的扩散。
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公开(公告)号：CN104867895A
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201410344902.7
申请日：2014-07-18
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L23/488 , H01L21/60
CPC分类号： H01L24/80 , H01L24/02 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/89 , H01L25/0657 , H01L2224/02181 , H01L2224/0219 , H01L2224/0345 , H01L2224/03452 , H01L2224/0346 , H01L2224/03616 , H01L2224/05082 , H01L2224/05083 , H01L2224/0516 , H01L2224/05546 , H01L2224/05547 , H01L2224/05559 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05684 , H01L2224/0603 , H01L2224/06517 , H01L2224/08147 , H01L2224/80011 , H01L2224/80012 , H01L2224/80013 , H01L2224/80014 , H01L2224/8084 , H01L2224/80895 , H01L2224/80896 , H01L2224/80948 , H01L2224/8192 , H01L2224/94 , H01L2225/06524 , H01L2924/01026 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/04953 , H01L2924/12042 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2224/80001
摘要： 在本发明中提供了一种半导体器件及其制造方法。在实施例中，在第一衬底上方形成一个或多个钝化层。在钝化层中形成凹槽且在凹槽中形成一个或多个导电焊盘。在钝化层和导电焊盘之间形成一个或多个阻挡层。将第一衬底的导电焊盘与第二衬底的导电焊盘对准，并且使用直接接合方法使第一导电焊盘与第二导电焊盘接合。本发明还涉及晶圆接合工艺和结构。
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公开(公告)号：CN104054171A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201280053476.0
申请日：2012-08-03
申请人： 国际商业机器公司
CPC分类号： H01L23/4825 , H01L21/6835 , H01L21/76819 , H01L22/32 , H01L22/34 , H01L23/5223 , H01L23/5283 , H01L24/02 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/08 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/80 , H01L24/81 , H01L29/1054 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68363 , H01L2221/68381 , H01L2224/0361 , H01L2224/0401 , H01L2224/05166 , H01L2224/05187 , H01L2224/05567 , H01L2224/05624 , H01L2224/05687 , H01L2224/06181 , H01L2224/08225 , H01L2224/131 , H01L2224/73251 , H01L2224/80011 , H01L2224/80013 , H01L2224/80075 , H01L2224/80203 , H01L2224/804 , H01L2224/80487 , H01L2224/80896 , H01L2224/80907 , H01L2224/80948 , H01L2224/81203 , H01L2224/81801 , H01L2224/81815 , H01L2924/00014 , H01L2924/12042 , H01L2924/1305 , H01L2924/1306 , H01L2924/13062 , H01L2924/15788 , H01L2924/014 , H01L2224/08 , H01L2224/16 , H01L2924/05432 , H01L2924/053 , H01L2924/01031 , H01L2924/01033 , H01L2924/04941 , H01L2924/00 , H01L2224/05552
摘要： 公开了用于接合基板表面的方法、接合基板组件和用于接合基板组件的设计结构。通过使用器件基板(10)的第一表面(15)形成产品芯片(25)的器件结构(18、19、20、21)。在产品芯片上形成用于器件结构的互连结构的布线层(26)。布线层被平整化。临时操作晶片(52)被可去除地接合到平整化后的布线层。响应可去除地将临时操作晶片接合到平整化后的第一布线层，器件基板的与第一表面相对的第二表面(54)被接合到最终操作基板(56)。然后从组件去除临时操作晶片。
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公开(公告)号：CN102693992A
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN201210070103.6
申请日：2012-03-16
申请人： 索尼公司
IPC分类号： H01L27/146 , H01L21/768
CPC分类号： H01L21/76838 , H01L23/53209 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/08 , H01L24/80 , H01L24/94 , H01L2224/0345 , H01L2224/03462 , H01L2224/03505 , H01L2224/03616 , H01L2224/05166 , H01L2224/05181 , H01L2224/05186 , H01L2224/05546 , H01L2224/05547 , H01L2224/05571 , H01L2224/05647 , H01L2224/08147 , H01L2224/0903 , H01L2224/45147 , H01L2224/48847 , H01L2224/80004 , H01L2224/80011 , H01L2224/80075 , H01L2224/8009 , H01L2224/80092 , H01L2224/80357 , H01L2224/80895 , H01L2224/80896 , H01L2225/06541 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01012 , H01L2924/01015 , H01L2924/01029 , H01L2924/12043 , H01L2924/13091 , H01L2924/1434 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/48 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2224/05552 , H01L2924/01005 , H01L2924/01004 , H01L2924/01033
摘要： 本发明公开一种半导体装置，包括：第一半导体部分，其包括第一配线；第二半导体部分，其与第一半导体部分贴附并包括电连接第一配线的第二配线；和金属氧化物，其通过氧与金属材料之间的反应形成，所述金属材料比氢更容易与氧反应，所述金属氧化物扩散入包括在第一配线和第二配线之间的连接界面的区域，并且扩散入至少第一配线和第二配线之一的内部。
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公开(公告)号：CN104037102B
公开(公告)日：2017-07-04
申请号：CN201310226966.2
申请日：2013-06-07
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L21/603
CPC分类号： H01L24/03 , H01L24/08 , H01L24/74 , H01L24/80 , H01L24/94 , H01L2224/08145 , H01L2224/74 , H01L2224/7501 , H01L2224/7525 , H01L2224/75251 , H01L2224/75252 , H01L2224/753 , H01L2224/757 , H01L2224/7598 , H01L2224/80011 , H01L2224/80013 , H01L2224/80065 , H01L2224/80075 , H01L2224/80121 , H01L2224/80204 , H01L2224/80209 , H01L2224/80895 , H01L2224/80896 , H01L2224/80907 , H01L2224/80948 , H01L2224/94 , H01L2924/01322 , H01L2924/00012 , H01L2224/80 , H01L2924/00
摘要： 本发明公开了混合接合及执行混合接合的设备，其中一种方法包括执行混合接合以将第一封装元件与第二封装元件接合，以便形成接合对。在该接合对中，第一封装元件中的第一金属焊盘与第二封装元件中的第二金属焊盘接合，并且第一封装元件的表面处的第一表面介电层与第二封装元件的表面处的第二表面介电层接合。在混合接合之后，对该接合对执行热压缩退火。
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公开(公告)号：CN104851848A
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201410053580.0
申请日：2014-02-17
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
CPC分类号： H01L21/56 , H01L21/30604 , H01L21/308 , H01L22/12 , H01L23/10 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/08 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/30 , H01L24/32 , H01L24/80 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/94 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/04026 , H01L2224/05571 , H01L2224/0612 , H01L2224/08145 , H01L2224/08148 , H01L2224/2761 , H01L2224/29011 , H01L2224/29012 , H01L2224/29013 , H01L2224/29014 , H01L2224/29078 , H01L2224/30145 , H01L2224/32145 , H01L2224/32148 , H01L2224/80011 , H01L2224/80203 , H01L2224/80805 , H01L2224/8081 , H01L2224/80895 , H01L2224/83011 , H01L2224/83193 , H01L2224/83203 , H01L2224/83805 , H01L2224/8381 , H01L2224/9211 , H01L2224/94 , H01L2924/00015 , H01L2924/0002 , H01L2924/163 , H01L2924/00 , H01L2224/48 , H01L2224/2919 , H01L2224/83 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2224/80
摘要： 本发明涉及一种C-SAM中接合晶圆的密封结构及其制备方法，所述密封结构位于所述接合晶圆的边缘，将位于所述密封结构内侧的所述接合晶圆形成密封区域，以防止C-SAM检测中所述接合晶圆的间隙进水；其中，所述接合晶圆包括相互接合的上部接合晶圆和下部接合晶圆。本发明的优点在于：（1）所述接合晶圆边缘上设置的密封结构可以在C-SAM检测过程中将水封锁在晶圆之外。（2）可以根据预先设定的检测方法选用C-SAM对所述晶圆接合质量进行检测。（3）所述晶圆在C-SAM检测之后不会受到损坏。
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公开(公告)号：CN104037102A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201310226966.2
申请日：2013-06-07
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L21/603
CPC分类号： H01L24/03 , H01L24/08 , H01L24/74 , H01L24/80 , H01L24/94 , H01L2224/08145 , H01L2224/74 , H01L2224/7501 , H01L2224/7525 , H01L2224/75251 , H01L2224/75252 , H01L2224/753 , H01L2224/757 , H01L2224/7598 , H01L2224/80011 , H01L2224/80013 , H01L2224/80065 , H01L2224/80075 , H01L2224/80121 , H01L2224/80204 , H01L2224/80209 , H01L2224/80895 , H01L2224/80896 , H01L2224/80907 , H01L2224/80948 , H01L2224/94 , H01L2924/01322 , H01L2924/00012 , H01L2224/80 , H01L2924/00
摘要： 本发明公开了混合接合及执行混合接合的设备，其中一种方法包括执行混合接合以将第一封装元件与第二封装元件接合，以便形成接合对。在该接合对中，第一封装元件中的第一金属焊盘与第二封装元件中的第二金属焊盘接合，并且第一封装元件的表面处的第一表面介电层与第二封装元件的表面处的第二表面介电层接合。在混合接合之后，对该接合对执行热压缩退火。
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