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公开(公告)号：CN101887887A
公开(公告)日：2010-11-17
申请号：CN201010179977.6
申请日：2010-05-10
申请人： 国际商业机器公司
发明人： 马克塔·G·法鲁克 , 萨布拉马尼安·S·伊耶
IPC分类号： H01L25/065 , H01L21/50 , H01L23/485 , H01L21/60
CPC分类号： H01L24/94 , H01L21/76898 , H01L21/8221 , H01L24/16 , H01L24/28 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/13009 , H01L2224/13099 , H01L2224/80345 , H01L2224/80357 , H01L2224/80801 , H01L2224/80895 , H01L2224/80896 , H01L2224/83201 , H01L2224/83801 , H01L2224/83894 , H01L2224/9202 , H01L2225/06513 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01073 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/14 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/30105
摘要： 一种制造3D集成电路的方法和3D集成电路结构。存在接合至第二半导体结构的第一半导体结构。各半导体结构包括半导体晶片、所述半导体晶片上的前段(FEOL)布线、所述FEOL布线上的后段(BEOL)布线、所述BEOL布线上的绝缘体层和所述绝缘体层上的金属层。所述第一半导体结构与所述第二半导体结构对齐，使得各所述半导体结构的金属层相互面对。各所述半导体结构的金属层通过金属对金属键相互接触并且接合，其中接合的金属层形成电隔离层。
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公开(公告)号：CN103474420A
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201210359518.5
申请日：2012-09-24
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L25/065 , H01L23/488 , H01L23/31 , H01L21/98
CPC分类号： H01L25/0657 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/08 , H01L24/80 , H01L24/92 , H01L24/94 , H01L25/50 , H01L2224/03845 , H01L2224/05026 , H01L2224/05147 , H01L2224/05571 , H01L2224/056 , H01L2224/05611 , H01L2224/08147 , H01L2224/08502 , H01L2224/80097 , H01L2224/80203 , H01L2224/80204 , H01L2224/80345 , H01L2224/80805 , H01L2224/80896 , H01L2224/80986 , H01L2224/92 , H01L2224/9202 , H01L2224/94 , H01L2924/00014 , H01L2924/01322 , H01L2924/1461 , H01L2224/80 , H01L2224/83 , H01L2924/00012 , H01L2924/01032 , H01L2924/00 , H01L2224/05552
摘要： 本发明公开了三维集成电路(3DIC)结构和用于半导体晶圆的混合接合方法。3DIC结构包括第一半导体器件，在第一半导体器件顶面上的第一绝缘材料内设置有第一导电焊盘，在第一导电焊盘的顶面上具有第一凹槽。3DIC结构包括连接至第一半导体器件的第二半导体器件，在第二半导体器件顶面上的第二绝缘材料内设置有第二导电焊盘，在第二导电焊盘的顶面上具有第二凹槽。密封层设置在位于第一凹槽中的第一导电焊盘和位于第二凹槽中的第二导电焊盘之间。密封层将第一导电焊盘接合至第二导电焊盘。第一绝缘材料接合至第二绝缘材料。
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公开(公告)号：CN102593087B
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201210050563.2
申请日：2012-03-01
申请人： 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
发明人： 于大全
IPC分类号： H01L23/488 , H01L21/603
CPC分类号： H01L24/05 , H01L24/08 , H01L24/80 , H01L2224/0391 , H01L2224/05557 , H01L2224/05567 , H01L2224/05571 , H01L2224/05572 , H01L2224/08147 , H01L2224/80035 , H01L2224/80201 , H01L2224/80345 , H01L2224/80357 , H01L2224/80895 , H01L2224/80896 , H01L2224/80935 , H01L2224/80986 , H01L2924/00014 , H01L2924/14 , H01L2924/00012 , H01L2224/05552 , H01L2924/00
摘要： 本发明涉及一种用于三维集成混合键合结构及其键合方法，其包括第一衬底；所述第一衬底上设有与第一衬底电连接的键合互连金属，所述键合互连金属对应与第一衬底相连的另一端部内陷形成凹腔；第一衬底上在键合互连金属的周围覆盖有第一介电粘附层，所述第一介电粘附层包围键合互连金属且第一介电粘附层的高度低于键合互连金属的边缘高度。本发明第一介电粘附层的高度低于凸点顶部边缘的高度，当在压力作用下键合时，凸点顶部边缘与第二衬底焊盘先键合，能够阻挡介电粘附层进入键合互连金属与焊盘结合的表面，从而能够避免造成断路及可靠性问题；结构紧凑，工艺操作方便。
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公开(公告)号：CN102867847A
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201210233277.X
申请日：2012-07-05
申请人： 索尼公司
IPC分类号： H01L29/40 , H01L23/522 , H01L21/28 , H01L21/768 , H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14636 , H01L21/76807 , H01L21/7684 , H01L21/76841 , H01L21/76843 , H01L23/481 , H01L23/528 , H01L23/5283 , H01L23/53223 , H01L23/53238 , H01L23/53266 , H01L23/53295 , H01L23/564 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/08 , H01L24/80 , H01L24/83 , H01L27/0688 , H01L27/14609 , H01L27/14621 , H01L27/14625 , H01L27/1464 , H01L27/14645 , H01L27/1469 , H01L2221/1031 , H01L2224/02245 , H01L2224/05027 , H01L2224/0508 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05166 , H01L2224/05181 , H01L2224/05546 , H01L2224/05547 , H01L2224/05571 , H01L2224/05573 , H01L2224/05578 , H01L2224/05647 , H01L2224/05686 , H01L2224/08121 , H01L2224/08145 , H01L2224/0903 , H01L2224/80011 , H01L2224/80013 , H01L2224/80091 , H01L2224/80097 , H01L2224/80203 , H01L2224/80345 , H01L2224/80357 , H01L2224/80895 , H01L2224/80896 , H01L2224/83345 , H01L2924/00014 , H01L2924/12043 , H01L2924/13091 , H04N5/369 , H01L2924/00012 , H01L2924/05442 , H01L2924/05042 , H01L2924/053 , H01L2924/049 , H01L2924/00 , H01L2224/05552
摘要： 本发明公开了半导体器件、半导体器件制造方法及电子装置。所述半导体器件包括第一基板和第二基板。所述第一基板包括第一电极以及第一绝缘膜，所述第一绝缘膜由针对所述第一电极的防扩散材料构成并覆盖所述第一电极的周边。所述第一电极与所述第一绝缘膜互相配合而构成结合表面。所述第二基板结合至所述第一基板并设置于所述第一基板上，且所述第二基板包括第二电极以及第二绝缘膜，所述第二电极接合至所述第一电极，所述第二绝缘膜由针对所述第二电极的防扩散材料构成并覆盖所述第二电极的周边。所述第二电极与所述第二绝缘膜互相配合而构成与所述第一基板相结合的结合表面。本发明能够确保电极的结合强度，同时能够防止电极材料的扩散。
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公开(公告)号：CN103474420B
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201210359518.5
申请日：2012-09-24
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L25/065 , H01L23/488 , H01L23/31 , H01L21/98
CPC分类号： H01L25/0657 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/08 , H01L24/80 , H01L24/92 , H01L24/94 , H01L25/50 , H01L2224/03845 , H01L2224/05026 , H01L2224/05147 , H01L2224/05571 , H01L2224/056 , H01L2224/05611 , H01L2224/08147 , H01L2224/08502 , H01L2224/80097 , H01L2224/80203 , H01L2224/80204 , H01L2224/80345 , H01L2224/80805 , H01L2224/80896 , H01L2224/80986 , H01L2224/92 , H01L2224/9202 , H01L2224/94 , H01L2924/00014 , H01L2924/01322 , H01L2924/1461 , H01L2224/80 , H01L2224/83 , H01L2924/00012 , H01L2924/01032 , H01L2924/00 , H01L2224/05552
摘要： 公开了三维集成电路(3DIC)结构和用于半导体晶圆的混合接合方法。3DIC结构包括第一半导体器件，在第一半导体器件顶面上的第一绝缘材料内设置有第一导电焊盘，在第一导电焊盘的顶面上具有第一凹槽。3DIC结构包括连接至第一半导体器件的第二半导体器件，在第二半导体器件顶面上的第二绝缘材料内设置有第二导电焊盘，在第二导电焊盘的顶面上具有第二凹槽。密封层设置在位于第一凹槽中的第一导电焊盘和位于第二凹槽中的第二导电焊盘之间。密封层将第一导电焊盘接合至第二导电焊盘。第一绝缘材料接合至第二绝缘材料。
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公开(公告)号：CN103887260A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201310545281.4
申请日：2013-11-06
申请人： 财团法人工业技术研究院
IPC分类号： H01L23/485 , H01L21/60
CPC分类号： H01L24/80 , H01L21/7684 , H01L23/481 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/08 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L2224/0346 , H01L2224/03614 , H01L2224/03616 , H01L2224/0401 , H01L2224/05009 , H01L2224/05541 , H01L2224/05547 , H01L2224/05548 , H01L2224/05647 , H01L2224/08146 , H01L2224/08147 , H01L2224/08148 , H01L2224/11845 , H01L2224/1191 , H01L2224/16145 , H01L2224/80097 , H01L2224/80345 , H01L2224/80895 , H01L2224/80896 , H01L2224/81203 , H01L2224/81895 , H01L2924/00014
摘要： 本发明公开一种芯片接合结构及其制作方法，其中的芯片接合结构至少包括一第一基板、相对第一基板配置的一第二基板以及位在第一与第二基板之间的铜对接结构。在铜对接结构内具有一Cu-Cu接合界面，此Cu-Cu接合界面具有不同的凹凸组合特征，且Cu-Cu接合界面的两边的铜结晶方向不同。
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公开(公告)号：CN101887887B
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN201010179977.6
申请日：2010-05-10
申请人： 国际商业机器公司
发明人： 马克塔·G·法鲁克 , 萨布拉马尼安·S·伊耶
IPC分类号： H01L25/065 , H01L21/50 , H01L23/485 , H01L21/60
CPC分类号： H01L24/94 , H01L21/76898 , H01L21/8221 , H01L24/16 , H01L24/28 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/13009 , H01L2224/13099 , H01L2224/80345 , H01L2224/80357 , H01L2224/80801 , H01L2224/80895 , H01L2224/80896 , H01L2224/83201 , H01L2224/83801 , H01L2224/83894 , H01L2224/9202 , H01L2225/06513 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01073 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/14 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/30105
摘要： 一种制造3D集成电路的方法和3D集成电路结构。存在接合至第二半导体结构的第一半导体结构。各半导体结构包括半导体晶片、所述半导体晶片上的前段(FEOL)布线、所述FEOL布线上的后段(BEOL)布线、所述BEOL布线上的绝缘体层和所述绝缘体层上的金属层。所述第一半导体结构与所述第二半导体结构对齐，使得各所述半导体结构的金属层相互面对。各所述半导体结构的金属层通过金属对金属键相互接触并且接合，其中接合的金属层形成电隔离层。
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公开(公告)号：CN105280657B
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：CN201510321410.0
申请日：2015-06-12
申请人： 东芝存储器株式会社
IPC分类号： H01L27/146 , H01L21/28 , H01L21/82
CPC分类号： H01L21/4853 , H01L21/76885 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/08 , H01L24/80 , H01L25/0657 , H01L25/18 , H01L25/50 , H01L27/14634 , H01L27/14643 , H01L2224/03462 , H01L2224/03616 , H01L2224/03831 , H01L2224/05547 , H01L2224/05557 , H01L2224/05572 , H01L2224/05647 , H01L2224/05666 , H01L2224/05681 , H01L2224/08059 , H01L2224/08111 , H01L2224/08121 , H01L2224/08147 , H01L2224/80203 , H01L2224/80345 , H01L2224/80365 , H01L2224/80895 , H01L2224/80896 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2924/0002 , H01L2924/1431 , H01L2924/1434 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
摘要： 根据实施方式，提供一种半导体装置。半导体装置具备绝缘层、电极和槽。绝缘层设在基板的表面上。电极埋设在绝缘层中，一方的端面从绝缘层露出。槽形成在基板表面的电极的周围。此外，槽以电极的外侧面为一方的侧面，绝缘层的表面侧被开放。埋设在绝缘层中的电极其一方的端面从绝缘层的表面突出。
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公开(公告)号：CN102867847B
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201210233277.X
申请日：2012-07-05
申请人： 索尼公司
IPC分类号： H01L29/40 , H01L23/522 , H01L21/28 , H01L21/768 , H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14636 , H01L21/76807 , H01L21/7684 , H01L21/76841 , H01L21/76843 , H01L23/481 , H01L23/528 , H01L23/5283 , H01L23/53223 , H01L23/53238 , H01L23/53266 , H01L23/53295 , H01L23/564 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/08 , H01L24/80 , H01L24/83 , H01L27/0688 , H01L27/14609 , H01L27/14621 , H01L27/14625 , H01L27/1464 , H01L27/14645 , H01L27/1469 , H01L2221/1031 , H01L2224/02245 , H01L2224/05027 , H01L2224/0508 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05166 , H01L2224/05181 , H01L2224/05546 , H01L2224/05547 , H01L2224/05571 , H01L2224/05573 , H01L2224/05578 , H01L2224/05647 , H01L2224/05686 , H01L2224/08121 , H01L2224/08145 , H01L2224/0903 , H01L2224/80011 , H01L2224/80013 , H01L2224/80091 , H01L2224/80097 , H01L2224/80203 , H01L2224/80345 , H01L2224/80357 , H01L2224/80895 , H01L2224/80896 , H01L2224/83345 , H01L2924/00014 , H01L2924/12043 , H01L2924/13091 , H04N5/369 , H01L2924/00012 , H01L2924/05442 , H01L2924/05042 , H01L2924/053 , H01L2924/049 , H01L2924/00 , H01L2224/05552
摘要： 本发明公开了半导体器件、半导体器件制造方法及电子装置。所述半导体器件包括第一基板和第二基板。所述第一基板包括第一电极以及第一绝缘膜，所述第一绝缘膜由针对所述第一电极的防扩散材料构成并覆盖所述第一电极的周边。所述第一电极与所述第一绝缘膜互相配合而构成结合表面。所述第二基板结合至所述第一基板并设置于所述第一基板上，且所述第二基板包括第二电极以及第二绝缘膜，所述第二电极接合至所述第一电极，所述第二绝缘膜由针对所述第二电极的防扩散材料构成并覆盖所述第二电极的周边。所述第二电极与所述第二绝缘膜互相配合而构成与所述第一基板相结合的结合表面。本发明能够确保电极的结合强度，同时能够防止电极材料的扩散。
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公开(公告)号：CN105280657A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201510321410.0
申请日：2015-06-12
申请人： 株式会社东芝
IPC分类号： H01L27/146 , H01L21/28 , H01L21/82
CPC分类号： H01L21/4853 , H01L21/76885 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/08 , H01L24/80 , H01L25/0657 , H01L25/18 , H01L25/50 , H01L27/14634 , H01L27/14643 , H01L2224/03462 , H01L2224/03616 , H01L2224/03831 , H01L2224/05547 , H01L2224/05557 , H01L2224/05572 , H01L2224/05647 , H01L2224/05666 , H01L2224/05681 , H01L2224/08059 , H01L2224/08111 , H01L2224/08121 , H01L2224/08147 , H01L2224/80203 , H01L2224/80345 , H01L2224/80365 , H01L2224/80895 , H01L2224/80896 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2924/0002 , H01L2924/1431 , H01L2924/1434 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
摘要： 根据实施方式，提供一种半导体装置。半导体装置具备绝缘层、电极和槽。绝缘层设在基板的表面上。电极埋设在绝缘层中，一方的端面从绝缘层露出。槽形成在基板表面的电极的周围。此外，槽以电极的外侧面为一方的侧面，绝缘层的表面侧被开放。埋设在绝缘层中的电极其一方的端面从绝缘层的表面突出。
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