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公开(公告)号：CN106410006A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201610456572.X
申请日：2016-06-22
申请人： 厦门乾照光电股份有限公司
CPC分类号： H01L33/36 , H01L33/0075 , H01L33/02 , H01L33/06 , H01L33/32
摘要： 一种集成可见光指示装置的紫外发光二极管及其生产方法，涉及氮化物外延芯片技术领域，本发明将紫外发光层设置在N-GaN电子供给层和P型AlGaN电子阻挡层之间，通过电致发光产生紫外光；本发明还将可见光发光层置于N-GaN电子供给层和U-GaN层之间，利用电致发光产生的紫外光激发可见光发光层，使可见光发光层通过光致发光产生可见光。可见光发光层通过紫外光光致发光辐射可见光，虽吸收了部分紫外光，一定程度上降低了紫外光的外量子效率，但该发光层不需要电注入，避免影响紫外光的内量子效率，减少对器件电能的损耗。
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公开(公告)号：CN106340574A
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：CN201610949920.7
申请日：2016-11-02
申请人： 山东浪潮华光光电子股份有限公司
CPC分类号： H01L33/22 , H01L33/0062 , H01L33/14 , H01L33/36 , H01L2933/0016
摘要： 一种具有粗化电流扩展层的GaAs基LED芯片及其制备方法，该GaAs基LED芯片包括N电极、GaAs衬底和外延层，外延层上设置有电流扩展层，电流扩展层上设置有p电极，p电极外围的电流扩展层为粗化电流扩展层；制备步骤包括：（1）在GaAs衬底上生长外延层；（2）在外延层表面涂负性光刻胶，通过光刻得到负性光刻胶粗化图形（；3）在整个负性光刻胶表面生长电流扩展层；4）通过剥离负性光刻胶，得到粗化电流扩展层；5）在粗化电流扩展层上制备负性光刻胶电极图形（；6）在负性光刻胶电极图形上制备p电极；（7）对GaAs衬底减薄及生长N电极。本发明避免了现有技术中对GaAs基LED芯片的外延层直接进行粗化造成的不稳定性，提高了出光效率。
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公开(公告)号：CN106129211A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201610709305.9
申请日：2016-08-24
申请人： 南昌凯迅光电有限公司
摘要： 本发明公开了一种具有嵌入式透明扩展电极结构的发光二极管及其制备方法，在GaAs衬底的上面依次设置的缓冲层、布拉格反射层、n‑AlGaInP限制层、MQW多量子阱有源层、p‑AlGaInP限制层、p‑GaP窗口层、ITO电流扩展层和AlGaInP粗化层，在图案化的AlGaInP粗化层上设有金属电极层，在GaAs衬底的下面设有背电极层，所述金属电极层包括主电极和扩展电极，其中：主电极连接在图案化的AlGaInP粗化层上，扩展电极嵌入在图案化的AlGaInP粗化层中，并且与ITO电流扩展层保持连接。扩展电极自身因为其嵌入式结构的特点，因而稳定性好，从而提高了整个金属电极层的附着性和完整性，确保了发光二极管的工作电压稳定，提高了产品的焊线可靠性和发光效率，极大地提升了产品的质量和良率。
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公开(公告)号：CN106058026A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610240058.2
申请日：2016-04-18
申请人： 新世纪光电股份有限公司
CPC分类号： H01L25/0753 , H01L33/0079 , H01L33/44 , H01L33/62 , H01L33/647 , H01L2224/16145 , H01L2224/4813 , H01L2224/48464 , H01L2224/73265 , H01L33/36
摘要： 本发明提出一种发光装置及应用其的发光模块。发光装置包括基板模块及发光元件。基板模块包括基板、第一导电层、绝缘层及第二导电层。基板具有上表面。绝缘层形成于基板的上表面且隔离基板与第一导电层并具有一开孔。第二导电层通过开孔连接基板的上表面且与第一导电层隔离。发光元件设于基板模块上且电性连接于第一导电层及第二导电层。
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公开(公告)号：CN106024824A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610320740.2
申请日：2016-05-16
申请人： 华南师范大学
CPC分类号： H01L27/156 , H01L33/005 , H01L33/36 , H01L33/387 , H01L33/62 , H01L33/641 , H01L33/647 , H01L2933/0016 , H01L2933/0066 , H01L2933/0075
摘要： 本发明公开一种可见光通信多芯片发光器件及其制备方法，该器件包括多个若干个光发射芯片，所述若干个光发射芯片之间采用串联形式连接，即一个光发射芯片的正电极与另一个光发射芯片的负电极连接，所述发光器件利用高频率电流源供电，供电采用具有通信协议的信号转换为供电电流。
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公开(公告)号：CN103403889B
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201280010835.4
申请日：2012-01-25
申请人： 株式会社东芝
CPC分类号： H01L33/36 , H01L33/38 , H01L33/44 , H01L33/502 , H01L33/62 , H01L2224/16225
摘要： 根据一个实施例，半导体发光器件包括半导体层(15)、p侧电极(16)、n侧电极(17)、无机绝缘膜(14)、p侧互连部分(21)、n侧互连部分(22)和有机绝缘膜(20)。有机绝缘膜设置在无机绝缘膜上，至少在p侧互连部分和n侧互连部分之间的部分上。p侧互连部分的在n侧互连部分一侧的端部(21b)和n侧互连部分的在p侧互连部分一侧的端部(22b)重叠在有机绝缘膜上。
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公开(公告)号：CN105914277A
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201610395135.1
申请日：2016-06-04
申请人： 华南理工大学
摘要： 本发明提供一种倒装式大功率紫外LED芯片及其制备方法。LED芯片从下到上依次为导热衬底，电镀金属层，第一电镀种子层，绝缘层，p型反射电极层，p型氮化镓层，有源层，n型氮化镓层；p型反射电极层上方一侧还进行刻蚀露出p型反射电极层的部分区域，露出的部分区域上设有p型金属电极；从p型反射电极层开始一直到n型氮化镓层刻蚀有多个n型通孔，所述p型反射电极层和n型通孔侧壁沉积所述绝缘层，第一电镀种子层沉积在n型通孔中和绝缘层上，第一电镀种子层与n型通孔的n型氮化镓层接触。本发明可以避免在表面制作n型金属电极，这样可以降低n型金属电极对有源区出光的吸收，从而提高LED芯片的出光效率。
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公开(公告)号：CN105895764A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201610089406.0
申请日：2016-02-17
申请人： 新世纪光电股份有限公司
CPC分类号： H01L33/38 , H01L33/145 , H01L33/20 , H01L2933/0016 , H01L33/36
摘要： 一种发光二极管芯片，其包括半导体元件层、第一电极、电流阻挡层、电流分散层及第二电极。半导体元件层包括第一型掺杂半导体层、第二型掺杂半导体层及位于第一型与第二型掺杂半导体层之间的发光层。第一电极与第一型掺杂半导体层电性连接。电流阻挡层配置于第二型掺杂半导体层上，且电流阻挡层包括主体及从主体延伸的延伸部。电流分散层覆盖电流阻挡层。第二电极通过电流分散层与第二型掺杂半导体层电性连接，其中第二电极包括焊垫及从焊垫延伸的指部，焊垫位于主体上方，而指部位于延伸部上方，且指部的部分区域未与延伸部重叠。该发光二极管芯片具有电流阻挡层以有效控制电流聚集的位置，进而有效提升发光效率。
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公开(公告)号：CN105810781A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201610022122.X
申请日：2016-01-13
申请人： 株式会社东芝
CPC分类号： H01L33/405 , H01L33/0079 , H01L33/20 , H01L33/38 , H01L33/382 , H01L33/385 , H01L2933/0016 , H01L33/00 , H01L33/36 , H01L33/44
摘要： 本发明的实施方式提供一种提高发光效率的半导体发光元件、发光装置及半导体发光元件的制造方法。实施方式的半导体发光元件具备：积层体，包含第1导电型的第1半导体层、第2导电型的第2半导体层、及设置在第1半导体层与第2半导体层之间的发光层；以及第1金属层，设置在积层体的第2半导体层的一侧，且与积层体的第2半导体层电连接。第1金属层具有延伸至积层体的外侧的第1区域、及与第1区域相邻的第2区域，第1区域中的第1金属层的下端与第1金属层的上端之间的距离比第2区域中的第1金属层的下端与第1金属层的上端之间的距离短，第1区域中的第1金属层的下端与第1金属层的上端跟第1金属层的外端连接。
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公开(公告)号：CN103229315B
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201180059104.4
申请日：2011-12-05
申请人： 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
发明人： G.林德贝格
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/36 , H01L33/0079 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 在用于制造光电部件的方法中，在衬底(8)上提供一种外延生长的层序列(9)。在所述层序列(9)上沉积金属层(10)并且随后在所述金属层上施加成型载体(12)。所述成型载体具有载体材料(23,21)以及与所述载体材料(23,21)作用连接的纤维网(22)，所述载体材料具有第一热膨胀系数，所述纤维网具有第二热膨胀系数。随后，剥离所述生长衬底。
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