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公开(公告)号：CN101459220B
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN200810189889.7
申请日：2008-09-10
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L45/04 , H01L27/2418 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/146 , H01L45/1633
Abstract: 本发明提供一种形成电阻存储器的方法，包括：在包括导电图案的半导体衬底上形成绝缘层，在绝缘层内形成接触孔以暴露导电图案，在接触孔内形成下部电极，在接触孔内在下部电极上形成可变电阻氧化层，在接触孔内在可变电阻氧化层上形成中间电极，在中间电极和绝缘层上形成缓冲氧化层，以及在缓冲氧化层上形成上部电极。本发明也公开了相关电阻存储器。
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公开(公告)号：CN102479918A
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201110386624.8
申请日：2011-11-29
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L43/12 , G11C11/161 , H01L27/228
Abstract: 公开了形成磁性隧道结结构和形成磁性随机存取存储器的方法。一种制造磁性隧道结结构的方法，包括：通过在基板上顺序地堆叠第一磁性层、隧道介电层、和第二磁性层来形成磁性隧道结层。掩模图案形成在第二磁性层的区域上。通过执行至少一个蚀刻处理和至少一个氧化处理多次来形成磁性隧道结层图案和在磁性隧道结层图案的至少一个侧壁上的侧壁介电层图案。至少一个蚀刻处理可以包括第一蚀刻处理，其使用惰性气体和掩模图案来蚀刻磁性隧道结层的一部分以形成第一蚀刻产物。至少一个氧化处理包括第一氧化处理，其氧化附着在磁性隧道结层的蚀刻侧上的第一蚀刻产物。
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公开(公告)号：CN102024903A
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN201010282801.3
申请日：2010-09-13
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L43/02 , B82Y25/00 , G11C11/16 , G11C11/161 , H01F10/123 , H01F10/3236 , H01F10/3254 , H01F10/3268 , H01F10/3286 , H01L43/08 , H01L43/10
Abstract: 一种磁存储器件可以包括第一垂直磁性层、在第一垂直磁性层上的非磁性层、以及在非磁性层上的第一结磁性层，其中，非磁性层在第一垂直磁性层和第一结磁性层之间。隧道势垒可以在第一结磁性层上，其中，第一结磁性层在非磁性层和隧道势垒之间。第二结磁性层可以在隧道势垒上，其中，隧道势垒在第一结磁性层和第二结磁性层之间，并且第二垂直磁性层可以在第二结磁性层上，其中，第二结磁性层在隧道势垒和第二垂直磁性层之间。
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公开(公告)号：CN1637927B
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200410010486.3
申请日：2004-10-25
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及一种磁随机存取存储器(MRAM)及其制造方法。该MRAM包括开关器件和与该开关器件相连的MTJ单元，其特点是包括一被钉扎膜，该被钉扎膜包括一金属膜及围绕该金属膜的一磁性膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101459220A
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200810189889.7
申请日：2008-09-10
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L45/04 , H01L27/2418 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/146 , H01L45/1633
Abstract: 本发明提供一种形成电阻存储器的方法，包括：在包括导电图案的半导体衬底上形成绝缘层，在绝缘层内形成接触孔以暴露导电图案，在接触孔内形成下部电极，在接触孔内在下部电极上形成可变电阻氧化层，在接触孔内在可变电阻氧化层上形成中间电极，在中间电极和绝缘层上形成缓冲氧化层，以及在缓冲氧化层上形成上部电极。本发明也公开了相关电阻存储器。
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公开(公告)号：CN101136247A
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：CN200710148167.2
申请日：2007-08-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/10
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C13/0064 , G11C13/0069 , G11C2013/0066 , G11C2013/0078 , G11C2013/009 , G11C2013/0092 , G11C2213/32 , G11C2213/34
Abstract: 提供编程RRAM器件的方法。增加的置位电流被施加到RRAM器件的数据存储层图形，同时测量该数据存储层图形的电阻，直到该电阻表示数据存储层图形中的置位态。增加的复位电压被施加到RRAM器件的数据存储层图形，同时测量该数据存储层图形的电阻，直到该电阻表示数据存储层图形中的复位态。
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公开(公告)号：CN1738022A
公开(公告)日：2006-02-22
申请号：CN200510092748.X
申请日：2005-08-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L21/82 , H01L45/00
CPC classification number: H01L21/76877 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/1683
Abstract: 提供了由多个导电层图形形成诸如通路栓塞的导电栓塞结构的方法和制造半导体器件的方法，该半导体器件包括诸如相变半导体存储器件的半导体存储器件。典型方法是，通过在半导体衬底上形成导电层，形成微细通路结构。在导电层上形成模制绝缘层，并通过该绝缘层形成通孔，以露出导电层的某个区域。形成第一通路填充层，然后，部分除去它，以形成部分通路栓塞。然后，如果需要，重复执行形成和除去相变材料层的过程，以形成基本填充该通孔的多层栓塞结构，与传统方法相比，该多层结构通常表现减少的缺陷和损伤。
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公开(公告)号：CN1734662A
公开(公告)日：2006-02-15
申请号：CN200510081709.X
申请日：2005-04-19
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/16 , B82Y10/00 , H01L27/228 , H01L43/08
Abstract: 本发明提供两端具有弯曲的凸出体的磁性隧道结结构、采用该结构的磁性RAM单元及其形成中使用的光掩模。该磁性隧道结结构包括堆叠在集成电路衬底上的被钉扎层图形、隧穿绝缘层图形和自由层图形。至少自由层图形包含主体以及俯视时分别从主体两端凸出的第一和第二弯曲凸出体。
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公开(公告)号：CN1637927A
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN200410010486.3
申请日：2004-10-25
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及一种磁随机存取存储器(MRAM)及其制造方法。该MRAM包括开关器件和与该开关器件相连的MTJ单元，其特点是包括一被钉扎膜，该被钉扎膜包括一金属膜及围绕该金属膜的一磁性膜。
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