公开(公告)号：CN116930594A

公开(公告)日：2023-10-24

申请号：CN202311178015.2

申请日：2023-09-13

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网山西省电力公司 ,  国网山西省电力公司电力科学研究院 ,  国家电网有限公司

发明人： 宋斌斌 ,  陈燕宁 ,  刘芳 ,  高杰 ,  王凯 ,  赵扬 ,  朱亚星 ,  黄保成 ,  孟庆萌 ,  常泽洲

IPC分类号： G01R19/00 ,  G06F30/38

摘要： 本发明提供一种半导体器件原位微区电流分布检测方法及系统，属于半导体器件检测领域，该方法包括：搭建NV色心检测平台；对半导体器件检测样品施加电流，使其导通；利用NV色心检测平台检测半导体器件检测样品正面的磁场强度；利用傅里叶变换、毕奥‑萨伐尔定律、电流密度连续性方程和半导体器件检测样品正面的磁场强度计算半导体器件检测样品正面的原位微区电流密度，以确定半导体器件原位微区电流分布。通过本发明提供的方法，能够探测半导体器件的磁场信号，从而反演获得半导体器件内部微区电流信息，实现半导体器件原位微区电流分布检测，获得半导体器件中载流子实际的输运过程，指导半导体器件设计。

公开(公告)号：CN116743141A

公开(公告)日：2023-09-12

申请号：CN202310560064.6

申请日：2023-05-17

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  北京芯可鉴科技有限公司 ,  国网山西省电力公司电力科学研究院 ,  国网山西省电力公司 ,  国家电网有限公司

发明人： 邵亚利 ,  解尧明 ,  沈美根 ,  刘芳 ,  付振 ,  赵扬 ,  李东镁 ,  梁英宗 ,  邵瑾 ,  孟庆萌 ,  常泽洲

IPC分类号： H03K17/567

摘要： 本发明涉及电子信息领域，公开了一种IGBT的控制装置和控制方法、芯片及电路，该控制装置包括：电压采样模块，用于采集所述IGBT的集电极电压；电流采样模块，用于采集所述IGBT的输出电流；以及控制模块，用于：比较输入控制信号和预设控制信号阈值；以及基于比较结果，根据所述电流采样模块采集的所述输出电流或所述电压采集模块采集的所述集电极电压和所述输入控制信号确定输入至所述IGBT的栅极的输入电压。藉此，实现了对IGBT的栅极进行控制。

公开(公告)号：CN112574529B

公开(公告)日：2023-04-18

申请号：CN202011349297.4

申请日：2020-11-26

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  北京芯可鉴科技有限公司 ,  天津大学

发明人： 赵东艳 ,  王于波 ,  邵瑾 ,  李秀伟 ,  甄岩 ,  于秋生 ,  彭业凌 ,  黄海潮 ,  赵扬 ,  董广智 ,  王文赫 ,  朱艳吉 ,  申小松 ,  汪怀远

IPC分类号： C08L63/00 ,  C08K3/38 ,  C08K7/26 ,  C08K3/28 ,  C08K7/24 ,  C08G59/50 ,  C09K5/14

摘要： 本发明涉及高分子材料技术领域，公开了一种导热绝缘复合材料，所述复合材料包括10‑25重量份的多孔填料、30‑65重量份的聚合物、10‑25重量份的固化剂以及0‑55重量份的导热填料；其中，所述多孔填料选自泡沫陶瓷和/或泡沫镍。本发明提供的导热绝缘复合材料，引入了多孔填料，构建了网状结构，尤其是当多孔填料为泡沫陶瓷时，能够很好地利用骨架材料的增强作用，使得所述复合材料导热绝缘性能优异，具有广阔的应用前景。

公开(公告)号：CN115939197A

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN202310061014.3

申请日：2023-01-19

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  北京芯可鉴科技有限公司

发明人： 余山 ,  陈燕宁 ,  付振 ,  刘芳 ,  赵扬 ,  朱松超 ,  刘春颖 ,  邵亚利 ,  沈美根 ,  鹿祥宾 ,  李君建

IPC分类号： H01L29/51 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

摘要： 本发明涉及半导体领域，提供一种LDMOSFET器件的制造方法及LDMOSFET器件。LDMOSFET器件的制造方法，包括：在半导体衬底上形成阱区、漂移区和体区；在漂移区形成沟槽；在沟槽的侧壁形成氮化硅侧墙；在具有氮化硅侧墙的沟槽内填充隔离介质形成填充沟槽；去除填充沟槽内的氮化硅侧墙形成空气侧墙；在具有空气侧墙的填充沟槽表面覆盖氧化层，形成具有封闭的空气侧墙的场板隔离结构；在场板隔离结构上形成栅极和场板。本发明通过空气侧墙将场板隔离结构中的氧化物与漂移区的硅从侧面隔离开，彻底消除隔离结构侧面、上角处和下角处的二氧化硅与硅之间的界面态，提高LDMOSFET器件的可靠性；具有空气侧墙的场板隔离结构可以更好的降低表面电场，提高器件的击穿电压。

公开(公告)号：CN115881778A

公开(公告)日：2023-03-31

申请号：CN202310056870.X

申请日：2023-01-19

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  北京芯可鉴科技有限公司

发明人： 余山 ,  陈燕宁 ,  付振 ,  刘芳 ,  赵扬 ,  朱松超 ,  邵亚利 ,  沈美根 ,  张东 ,  安铁雷 ,  连亚军 ,  朱亚星

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

摘要： 本发明提供一种横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路，涉及半导体技术领域。晶体管包括：衬底；阱区，形成于衬底；体区和漂移区，形成于阱区；漂移延伸区，形成于漂移区的上表面，漂移延伸区包括第一延伸层和层叠设置于第一延伸层之上的第二延伸层，第一延伸层与第二延伸层具有不同的导电类型，第一延伸层与漂移区具有相同的导电类型；氧化介质层，形成于漂移区的上表面，位于漂移延伸区的两侧；栅极，形成于体区上；源极，形成于体区；漏极，形成于漂移区。通过本发明提供的晶体管，能够改善晶体管的自热效应，避免载流子迁移率下降，降低热载流子效应，提高击穿电压，提高器件性能和可靠性。

公开(公告)号：CN114221138B

公开(公告)日：2022-04-29

申请号：CN202210165206.4

申请日：2022-02-23

申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司 ,  北京航空航天大学

发明人： 赵东艳 ,  王于波 ,  陈燕宁 ,  邵瑾 ,  赵扬 ,  付振 ,  张永华 ,  庞振江 ,  王立城 ,  成睿琦 ,  梁冰洋 ,  周远国 ,  任强

IPC分类号： H01Q15/00

摘要： 本发明实施例提供一种人工电磁超表面，用于生成贝塞尔涡旋波束，属于微波段电磁波调控技术领域。所述人工电磁超表面由多个均匀布置的柱状介质基础单元构成；其中，各介质基础单元的尺寸信息由预设工作场景信息决定；各介质基础单元的工作面为凹面结构，且所述凹面存在一个十字形空气柱，所述凹面和所述十字形空气柱共同构成电磁抗反射结构；所述十字形空气柱的尺寸根据对应的介质基础单元的尺寸信息自适应调整确定。本发明方案利用了人工电磁表面的相位突变特性，使通过本发明设计的全介质透射型人工电磁超表面的球面电磁波可以转化为携带轨道角动量的贝塞尔电磁波，具有极化适应性强、透射效率高、设计简单、成本低廉、易于加工等优点。

公开(公告)号：CN114200244B

公开(公告)日：2022-04-29

申请号：CN202210146277.X

申请日：2022-02-17

申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司 ,  国家电网有限公司 ,  国网江苏省电力有限公司常州供电分公司

发明人： 赵东艳 ,  王于波 ,  仝傲宇 ,  陈燕宁 ,  赵扬 ,  成睿琦 ,  王立城

IPC分类号： G01R31/00 ,  G01R31/28

摘要： 本发明实施例提供一种用于电力二次设备的环境应力试验系统，属于电力技术领域。所述用于电力二次设备的环境应力试验系统包括环境试验室，以及在所述环境试验室内设置的环境模拟系统、电气控制设备、故障模拟系统，所述环境模拟系统用于生成所述电力二次设备所处环境的综合环境参数，所述电气控制设备用于控制所述环境模拟系统生成所述综合环境参数，并对所述电力二次设备进行综合环境应力试验，所述故障模拟系统，配合所述环境模拟系统，用于模拟所述电力二次设备试验的电网各类故障和异常运行工况。通过环境模拟系统形成多种不同环境影响因素的共同作用，模拟户外电网真实运行环境。

公开(公告)号：CN114221138A

公开(公告)日：2022-03-22

申请号：CN202210165206.4

申请日：2022-02-23

申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司 ,  北京航空航天大学

发明人： 赵东艳 ,  王于波 ,  陈燕宁 ,  邵瑾 ,  赵扬 ,  付振 ,  张永华 ,  庞振江 ,  王立城 ,  成睿琦 ,  梁冰洋 ,  周远国 ,  任强

IPC分类号： H01Q15/00

摘要： 本发明实施例提供一种人工电磁超表面，用于生成贝塞尔涡旋波束，属于微波段电磁波调控技术领域。所述人工电磁超表面由多个均匀布置的柱状介质基础单元构成；其中，各介质基础单元的尺寸信息由预设工作场景信息决定；各介质基础单元的工作面为凹面结构，且所述凹面存在一个十字形空气柱，所述凹面和所述十字形空气柱共同构成电磁抗反射结构；所述十字形空气柱的尺寸根据对应的介质基础单元的尺寸信息自适应调整确定。本发明方案利用了人工电磁表面的相位突变特性，使通过本发明设计的全介质透射型人工电磁超表面的球面电磁波可以转化为携带轨道角动量的贝塞尔电磁波，具有极化适应性强、透射效率高、设计简单、成本低廉、易于加工等优点。

公开(公告)号：CN118731510A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202410739816.X

申请日：2024-06-07

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网冀北电力有限公司计量中心 ,  国网四川省电力公司营销服务中心

发明人： 杨小娟 ,  袁瑞铭 ,  赵扬 ,  李文文 ,  高杰 ,  翟振 ,  申杰 ,  黄保成 ,  成睿琦 ,  罗宗兰 ,  仝傲宇

IPC分类号： G01R29/08

摘要： 本申请提供一种EFT测试装置、方法及EFT故障诊断方法，属于电磁干扰技术领域。所述EFT测试装置与待测设备并联到交流电源，EFT测试装置包括：通断装置、干扰耦合装置以及感性负载，所述通断装置、干扰耦合装置以及感性负载串联后连接到交流电源，所述干扰耦合装置用于连接在待测设备上以将感性负载断开时产生的EFT耦合到待测设备上，所述通断装置控制感性负载的通断，以使感性负载在断开时产生EFT。该EFT测试装置采用的各元件成本低，在研发实验环境中可以快速获取相应元件并搭建好测试装置，可以实现第三方检测实验室外的EFT测试，无需采购专用设备，不受实验排期、场地的限制。成本低，周期短，可操作性强。

公开(公告)号：CN118315291A

公开(公告)日：2024-07-09

申请号：CN202410706029.5

申请日：2024-06-03

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  浙江大学

发明人： 陈燕宁 ,  刘芳 ,  吴波 ,  夏雨俨 ,  陶然 ,  吴永玉 ,  赵扬 ,  邓永峰 ,  章明瑞

IPC分类号： H01L21/60 ,  H04L25/02 ,  H01L25/16 ,  H01L23/64 ,  H01L23/48 ,  H01L21/768

摘要： 本发明提供一种电容隔离器及其制备方法，属于半导体制造技术领域。该电容隔离器制备方法包括：分别制备隔离电容芯片、发射机芯片和接收机芯片，发射机芯片和/或接收机芯片设置有硅通孔；将发射机芯片和接收机芯片分别与隔离电容芯片进行键合，得到电容隔离器。使电容器的耐压性能不再受制于集成电路后端金属互联层的厚度，提高了电容器耐压，可以避免在金属间绝缘层的沉积过程中对硅衬底产生较大的机械应力，降低了衬底弯曲或碎裂和器件失效的风险，从而提高了器件的可靠性。通过将传统的二维集成电路转变为三维集成电路，提高芯片面积率用率，提供了更优的电路连接，降低应力引发器件失效的风险，提高器件可靠性。