公开(公告)号：CN105981140A

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201580008398.6

申请日：2015-02-16

申请人： 株式会社日立国际电气

发明人： 高木康祐 ,  森田慎也 ,  赤江尚德 ,  山崎惠信

IPC分类号： H01L21/31 ,  C23C16/44

CPC分类号： C23C16/4401 ,  C23C16/4409 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67126

摘要： 提供一种能够抑制副生成物的附着且能够抑制产生微粒的技术。具有：反应管，其处理衬底；炉口部，其设置在反应管的下端，在炉口部的上表面的内周面侧，遍及一周地形成有凹陷部和鼓出部，该鼓出部形成有将凹陷部与内周面连通的至少一个缺口；罩，其从炉口部的内周面隔开规定间隔地设置，并覆盖炉口部的至少所述内周面；和至少一个气体供给部，其向炉口部的凹陷部供给气体。

公开(公告)号：CN105869979A

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201510461468.5

申请日：2015-07-30

申请人： 株式会社日立国际电气

发明人： 松井俊 ,  盛满和广 ,  丰田一行

IPC分类号： H01J37/32 ,  H01L21/02

CPC分类号： C23C16/4412 ,  C23C16/4408 ,  C23C16/4409 ,  C23C16/45582 ,  C23C16/4585

摘要： 衬底处理装置、气体整流部、半导体器件的制造方法，抑制衬底的温度分布变得不均匀且处理均匀性下降。具有：处理衬底的处理室；衬底载置台，设置于处理室内，并载置衬底；加热衬底的加热部；气体整流部，向衬底供给处理气体；密封部，设置于气体整流部；隔热部，设置于密封部与气体整流部的上游侧表面之间；以及第一压力调整部，与隔热部连接。

公开(公告)号：CN105742211A

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201510993622.3

申请日：2015-12-25

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 网仓学 ,  日向寿树

IPC分类号： H01L21/67

CPC分类号： H01L21/67069 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/4409 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45587 ,  H01J37/32449 ,  H01J2237/0268 ,  H01J2237/16 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/6719

摘要： 本发明提供一种用于在处理容器内独立且面内均匀地对多个基板进行处理的基板处理装置。晶圆处理装置包括：处理容器，其用于气密地容纳晶圆；载置台，其设有多个，该载置台用于在处理容器内载置晶圆；处理气体供给部，其用于自载置台的上方朝向晶圆供给处理气体；排气机构，其用于对处理容器内进行排气；分隔壁，其配置在处理容器内，该分隔壁以与各载置台的外周隔开间隔的方式独立地包围载置台；以及内壁，其为圆筒形状，该内壁配置在处理容器的底面且以与载置台的外周隔开间隔的方式独立地包围该载置台，在内壁上形成有狭缝，经由狭缝进行处理空间内的处理气体的排气。在内壁上设有使处理空间内的处理气体以不直接流入狭缝的方式迂回的分隔板。

公开(公告)号：CN104903491A

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：CN201380068470.5

申请日：2013-12-12

申请人： 株式会社神户制钢所

发明人： 玉垣浩 ,  芳贺润二

IPC分类号： C23C16/458 ,  C23C16/44 ,  C23C16/503

CPC分类号： C23C16/54 ,  C23C16/26 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/4409 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/4584 ,  C23C16/4588 ,  C23C16/503 ,  C23C16/505 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/32706 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32779 ,  H01J37/32853 ,  H01J37/32899 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/67201 ,  H01L21/67754 ,  H01L21/6776

摘要： 提供一种即使持续长时间使用也不花费清扫等工夫、能够在维持稳定的成膜条件的同时以高生产效率进行成膜处理的等离子体化学气相沉积装置（100）。等离子体化学气相沉积装置（100）包括成膜室（1）和与成膜室（1）分开的加载互锁真空室（20、30），是在这些室间输送基材并在基材上生成成膜的连续式。成膜室（1）包括真空腔室（2）、将真空腔室（2）内的空气排出的真空排气机构（3）、向真空腔室（2）内供给原料气体的气体供给部（9）、和使真空腔室（2）内产生等离子体的等离子体产生电源（10）。在成膜室（1）中，基材被分为与等离子体产生电源（10）的一极连接的第1组（18）、和与等离子体产生电源（10）的另一极连接的第2组（19），在相互为不同极性的第1组（18）的基材与第2组（19）的基材之间产生等离子体。

公开(公告)号：CN102112652B

公开(公告)日：2013-04-24

申请号：CN200980129191.9

申请日：2009-07-27

申请人： 洛尔等离子技术有限公司

发明人： S·洛尔

IPC分类号： C23C16/44 ,  C23C16/04 ,  F27D23/00

CPC分类号： C23C16/4409 ,  C23C16/045 ,  F27D99/0073

摘要： 本发明涉及一种用于通过高频的磁场等离子辅助地对管状的构件的内侧进行涂覆的装置，所述装置包括：至少两个容纳体(4)，这些容纳体在管状的构件的端部上容纳和保持管状的构件(3)，并相对于周围环境密封管状的构件(3)的内部；容纳体上的可充气的密封件(9)，所述可充气的密封件围绕管状的构件(3)的外侧和/或端侧布设，该密封件在膨胀状态下相对于周围环境构成对容纳体(4)和管状的构件(3)之间的过渡部的密封；用于产生高频磁场的高频振荡回路；所述高频振荡回路的线圈(6)，该线圈的绕组与装置的纵轴线同轴地定向，其中所述纵轴线通过一延伸穿过两个容纳体(4)的直线限定；用于线圈(6)和/或容纳体(4)的驱动装置，所述驱动装置使线圈(6)相对于容纳体(4)或使容纳体(4)相对于线圈(6)移动。

公开(公告)号：CN1701417B

公开(公告)日：2012-04-25

申请号：CN200480000982.9

申请日：2004-02-20

申请人： 株式会社日立国际电气

发明人： 尾崎贵志 ,  谷山智志 ,  宇波博志 ,  前田喜世彦 ,  森田慎也 ,  高岛义和 ,  久门佐多雄

IPC分类号： H01L21/205 ,  H01L21/31

CPC分类号： C23C16/4409 ,  C23C16/4401 ,  C30B25/08

摘要： 化学汽相淀积装置具有用于处理晶片(1)的反应炉(39)；用于气密地密封反应炉的密封罩(20)；密封罩(20)对面的隔离凸缘(42)；由密封罩(20)、隔离凸缘(42)和反应炉(39)壁表面形成的小室(43)；用于给小室(43)供给第一气体的供给管(19b)；小室(43)提供的流出通道(42a)，用于使第一气体流入反应炉(39)；和从流出通道(42a)下游向反应炉(39)供给第二气体的供给管(19a)。阻止诸如NH4C1的副产品附着于诸如炉口的低温部分，并因此提高了半导体器件制造的合格率。

公开(公告)号：CN101728206B

公开(公告)日：2011-11-23

申请号：CN200910208880.0

申请日：2005-11-23

申请人： 欧瑞康太阳能股份公司(特吕巴赫)

发明人： P·埃恩格 ,  L·德劳内伊 ,  S·约斯特 ,  M·埃亚考比

IPC分类号： H01J37/32 ,  C23C16/44 ,  C23C16/509 ,  C23C16/54

CPC分类号： H01J37/32082 ,  C23C16/4409 ,  C23C16/509 ,  C23C16/54 ,  H01J37/32458 ,  H01J2237/3325

摘要： 一种用于大尺寸基片处理的等离子体增强化学气相沉积(PECVD)的等离子体反应器，包括外部气密的真空处理室和至少一个内部反应器，内部反应器封闭在真空处理室中，内部反应器分为两个部分：反应器底部和反应器顶部，内部反应器还包括处理气体供给部以及电连接到作为RF天线的电极喷头的RF供给部，其中，加强件支撑反应器顶部和/或反应器底部，加强件经由补偿隔件连接到反应器顶部和/或反应器底部，补偿隔件的厚度选择为补偿在运行期间加强件的热膨胀。

公开(公告)号：CN101134879B

公开(公告)日：2011-11-02

申请号：CN200710142878.9

申请日：2007-08-01

申请人： 应用材料股份有限公司

发明人： 珍妮弗·Y·孙 ,  丽·许 ,  塞恩·撒奇 ,  凯利·A·麦克多诺 ,  罗伯特·斯科特·克拉克

IPC分类号： C09J11/04 ,  C09J133/00 ,  C09J183/00 ,  H01L21/00 ,  H01L21/67

CPC分类号： C23C16/4409 ,  H01J37/32467

摘要： 本发明的实施方式提供了适合用于连接半导体腔室部件的牢固粘接材料。其他实施方式提供了使用具有在粘合层中沉积的金属填充物的粘接材料连接的半导体处理腔室部件。其他实施方式提供了用于制造具有包括在粘合层中沉积的金属填充的粘接材料的半导体处理腔室部件的方法。金属填充物适合与含卤素等离子体反应从而在其暴露于等离子体时卤素基金属层形成在粘接材料的暴露部分上。

公开(公告)号：CN100573803C

公开(公告)日：2009-12-23

申请号：CN200580039880.2

申请日：2005-11-23

申请人： OC欧瑞康巴尔斯公司

发明人： P·埃恩格 ,  L·德劳内伊 ,  S·约斯特 ,  M·埃亚考比

IPC分类号： H01J37/32 ,  C23C16/509 ,  C23C16/458

CPC分类号： H01J37/32082 ,  C23C16/4409 ,  C23C16/509 ,  C23C16/54 ,  H01J37/32458 ,  H01J2237/3325

摘要： 根据本发明的大尺寸基片PECVO处理的等离子体反应器，包括作为外室的真空处理室和带有电极喷头作为RF天线的至少一个内部反应器，所述内部反应器还包括反应器底部和反应器顶部，至少在等离子体反应器内基片处理期间密封式地连接，并至少在基片装载/卸载期间分开。进一步的实施例包括用于反应器顶部/底部的密封和用于RF天线/电极喷头的悬挂件。

公开(公告)号：CN101084571A

公开(公告)日：2007-12-05

申请号：CN200580043902.2

申请日：2005-12-19

申请人： 株式会社理学

发明人： 岛崎靖幸 ,  野口学

IPC分类号： H01L21/205 ,  H01L21/22 ,  H01L21/324

CPC分类号： C23C16/4409 ,  H01L21/67126

摘要： 在旋转轴(20)的下端固定有从单元主体(30)的下方向外周翻回的外壳构件(60)。利用磁性流体密封部(40)，将旋转轴(20)与单元主体(30)之间的间隙磁性密封。另外，在单元主体(30)与外壳构件(60)之间，在单元主体(30)的下端部分设置轴承部(70)。进而，在比磁性流体密封部(40)更靠近反应容器侧，并且在磁性流体密封部(40)的附近的位置中，向旋转轴(20)与主体(30)之间的间隙供应清洗气体。