公开(公告)号：CN117568912B

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202311559095.6

申请日：2023-11-21

申请人： 松山湖材料实验室 ,  广东中民工业技术创新研究院有限公司

发明人： 王新强 ,  袁冶 ,  卢同心 ,  万文婷 ,  曹家康 ,  李泰 ,  罗巍

IPC分类号： C30B1/02 ,  C30B30/00 ,  C30B27/00 ,  C30B29/40 ,  C30B29/16 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02

摘要： 本申请提供一种单晶复合衬底及其制备方法，涉及复合材料领域。单晶复合衬底的制备方法包括以下步骤：获得单晶复合衬底模板，单晶复合衬底模板包括衬底以及形成于其表面的单晶模板；在单晶模板的表面沉积一层沉积层，沉积层与单晶模板的材质相同，沉积层为非晶相；对沉积层使用脉冲激光辐射处理以使沉积层重结晶，获得单晶膜，重结晶的过程中衬底保持室温；重复沉积和重结晶的步骤，直至单晶膜的堆叠厚度达到预设厚度。该制备方法能够在增加单晶膜的总厚度的基础上，减小衬底和单晶膜之间的内应力，有效提高最终制得的单晶复合衬底的质量。

公开(公告)号：CN116959958B

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202310949963.5

申请日：2023-07-31

申请人： 苏州亚信华电子科技有限公司

发明人： 阙进林 ,  李永祥

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/677 ,  H01L21/687 ,  B08B7/00 ,  B08B13/00 ,  B08B11/02

摘要： 本发明属于激光清洗技术领域，具体的说是一种半导体激光清洗机，包括支撑板，所述支撑板上固接有两个传送夹板，所述传送夹板顶面滑动设置有移动板，所述移动板顶面转动连接有置物机构，所述置物机构顶面放置有需要清洗的陶瓷圆片，所述传送夹板上固接有驱动组件，两个所述传送夹板之间转动连接有用于传送置物机构的动力滚筒，所述支撑板一侧通过横板固接有用于传送置物机构的倾斜下移机构，所述倾斜下移机构下部一侧设置有循环取放机构，所述循环取放机构上方设置有激光清理组件，激光清理组件即可不用进行多次启动及关闭，实现了连续工作，同时激光清理组件不会将激光照射在任何设备上，避免激光损坏设备。

公开(公告)号：CN113366617B

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202080011611.X

申请日：2020-01-28

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 史蒂芬·M·施瑞德 ,  拉莎娜·莉玛丽 ,  潘阳 ,  戴安·海姆斯

IPC分类号： H01L21/56 ,  C09D5/16 ,  H01L21/02

摘要： 一种用于在处理期间保护衬底的表面的方法包含：a)提供溶液，所述溶液形成具有上限温度的共聚物；b)将所述溶液分配于所述衬底的表面上，以形成牺牲保护层，其中所述共聚物为动力学捕获的，以使得能在高于所述上限温度的温度下保存；c)使所述衬底暴露于周围环境并持续预定时段；以及d)通过使用选自由紫外(UV)光和热所组成的群组的刺激而使所述牺牲保护层解聚合。

公开(公告)号：CN118715592A

公开(公告)日：2024-09-27

申请号：CN202380022045.6

申请日：2023-02-14

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 伊莱·钱 ,  道格拉斯·沃尔特·阿格纽 ,  希瓦·沙兰·班达里 ,  伊恩·约翰·科廷 ,  约瑟夫·R·阿贝尔 ,  詹森·亚历山大·瓦内尔 ,  科迪·巴奈特 ,  克里斯多夫·尼古拉斯·亚丹萨 ,  达斯汀·扎卡里·奥斯丁

IPC分类号： H01L21/02 ,  C23C16/02 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455

摘要： 利用电介质材料填充间隙的方法，其包括在沉积期间使用抑制等离子体。该抑制等离子体提高已沉积膜的成核屏障。该抑制等离子体在特征的顶部附近选择性地产生相互作用，以相比于特征的底部而抑制特征的顶部处的沉积，强化自下而上的填充。处理室可以具有多个压强开关，从而能够在沉积过后利用比沉积期间更高的压强进行处理。

公开(公告)号：CN118712208A

公开(公告)日：2024-09-27

申请号：CN202410758272.1

申请日：2024-06-13

申请人： 中国电子科技集团公司第五十五研究所

发明人： 李赟 ,  赵志飞 ,  王翼 ,  熊瑞 ,  曹越 ,  姜海涛

IPC分类号： H01L29/06 ,  C30B25/18 ,  C30B25/20 ,  C30B29/36 ,  C30B25/16 ,  H01L29/16 ,  H01L29/04 ,  H01L21/02 ,  H01L21/336

摘要： 一种3C‑SiC复合结构及其制备方法，本发明通过4H‑SiC进行长时间氢气刻蚀，在表面形成单个晶胞高度（4层Si‑C双原子层）的晶体台阶，再进行表面碳化和生长3C‑SiC异质成核层，保证3C‑SiC外延过程中原子层排列有序，从而降低3C‑SiC异质外延层中的双定位边缺陷密度。4H‑SiC/3C‑SiC异质结存在二维电子/空穴气，为避免该影响，本发明通过离子注入从3C‑SiC外延片剥离出薄层3C‑SiC并将其键合至低电阻率SiC底座上，形成3C‑SiC/ SiC复合衬底，再利用该复合衬底进行3C‑SiC同质外延生长，制备出MOSFET器件所需的外延结构。制备的3C‑SiC具有更低的栅氧界面态密度和更高的栅氧势垒，所述方法适用于1200V以下耐压的高性能、高可靠SiC MOSFET芯片研制。

公开(公告)号：CN118280888B

公开(公告)日：2024-09-27

申请号：CN202410678853.4

申请日：2024-05-29

申请人： 广东芯华镁半导体技术有限公司

发明人： 吴攀

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/02 ,  H01L21/677 ,  C25D19/00 ,  C25D5/14 ,  C25D7/12

摘要： 本发明属于半导体技术领域，公开了一种晶圆级金属沉积的半导体集成制造系统与方法，包括锌置换模块；化学镍处理模块包括三个化学镍沉积机构；化学钯处理模块包括两个间隔设置的化学钯沉积机构；化学金处理模块包括五个依次设置的化学金沉积机构，其中，第一个至第三个盛有含氰化学金镀液，第四个和第五个盛有无氰化学金镀液；直线天车系统，沿着制造系统的长度方向设置，以输送晶圆载板；分段设置的各类沉积机构使得每个电镀过程都能在最佳条件下进行，确保镀层的质量和一致性，减少单一电镀反应滞留时间，显著提高了生产效率和处理速度，实现了晶圆在整个电镀过程中的高效和精确处理；使用无氰结合含氰化学金镀液的策略减少了环境污染。

公开(公告)号：CN118692944A

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202410187218.6

申请日：2024-02-20

申请人： 株式会社国际电气

发明人： 西田圭吾 ,  林孝徳 ,  石坂光范

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/02 ,  C23C16/455 ,  C23C16/52 ,  C23C16/44

摘要： 本发明提供基板处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质，在向进行基板处理的处理室内供给处理气体时，提高使处理室内的处理气体的分压上升至所期望的压力的速度。具备：内侧容器，其收容基板；外侧容器，其包围内侧容器的侧壁；内侧排气口，其设在内侧容器的侧壁的与内侧容器中的基板的配置区域相对的位置；外侧排气口，其设在外侧容器的在内侧容器的侧壁的周向上与内侧排气口不同的位置；第1处理气体供给系统，其向内侧容器内供给第1处理气体；和非活性气体供给系统，其从设在周向上的内侧排气口与外侧排气口之间的位置处的气体供给口向内侧容器与外侧容器之间供给非活性气体。

公开(公告)号：CN118692898A

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202410722459.6

申请日：2024-06-05

申请人： 长电科技(宿迁)有限公司

发明人： 徐赛

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/56 ,  B08B7/00 ,  C23G5/00

摘要： 本发明提供一种去除金属基材表面氧化层的方法及装置，应用于待塑封产品，待塑封产品具有表面暴露的金属基材，方法包括：将待塑封产品置于封闭环境中；向封闭环境中持续通入含氢混合气体，并在设定温度下恒温设定时间，含氢混合气体用于还原金属基材表面的氧化层，其中，设定温度为220～300℃，且小于金属基材的熔点。本发明方法及装置能够有效去除金属基材表面的氧化层，且不会出现浸泡清洗溶剂而引起金属基材的异常，确保了金属基材的连接可靠性，并且，金属基材表面的氧化层被有效去除，改善了金属基材与塑封料分层的现象，进一步提高了封装结构的可靠性。同时，该还原反应在恒温下进行，能够使球焊后的材料应力得到充分释放，提升了封装结构的可靠性。

公开(公告)号：CN118685863A

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202410387504.7

申请日：2024-04-01

申请人： 星钥(珠海)半导体有限公司

发明人： 请求不公布姓名 ,  请求不公布姓名

IPC分类号： C30B33/00 ,  C30B25/18 ,  C30B29/06 ,  C30B33/12 ,  B08B7/00 ,  B08B3/12 ,  B08B3/08 ,  B08B3/02 ,  H01L21/02

摘要： 本发明属于半导体领域，具体公开一种基于硅基氮化镓外延片再生硅基的方法。本发明先通过溴化氢气体与硅基上的氮化镓在高温下进行分解反应，再配合后续的清洗，可以完成硅基表面氮化物祛除以及表面残留颗粒清洗，得到干净的再生硅基，该硅基可以再次利用生长如氮化镓、氮化镓铟等外延片，从而实现硅基的重复利用，降低硅资源的浪费及生产成本。

公开(公告)号：CN116903117B

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202310837930.1

申请日：2023-07-10

申请人： 苏州智程半导体科技股份有限公司

发明人： 孙先淼 ,  戴文海 ,  华斌

IPC分类号： C02F1/68 ,  B01F25/433 ,  B01F23/231 ,  B01F23/237 ,  H05F1/02 ,  H01L21/02 ,  C02F103/04

摘要： 本发明提供了一种超纯水防静电装置，包括：具中空腔体的混合筒，分别设置于混合筒顶端与混合筒底端的出液筒与进液筒；混合筒侧部靠近出液筒一端与靠近进液筒一端分别开设进气口与出气口，并于混合筒内设置至少一个呈螺旋状且侧部开设若干孔洞以仅供气体渗透的管道，出液筒与进液筒分别开设连通管道顶端与管道底端的出液口与进液口。通过本发明，实现了二氧化碳与超纯水的充分溶合，还简化了对碳酸水电导率调节过程，以降低生产制造成本，并保证了电导率调节的准确性。