-
公开(公告)号：CN1667825B
公开(公告)日：2012-01-25
申请号：CN200510008634.2
申请日：2005-02-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/52 , H01L23/528 , H01L23/535 , H01L21/768
CPC classification number: H01L23/3677 , G06F17/5077 , G06F2217/80 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明是一种金属导线结构及其制程，所述金属导线结构，包括：一半导体基底；多层介电层，层叠于半导体基底上；至少两上层导线片段，沿第一方向延伸，且位于介电层中的同一层内；以及至少一下层导线片段，沿第一方向延伸，且位于上层导线片段下方的介电层中，并经由至少两接触插栓与上层导线片段形成电性接触。本发明能够降低因电流通过导线所产生的焦耳热，以提升集成电路长久可靠度表现。
-
公开(公告)号：CN100539050C
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200710180740.8
申请日：2007-10-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 吴俊毅
CPC classification number: H01L21/6835 , H01L21/4846 , H01L23/49827 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L2221/68345 , H01L2224/16 , H01L2224/81192 , H01L2224/81801 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/30107 , H05K3/205 , H05K3/3473 , H05K2201/09745 , H05K2201/10674 , H01L2224/0401
Abstract: 本发明提供一种封装基底的形成方法与芯片的封装方法，其中通过反向增层的方法，以形成一封装基底，包含：形成多个凸块；形成一互连线结构连接上述凸块；以及形成多个球栅阵列球状物于上述互连线结构上。上述球栅阵列球状物经由上述互连线结构，而电性连接上述凸块。形成上述凸块的步骤的顺序在形成上述互连线结构与形成上述球栅阵列球状物之前。
-
-
公开(公告)号：CN113314496B
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202110025945.9
申请日：2021-01-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L23/31 , H01L21/56 , H05K1/18
Abstract: 在实施例中，结构包括：芯衬底；耦接的再分布结构，再分布结构包括多个再分布层，多个再分布层包括介电层和金属化层；第一局部互连组件，嵌入多个再分布层的第一再分布层中，第一局部互连组件包括导电连接件，导电连接件接合至第一再分布层的金属化图案，第一再分布层的介电层密封第一局部互连组件；第一集成电路管芯，耦接至再分布结构；第二集成电路管芯，耦接至再分布结构，第一局部互连组件的互连结构将第一集成电路管芯电耦接至第二集成电路管芯；以及一组导电连接件，耦接至芯衬底的第二侧。本申请的实施例还涉及半导体结构及其形成方法和封装件。
-
公开(公告)号：CN112309874B
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202010237003.2
申请日：2020-03-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种方法包括将封装部件放置在载体上方。封装部件包括器件管芯。将核心框架放置在载体上方。核心框架形成环绕第一封装部件的环。该方法还包括将核心框架和封装部件密封在密封剂中，在核心框架和封装部件上方形成再分布线，以及在封装部件上方形成电连接件，电连接件通过再分布线电耦合到封装部件。本发明的实施例还涉及封装件及其形成方法。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118795618A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202410799287.2
申请日：2024-06-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G02B6/42
Abstract: 一种光子组件，包括：复合管芯，包括光子集成电路(PIC)管芯和电子集成电路(EIC)管芯，PIC管芯包括波导和其中的光子器件，并且EIC管芯包括其中的半导体器件；以及光学连接器单元，包括第一连接器侧镜面反射器和第一切换边缘耦合器，其中，第一连接器侧镜面反射器配置成在通过复合管芯的垂直延伸的光束路径和通过第一切换边缘耦合器的水平延伸的光束路径之间改变光束方向。本申请的实施例还提供了一种形成光子组件的方法。
-
公开(公告)号：CN118555841A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202410539477.0
申请日：2024-04-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 封装件包括：布线结构，包括第一波导和光子器件；电子管芯，接合至布线结构，其中，电子管芯电连接至光子器件；以及光学耦合结构，接合至邻近电子管芯的布线结构，其中，光学耦合结构包括位于衬底的第一侧中的第一透镜。本申请的实施例还涉及形成封装件的方法。
-
公开(公告)号：CN115440803A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202210797685.1
申请日：2022-07-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/423 , H01L27/088 , H01L21/8234
Abstract: 公开了一种具有不同栅极结构配置的半导体器件及其制造方法。半导体器件包括第一栅极结构和第二栅极结构。第一栅极结构包括第一界面氧化物(IO)层、设置在第一界面氧化物层上的第一高K(HK)介电层、以及设置在第一IO层与第一HK介电层之间的界面处的第一偶极子层。HK介电层包括稀土金属掺杂剂或碱金属掺杂剂。第二栅极结构包括第二IO层、设置在第二IO层上的第二HK介电层、以及设置在第二IO层与第二HK介电层之间的界面处的第二偶极子层。第二HK介电层包括过渡金属掺杂剂和稀土金属掺杂剂或碱金属掺杂剂。
-
公开(公告)号：CN114883196A
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202110661512.2
申请日：2021-06-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/48 , H01L23/498
Abstract: 本公开提供一种半导体器件和制造方法，所述半导体器件包括：重布线结构；多个核心衬底，使用导电连接件附接到重布线结构，多个核心衬底中的每一核心衬底包括多个导电柱；以及一或多个模制层，包封多个核心衬底，其中一或多个模制层沿多个核心衬底的侧壁延伸，且其中一或多个模制层沿导电柱中的每一个的侧壁的一部分延伸。
-
公开(公告)号：CN111106065B
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN201910538003.3
申请日：2019-06-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234
Abstract: 本发明的实施例提供一种形成集成电路器件的方法的示例，其中，所述集成电路器件具有设置在沟道区和栅极介电质之间界面层。在一些示例中，所述方法包括接收具有衬底和鳍的工件，所述鳍具有设置在所述衬底上的沟道区。界面层形成在所述鳍的沟道区上，且栅极介电层形成在所述界面层上。第一覆盖层形成在所述栅极介电层上，且第二覆盖层形成在所述第一覆盖层上。在所述工件上执行退火工艺，所述退火工艺被配置为使第一材料从所述第一覆盖层扩散到所述栅极介电层中。可在制造工具的同一腔室中执行所述第一覆盖层和第二覆盖层的形成和退火工艺。本发明的实施例还提供了具有界面层的栅极结构和集成电路的制造方法。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
155
records
(took 0.04 seconds)
