公开(公告)号：CN103147071A

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN201210271435.0

申请日：2012-07-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郭铭修 ,  李志聪 ,  周友华 ,  蔡明志 ,  陈嘉和 ,  林进祥

IPC: C23C16/52 ,  C23C16/455

CPC classification number: C23C16/44 ,  C23C16/45565

Abstract: 本公开提供了控制化学汽相沉积(CVD)膜的轮廓均匀性的方法和系统。一种方法包括利用第一喷头通过CVD在衬底上沉积第一层，该第一层具有第一轮廓，以及利用第二喷头通过CVD在第一层上方沉积第二层，该第二层具有第二轮廓。组合的第一层和第二层具有第三轮廓，并且第一轮廓、第二轮廓，以及第三轮廓彼此不同。

公开(公告)号：CN103137533A

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN201210204063.X

申请日：2012-06-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 高宗恩 ,  周友华 ,  李志聪 ,  郭铭修

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/677 ,  B25J11/00

CPC classification number: H01L21/6831 ,  H01L21/67742

Abstract: 一种工件传送系统具有多个连接器，每个连接器具有轴承和主变压器线圈和副变压器线圈，其中提供给每个连接器的主和副变压器线圈之一的电力在各自连接器的主变压器线圈和副变压器线圈之间产生互感，这样提供了通过每个连接器的无接触电力。至少第一对臂通过第一对连接器分别可旋转地连接至刀片状件，第一对连接器的每一个的主变压器线圈可操作地连接至相应的第一对臂，第一对连接器的每一个的副变压器线圈可操作连接至刀片状件及其电介质工件保持表面下的电极。因此，通过连接器的主变压器线圈和副变压器线圈给电极无接触供电，并且刀片状件可通过反转电流方向以及调整控制吸持力的电压来吸持和去吸持工件。本发明还公开了静电吸持机器人系统。

公开(公告)号：CN103132028A

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN201210056039.6

申请日：2012-03-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 高宗恩 ,  蔡明志 ,  周友华 ,  江振家 ,  李志聪 ,  郭铭修

IPC: C23C14/34

Abstract: 提供用于可单独供电的多个靶体组件的薄膜沉积系统和方法。每个靶体组件都包括靶体以及相关的磁体或磁体组。本发明提供了通过对靶体布置单独供电的多个电源产生的可调膜轮廓。可以对提供给靶体布置的功率的相对量进行定制以提供期望的膜，并且可以及时改变提供给靶体布置的功率的相对量以产生具有不同特性的膜。本发明提供了具有多个靶体和磁体的沉积室的PVD装置和方法。

公开(公告)号：CN102386157A

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN201010602782.8

申请日：2010-12-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 赖怡仁 ,  周友华 ,  黄宏麟 ,  杨怀德

IPC: H01L23/485 ,  H01L23/31 ,  H01L21/768 ,  H01L21/78

CPC classification number: H01L23/481 ,  H01L21/76898 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/18 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/03823 ,  H01L2224/03825 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05006 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06551 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

Abstract: 本发明公开了一种半导体结构及其形成方法，本发明提供的一种采用裸片边缘接点的半导体元件。集成电路裸片具有沟槽的后保护层，而沟槽填有导电材料且自接点延伸至裸片边缘以形成裸片边缘接点。沿着裸片边缘，可视情况形成穿透基板通孔。这将使沟槽中的导电材料电性耦合至穿透基板通孔，以形成较大的裸片边缘接点。上述集成电路裸片可置于多重裸片封装中，且多重裸片封装的墙状物的主要表面垂直于集成电路裸片的主要表面。裸片边缘接点可电性连接至多重裸片封装的墙状物上的接点。多重裸片封装可含有边缘接点以连接至另一基板如印刷电路板、封装基板、高密度内连线、或类似物。本发明提供3D IC封装更方便的测试接点与对抗热应力造成的集成电路龟裂。

公开(公告)号：CN100446197C

公开(公告)日：2008-12-24

申请号：CN200510088672.3

申请日：2005-08-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 周友华 ,  王琳松 ,  林志隆 ,  施宗仁 ,  王英郎

IPC: H01L21/329 ,  H01L21/82 ,  H01L21/8239 ,  H01L21/8242 ,  H01L29/92 ,  H01L27/02 ,  H01L27/105 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L23/5223 ,  H01L21/02131 ,  H01L21/02323 ,  H01L21/02329 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/31683 ,  H01L21/3211 ,  H01L23/53238 ,  H01L28/40 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种自对准的金属绝缘体金属电容结构及其形成方法，此方法包含在介电绝缘层中形成金属填充镶嵌，且其具有曝露表面；形成金属前驱物层在此曝露表面上；对此金属前驱物层进行一工艺，此工艺选自氧化工艺与氮化工艺所组成的族群，以形成电容介电部分；以及形成导电的电极层在此电容介电部分上。

公开(公告)号：CN1801466A

公开(公告)日：2006-07-12

申请号：CN200510088672.3

申请日：2005-08-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 周友华 ,  王琳松 ,  林志隆 ,  施宗仁 ,  王英郎

IPC: H01L21/329 ,  H01L21/82 ,  H01L21/8239 ,  H01L21/8242 ,  H01L29/92 ,  H01L27/02 ,  H01L27/105 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L23/5223 ,  H01L21/02131 ,  H01L21/02323 ,  H01L21/02329 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/31683 ,  H01L21/3211 ,  H01L23/53238 ,  H01L28/40 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种自对准的金属绝缘体金属电容结构及其形成方法，此方法包含在介电绝缘层中形成金属填充镶嵌，且其具有曝露表面；形成金属前驱物层在此曝露表面上；对此金属前驱物层进行一工艺，此工艺选自氧化工艺与氮化工艺所组成的族群，以形成电容介电部分；以及形成导电的电极层在此电容介电部分上。

公开(公告)号：CN1781865A

公开(公告)日：2006-06-07

申请号：CN200510075156.7

申请日：2005-06-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡正原 ,  周友华 ,  林志隆

IPC: C03C17/22 ,  C03C21/00

CPC classification number: H01L21/76801 ,  H01L21/02129 ,  H01L21/02131 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31629 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76834

Abstract: 本发明是有关于一种增强氟硅玻璃层稳定性的方法，其是在基材上提供氟硅玻璃层，并利用例如氢化磷(Phosphine；PH3)的含磷且含碳气体处理。此含磷且含氢气体形成反应性氢物质以及反应性磷物质其中反应性氢物质来移除氟原子团，而反应性磷物质则在此氟硅玻璃层上形成吸收水气且吸收离子的氧化磷薄膜。并且本发明能够预防或降低由原子团引起的缺陷造成氟硅玻璃层破坏的发生率。

公开(公告)号：CN109860114B

公开(公告)日：2021-09-24

申请号：CN201810584631.0

申请日：2018-06-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 周友华

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L29/861

Abstract: 一种用于形成鳍式底部二极管的方法和结构包括提供具有多个从其上延伸的鳍的衬底。多个鳍中的每个包括衬底部分和衬底部分上方的外延层部分。第一掺杂层形成在多个鳍中的每个的衬底部分的第一区域的侧壁上。在形成第一掺杂层之后，执行第一退火工艺以在衬底部分的第一区域内形成第一二极管区域。第二掺杂层形成在多个鳍中的每个的衬底部分的第二区域的侧壁上。在形成第二掺杂层之后，执行第二退火工艺以在多个鳍中的每个的衬底部分的第二区域内形成第二二极管区域。本发明的实施例还涉及鳍式二极管结构及其方法。

公开(公告)号：CN109585354B

公开(公告)日：2021-03-16

申请号：CN201811334229.3

申请日：2012-06-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈嘉和 ,  连明惠 ,  吴淑芬 ,  李志聪 ,  周友华

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/687

Abstract: 一种用于夹紧弯曲工件的静电卡盘，具有包括介电层的夹紧面。介电层具有由不同介电材料形成的域和一个或多个区域。将一个或多个电极连接至电源，并且控制器控制通过电源提供给一个或多个电极的夹紧电压。感生与静电卡盘的介电层的每一个域和一个或多个区域相关的静电吸引力，其中，静电吸引力基于每一个域和一个或多个区域的介电材料而变化。一个或多个区域中的静电吸引力大于域中的静电吸引力，其中，将工件的弯曲区域吸附至夹紧面并且横跨弯曲工件的表面将弯曲工件夹到夹紧面。本发明还提供了具有多区域控制的静电卡盘。

公开(公告)号：CN112309852A

公开(公告)日：2021-02-02

申请号：CN202010737442.X

申请日：2020-07-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 周友华 ,  庄国胜

IPC: H01L21/311

Abstract: 本发明实施例提供一种图案化材料层的方法，方法包含以下步骤。第一材料层形成于衬底上方，且第一材料层包含第一金属化合物。经由第一光掩模来用γ射线曝光第一材料层的部分，其中将第一材料层的部分中的第一金属化合物的第一金属离子化学还原为第一金属粒子。将第一材料层的其它部分去除以形成包含第一金属粒子的多个第一硬掩模图案。