公开(公告)号：CN101303537B

公开(公告)日：2011-07-13

申请号：CN200810096908.1

申请日：2008-05-07

申请人： 应用材料股份有限公司

发明人： 肯尼思·S·柯林斯 ,  塙广二 ,  安德鲁·阮 ,  沙希·拉夫 ,  阿吉特·巴拉克里什纳 ,  瓦伦丁·N·托铎洛 ,  卡提克·雷马斯瓦米 ,  马丁·杰弗里·萨利纳斯 ,  伊马德·优素福 ,  沃尔特·R·梅丽 ,  英·鲁 ,  迈克尔·R·赖斯

IPC分类号： G03F7/36 ,  G03F7/42

CPC分类号： B08B7/00 ,  B08B7/0035 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/3244 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/0209 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/68764

摘要： 本发明提供了一种用于从工件后侧移除聚合物和/或从工件前侧移除光刻胶的工艺。对于后侧聚合物移除，晶圆位于顶部附近和具有贯穿腔室侧壁的侧面出口的局部或远程等离子体源之上，并且通过旋转工件同时使等离子体副产物从侧面出口流动到晶圆后侧来移除后侧聚合物。对于前侧光刻胶移除，晶圆位于远离顶部和局部等离子体源的侧面出口之下，并且通过旋转工件同时使等离子体副产物从侧面出口流动到晶圆前侧来移除前侧光刻胶。

公开(公告)号：CN101457338B

公开(公告)日：2011-04-27

申请号：CN200910003301.9

申请日：2004-02-12

申请人： 应用材料股份有限公司

发明人： B·S·伍德 ,  M·N·卡瓦谷奇 ,  J·S·帕帕努 ,  R·C·莫斯理 ,  C·S·赖 ,  C-T·考 ,  H·艾 ,  W·W·王

IPC分类号： C23C14/02 ,  H01L21/00 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/768 ,  H01J37/32

CPC分类号： H01L21/67069 ,  C23C14/022 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32871 ,  H01J37/34 ,  H01L21/02046 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76838

摘要： 一基材清洁设备，其有一远程来源可自远程将含氢气体激发以形成一激发气体，其中离子性含氢物种对含氢自由基物种的比值为第一比率。该设备有一处理室，其具有一基材支撑件、一离子过滤器用以过滤该远程激发的气体以形成一经过滤的激发气体(其中离子性含氢物种对含氢自由基物种的比值为第二比率，该第二比率与该第一比率不同)、以及一气体分配器用以将该经过滤的激发气体引入该室内。

公开(公告)号：CN101970710A

公开(公告)日：2011-02-09

申请号：CN200980109110.9

申请日：2009-03-25

申请人： 日本磁性技术株式会社

发明人： 椎名祐一

IPC分类号： C23C14/32 ,  H05H1/32

CPC分类号： H01J37/32366 ,  C23C14/325 ,  C23C14/564 ,  H01J37/32357 ,  H05H1/50

摘要： 本发明的目的是提供一种能够更有效地除去混入到等离子中的微滴，能够谋求由高纯度等离子进行的成膜等的表面处理精度的提高的等离子生成装置及使用了它的等离子处理装置。在本发明中，设置在等离子行进路上的微滴除去部，由与等离子发生部(A)连接的等离子直行管(P0)；与等离子直行管(P0)呈弯曲状地连接的第一等离子行进管(P1)；与第一等离子行进管(P1)的终端相对于其管轴以规定弯曲角倾斜配置地连接的第二等离子行进管(P2)；与第二等离子行进管(P2)的终端呈弯曲状地连接并从等离子出口排出等离子的第三等离子行进管(P3)构成。

公开(公告)号：CN101939812A

公开(公告)日：2011-01-05

申请号：CN200780101172.6

申请日：2007-10-19

申请人： MKS仪器股份有限公司

发明人： X·陈 ,  A·考韦

IPC分类号： H01J37/32

CPC分类号： H01J37/32357 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449

摘要： 一种用于激活工艺气体的等离子体室，包括：形成环形等离子体通道的至少四段，每一段具有一横截面积；以及在一段上形成的出口，该出口的横截面积大于其它段的横截面积。该等离子体室还包括：用于接收工艺气体的入口；以及压力通风室，用于在与出口相对的段的宽阔区域上引入工艺气体，以降低局部高等离子体阻抗和气流不稳定性，其中与出口相对的段限定多个孔以在等离子体通道中提供螺旋状气旋。

公开(公告)号：CN101916740A

公开(公告)日：2010-12-15

申请号：CN201010246116.5

申请日：2005-02-25

申请人： 应用材料有限公司

发明人： C-T·高 ,  J-P·周 ,  C·赖 ,  S·阿姆托艾 ,  J·休斯顿 ,  S·郑 ,  M·张 ,  X·袁 ,  Y·张 ,  X·陆 ,  W·W·王 ,  S-E·潘

IPC分类号： H01L21/683 ,  H01L21/00 ,  H01J37/32

CPC分类号： H01L21/02104 ,  C23C14/022 ,  C23C14/50 ,  C23C14/541 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32522 ,  H01J37/32541 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/32862 ,  H01J2237/2001 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67109 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供了一种用于从衬底表面上去除天然氧化物的方法和装置。一方面，该腔包括一个腔体和一个至少部分布置在腔体内并适合在其上支撑衬底的支撑装置。该支撑装置包括至少部分在其中形成并能冷却衬底的一个或多个流体通道。该腔进一步包括布置在腔体上表面的盖装置。该盖装置包括在其间限定了等离子空腔的第一电极和第二电极，其中第二电极适合连接地加热衬底。

公开(公告)号：CN101439342B

公开(公告)日：2010-10-20

申请号：CN200810173371.4

申请日：2008-11-20

申请人： 精工爱普生株式会社

发明人： 山崎正 ,  河西充

IPC分类号： B08B7/00 ,  C03C17/00 ,  G02F1/13

CPC分类号： B08B7/0035 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32376

摘要： 提供一种有效地从基板表面除去有机物以及进行基板表面改质化的基板的表面处理方法以及等离子体处理装置。利用由大于大气中氮所占的容量比率的容量比率的氮气生成的氮自由基，可以在基板(70)附近生成必要量的氧自由基。由于可以在基板(70)附近生成必要量的氧自由基，所以可以有效地从基板表面(70a)可以除去有机物。

公开(公告)号：CN101842870A

公开(公告)日：2010-09-22

申请号：CN200880113565.3

申请日：2008-09-04

申请人： 株式会社EUGENE科技

发明人： 尹松根 ,  宋炳奎 ,  李在镐 ,  金劲勳

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L21/67069 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32366 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32623 ,  H01J37/32633 ,  H01J37/32834 ,  H01J2237/3323

摘要： 一种基底制程装置，包括：一个腔室，其限定一内部空间，在该内部空间中相对于一个基底实施一个制程；一个支撑构件，其排布在腔室中用于支撑基底；以及一个引导管，其排布在支撑构件上方，用于将在所述内部空间中生成的等离子体引导至支撑构件上的基底。所述引导管被配置为柱面的形状，该柱面具有的截面形状基本相应于基底的形状，以及该引导管将通过其一端引入的等离子体通过其另一端排出到支撑构件。所述腔室包括：一个制程腔室，所述支撑构件排布在该制程腔室中；以及一个生成腔室，其排布在制程腔室上方。所述制程在制程腔室中通过等离子体来实施，且该等离子体通过一个线圈在生成腔室中生成。

公开(公告)号：CN101647103A

公开(公告)日：2010-02-10

申请号：CN200880010066.1

申请日：2008-03-26

申请人： 佳能安内华股份有限公司

发明人： 石桥启次 ,  田中雅彦 ,  熊谷晃

IPC分类号： H01L21/31 ,  C23C16/509

CPC分类号： C23C16/45591 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/45574 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32486 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31608

摘要： 一种基板处理装置，包括：真空处理容器；分隔件，其由导电材料制成并且将所述真空处理容器的内部分隔成用于产生等离子体的第一空间以及用于通过等离子体处理基板的第二空间；安装在所述第一空间中的用于等离子体产生的高频电极，以及安装在所述第二空间中并且保持所述基板的基板保持机构。所述分隔件具有多个通孔，所述通孔使得所述第一空间和所述第二空间彼此连通。所述通孔由覆盖材料所覆盖，所述覆盖材料具有比所述导电材料更高的重组系数。

公开(公告)号：CN101589172A

公开(公告)日：2009-11-25

申请号：CN200680019306.5

申请日：2006-03-20

申请人： 拉姆研究公司

发明人： I-Y·王 ,  J·W·温妮泽克 ,  D·J·库珀伯格 ,  E·A·埃德尔伯格 ,  R·P·舍比

IPC分类号： C23C16/455 ,  C23F1/00 ,  H01L21/306 ,  C23F1/12

CPC分类号： H01J37/32449 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/3244 ,  Y10T137/0318 ,  Y10T137/85938

摘要： 一种气体腔室(400)包括形成空腔(416)的上(402)和下(404)腔体、晶圆(420)的加热卡盘(430)、远端的气体源(440)和排气单元(450)。气体通过注入器(410)内的通道(412)被注入到空腔(416)中。每个通道都具有多个段，这些段相对彼此弯曲的角度足以基本上防止了进入通道的光线不经过反射就射出通道。通道(412)在靠近卡盘(430)的端点处具有漏斗形的管口。注入器(410)还具有热膨胀减轻槽(716)和在注入器(410)与腔室和气体源(440)的配合表面的小间隙。注入器(410)的温度由冷却通道(412)中的冷却液体以及注入器(410)中的容器中的电加热器控制。上腔体(402)为漏斗形并在靠近卡盘(430)的上腔体(402)端部向下弯曲。

公开(公告)号：CN101518161A

公开(公告)日：2009-08-26

申请号：CN200780035976.0

申请日：2007-09-27

申请人： 日本磁性技术株式会社

发明人： 椎名祐一

IPC分类号： H05H1/24 ,  C23C14/24 ,  C23C14/32

CPC分类号： H01J37/32357 ,  C23C14/325 ,  H01J37/32055

摘要： 本发明的目的是提供一种有效率地除去混入到等离子体中的微滴，而且能够简单并且廉价地构成微滴除去部，可望由高纯度等离子体提高成膜等的表面处理精度的等离子体生成装置。在等离子体行进路(5)中配置用来除去在产生等离子体时从阴极(4)副生的微滴的微滴除去部。该微滴除去部由形成等离子体行进路(5)的扩径管(3)、与扩径管(3)的等离子体导入侧始端连接的导入侧缩径管(34)、与扩径管(3)的等离子体排出侧终端连接的排出侧缩径管(39)和形成在扩径管(3)的始端及终端的阶梯部(40)构成。