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公开(公告)号：CN1254726A
公开(公告)日：2000-05-31
申请号：CN99125426.0
申请日：1999-10-23
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: C08G73/00 , C09D179/00 , B05D7/20
CPC classification number: C08G73/00 , Y10T428/31721
Abstract: 具有右式(Ⅰ)所表示的结构式的芳香族聚碳化二亚胺,对于有机溶剂的溶解性高、加工性良好,而且具有优良的耐热性、耐湿性、防水性。式中n表示2～300的整数,R表示有机基团。
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公开(公告)号：CN104946147B
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN201510142546.5
申请日：2015-03-27
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: C09J7/30 , C09J7/20 , C09J133/08 , C09J163/00 , C09J11/04 , B32B7/12 , H01L21/683
Abstract: 芯片接合膜、切割‑芯片接合膜及层叠膜。本发明提供能够在不牺牲半导体装置的情况下非破坏地观察空隙的芯片接合膜等。一种芯片接合膜，其雾度为0％～25％。
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公开(公告)号：CN104733400B
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201410818508.2
申请日：2014-12-24
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 本发明提供切割/芯片接合薄膜、半导体装置的制造方法以及半导体装置，具体来说，提供一种即使具备包埋用粘接薄膜也能够实现期望切割的切割/芯片接合薄膜和使用其的半导体装置的制造方法、以及利用该制造方法得到的半导体装置。本发明是一种切割/芯片接合薄膜，其具备：具有基材和在该基材上形成的粘合剂层的切割薄膜、以及层叠在前述粘合剂层上的粘接薄膜，前述粘接薄膜是用于包埋被固定在被粘物上的第一半导体元件并将与该第一半导体元件不同的第二半导体元件固定于被粘物的粘接薄膜，前述粘接薄膜与前述粘合剂层之间的剥离力为0.03N/20mm以上且0.2N/20mm以下。
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公开(公告)号：CN106167687A
公开(公告)日：2016-11-30
申请号：CN201610341819.3
申请日：2016-05-20
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: C09J163/00 , C09J161/06 , C09J133/04 , C09J11/04 , C09J7/02 , H01L23/488
Abstract: 本发明涉及粘接片、切割带一体型粘接片、薄膜、半导体装置的制造方法及半导体装置。本发明目的在于提供可在回流焊中防止自引线框的剥离、能够有效地使芯片处产生的热释放至引线框的粘接片，以及包含该粘接片的切割带一体型粘接片、薄膜等。本发明第1方式的粘接片具备如下性质：通过在与铜引线框接触的状态下维持175℃5小时使其固化、接着在85℃、85％RH下维持24小时后的260℃的粘接力为1MPa以上。其还具备如下性质：通过维持120℃1小时、接着维持175℃1小时而使其固化后的260℃的储能模量为10MPa～100MPa。玻璃化转变温度为100℃以下。热导率为1W/m·K以上。本发明中第2方式的粘接片包含环氧当量400g/eq.以上的环氧树脂和填料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104946146A
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201510141488.4
申请日：2015-03-27
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: C09J7/02 , C09J133/08 , C09J163/00 , H01L21/683
Abstract: 芯片接合膜、带有切割片的芯片接合膜、半导体装置及半导体装置的制造方法。本发明提供能够容易地确认半导体芯片的碎片的芯片接合膜。一种芯片接合膜，其特征在于，将热固化前在波长400nm下的透光率设为T1(％)，并将在120℃下加热1小时后在波长400nm下的透光率设为T2(％)时，T1为80％以上，T1与T2之差(T1-T2)为20％以下。
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公开(公告)号：CN102227482B
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN200980147958.0
申请日：2009-11-24
Applicant: 日东电工株式会社
Inventor： 三隅贞仁
IPC: C09J7/02 , H01L21/301 , H01L21/52
CPC classification number: H01L21/561 , C09J7/20 , C09J2201/36 , C09J2203/326 , C09J2433/00 , C09J2461/00 , C09J2463/00 , H01L21/67132 , H01L21/6835 , H01L23/3121 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L2221/68336 , H01L2224/27436 , H01L2224/29 , H01L2224/29101 , H01L2224/2919 , H01L2224/29198 , H01L2224/2929 , H01L2224/29311 , H01L2224/29318 , H01L2224/29324 , H01L2224/29339 , H01L2224/29344 , H01L2224/29347 , H01L2224/29355 , H01L2224/29364 , H01L2224/29371 , H01L2224/29386 , H01L2224/29393 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/83101 , H01L2224/83191 , H01L2224/8385 , H01L2224/92 , H01L2224/92247 , H01L2924/00013 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01024 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01045 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01056 , H01L2924/01057 , H01L2924/01074 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/15747 , H01L2924/181 , H01L2924/3025 , H01L2924/0635 , H01L2924/066 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2924/00012 , H01L2924/05442 , H01L2924/05432 , H01L2924/0532 , H01L2924/04642 , H01L2924/05042 , H01L2224/29099 , H01L2224/29199 , H01L2224/29299 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明的半导体装置制造用薄膜卷，通过将半导体装置制造用薄膜以卷筒状卷绕在圆柱状的卷芯上而得到，其特征在于，所述卷芯的直径在7.5cm～15.5cm的范围内。
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公开(公告)号：CN104212375A
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：CN201410244914.2
申请日：2014-06-04
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: C09J7/02 , C09J133/00 , C09J163/00 , C09J11/04 , H01L21/68
Abstract: 本发明提供可靠性高且凹凸填埋性优异的粘接片、及切割/芯片接合薄膜。本发明涉及一种粘接片，其包含球状氧化铝填料和树脂成分，所述树脂成分包含高分子量成分(A)和低分子量成分(B)，相对于100重量份粘接片，前述球状氧化铝填料的含量为78～88重量份，前述球状氧化铝填料的平均粒径为2～9μm，比表面积为0.8～8.0m2/g，由前述高分子量成分(A)的重量/前述高分子量成分(A)和前述低分子量成分(B)的总重量表示的重量比为0.03～0.25。
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公开(公告)号：CN103923573A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201410012288.4
申请日：2014-01-10
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H01L2224/45 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2224/92247 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及胶粘薄膜、切割/芯片接合薄膜、半导体装置的制造方法及半导体装置。本发明提供可以以良好的成品率制造高品质的半导体装置的胶粘薄膜以及使用该胶粘薄膜的半导体装置的制造方法、以及通过该制造方法得到的半导体装置。本发明的胶粘薄膜，其为用于将固定在被粘物上的第一半导体元件包埋并且将与该第一半导体元件不同的第二半导体元件固定到被粘物上的胶粘薄膜，其中，40℃下对SUS的粘着强度为0.2MPa以下。
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