公开(公告)号：CN101859708A

公开(公告)日：2010-10-13

申请号：CN201010159783.X

申请日：2010-03-31

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 浅野裕治 ,  肥塚纯一

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/288 ,  H01L29/78 ,  H01L29/08

CPC classification number: H01L29/7869 ,  C04B35/58 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78618

Abstract: 本发明名称为半导体装置及该半导体装置的制造方法。本发明的目的在于提供一种使用氧化物半导体层的薄膜晶体管，其中，降低氧化物半导体层与源电极层或漏电极层之间的接触电阻，以使其电特性稳定。还提供该薄膜晶体管的制造方法。在使用氧化物半导体层的薄膜晶体管中，形成其导电率高于氧化物半导体层的缓冲层，以使氧化物半导体层与源电极层或漏电极层隔着缓冲层电连接。此外，通过对缓冲层进行反溅射处理及氮气氛下的热处理，形成其导电率高于氧化物半导体层的缓冲层。

公开(公告)号：CN101794791A

公开(公告)日：2010-08-04

申请号：CN200910262579.8

申请日：2009-12-23

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 小山润 ,  坂田淳一郎 ,  丸山哲纪 ,  井本裕己 ,  浅野裕治 ,  肥塚纯一

IPC: H01L27/12 ,  H03K19/00

CPC classification number: H01L27/1255 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/127 ,  H01L28/20 ,  H01L29/24 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明提供一种利用使用被电特性控制的氧化物半导体层而制造的电阻元件及薄膜晶体管的驱动电路、以及利用该驱动电路的半导体装置。在用作电阻元件(354)的氧化物半导体层(905)上直接接触地设置利用使用含有硅烷(SiH4)以及氨(NH3)等的氢化合物的气体的等离子体CVD法而形成的氮化硅层(910)，并且在用作薄膜晶体管(355)的氧化物半导体层(906)上隔着用作阻挡层的氧化硅层(909)地设置氮化硅层(910)。因此，对氧化物半导体层(905)引入比氧化物半导体层(906)更高浓度的氢。其结果，用作电阻元件(354)的氧化物半导体层(905)的电阻值低于用作薄膜晶体管(355)的氧化物半导体层(906)的电阻值。

公开(公告)号：CN101635261A

公开(公告)日：2010-01-27

申请号：CN200910151665.1

申请日：2004-07-23

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 关口庆一 ,  肥塚纯一 ,  荒井康行 ,  山崎舜平

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/265 ,  H01L21/82 ,  H01L21/50 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1214 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/127 ,  H01L29/78624 ,  H01L29/78645 ,  H01L29/78675 ,  H01L29/78696 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05099

Abstract: 本发明的名称是“半导体器件及其制造方法”。本发明提供一种用于制造半导体器件的方法，通过该方法提供包含有源层、与有源层接触的栅极绝缘膜、和与有源层相交叠的栅电极、其间有栅极绝缘膜的晶体管；通过从一个倾斜的方向将杂质添加到有源层，将杂质添加到有源层中与栅电极相交叠且其间具有栅极绝缘膜的第一区的部分、和有源层中除了第一区外的第二区；且第二区位于相对于第一区的一个方向中。

公开(公告)号：CN101335333A

公开(公告)日：2008-12-31

申请号：CN200810128549.3

申请日：2008-06-27

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 井边隆广 ,  池田寿雄 ,  肥塚纯一 ,  加藤薰

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/54 ,  H01L51/56

CPC classification number: H01L51/5237 ,  H01L27/3244 ,  H01L51/0042 ,  H01L51/0052 ,  H01L51/0053 ,  H01L51/0054 ,  H01L51/0055 ,  H01L51/0056 ,  H01L51/0059 ,  H01L51/006 ,  H01L51/0071 ,  H01L51/0085 ,  H01L51/0089 ,  H01L51/524 ,  H01L51/5253

Abstract: 本发明的目的在于提供一种不容易退化的发光元件。另外，本发明的目的还在于提供一种不容易退化的发光装置及电子设备。另外，本发明的目的还在于提供一种不容易退化的发光元件的制造方法。通过使用包含无机化合物和卤原子的层或包含有机化合物、无机化合物和卤原子的层覆盖在一对电极之间具有EL层的发光元件，可以抑制由于水分的侵入而导致的退化。因此，可以获得使用寿命长的发光元件。

公开(公告)号：CN1581429A

公开(公告)日：2005-02-16

申请号：CN200410056427.X

申请日：2004-08-07

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 肥塚纯一 ,  山出直人

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/38 ,  H01L21/40 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L22/24 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1292 ,  Y10S438/914

Abstract: 本发明的目的是提供一种能够以最合适的载流子浓度执行掺杂，非破坏性且简便地获取所希望的电特性的掺杂装置、掺杂方法、以及使用该掺杂装置和掺杂方法的薄膜晶体管的制作方法。在本发明中，使用接触角正确且精密地监测半导体元件的电特性(薄膜晶体管中的阈值电压等)，通过控制掺杂方法从而控制特性。此外，根据本发明，借助用原地监测特性，可以随时获取信息，并在没有时间延迟的情况下执行反馈。

公开(公告)号：CN1577852A

公开(公告)日：2005-02-09

申请号：CN200410054555.0

申请日：2004-07-23

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 关口庆一 ,  肥塚纯一 ,  荒井康行 ,  山崎舜平

IPC: H01L27/02 ,  H01L29/786 ,  H01L21/70 ,  H01L21/336 ,  G02F1/13

CPC classification number: H01L27/1214 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/127 ,  H01L29/78624 ,  H01L29/78645 ,  H01L29/78675 ,  H01L29/78696 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05099

Abstract: 本发明提供一种用于制造半导体器件的方法，通过该方法提供包含有源层、与有源层接触的栅极绝缘膜、和与有源层相交迭的栅电极、其间有栅极绝缘膜的晶体管；通过从一个倾斜的方向将杂质添加到有源层，将杂质添加到有源层中与栅电极相交迭且其间具有栅极绝缘膜的第一区的部分、和有源层中除了第一区外的第二区；且第二区位于相对于第一区的一个方向中。

公开(公告)号：CN118946975A

公开(公告)日：2024-11-12

申请号：CN202380030581.0

申请日：2023-03-31

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 神长正美 ,  岛行德 ,  肥塚纯一 ,  笹川慎也

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H05B33/14 ,  H10K50/10

Abstract: 提供一种能够实现微型化的晶体管。提供一种占有面积小的晶体管。提供一种沟道长度小的晶体管。半导体装置包括第一绝缘层、半导体层、栅极绝缘层、栅电极、第一电极、第二电极及第一导电层。第一绝缘层的侧面位于第一电极上。第二电极位于第一绝缘层上。半导体层与第一电极、第一绝缘层的侧面及第二电极接触。栅极绝缘层具有隔着半导体层与侧面对置的部分。栅电极具有隔着栅极绝缘层及半导体层与侧面对置的部分。第一导电层与栅电极接触且具有隔着栅电极、栅极绝缘层及半导体层与侧面对置的部分并具有比栅电极厚的部分。

公开(公告)号：CN111868899B

公开(公告)日：2024-07-12

申请号：CN201980019782.4

申请日：2019-03-12

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 肥塚纯一 ,  中泽安孝

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

Abstract: 提供一种电特性良好的半导体装置。提供一种电特性稳定的半导体装置。提供一种可靠性高的半导体装置。该半导体装置包括半导体层、第一绝缘层、第二绝缘层以及导电层。第一绝缘层与半导体层的顶面的一部分接触，导电层位于第一绝缘层上，第二绝缘层位于半导体层上。半导体层包含金属氧化物，包括与导电层重叠的第一区域及不与导电层重叠的第二区域。此外，第二区域与第二绝缘层接触，第二绝缘层包含氧及第一元素，第一元素是磷、硼、镁、铝和硅中的任一个以上。

公开(公告)号：CN117690933A

公开(公告)日：2024-03-12

申请号：CN202311665243.2

申请日：2014-12-17

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 三宅博之 ,  肥塚纯一 ,  神长正美 ,  岛行德 ,  山崎舜平

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/24 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明提供一种能够抑制像素之间的亮度的不均匀的发光装置。发光装置包括像素、第一电路及第二电路。第一电路具有生成包含从像素取出的电流值的信号的功能。第二电路具有根据信号校正图像信号的功能。像素至少包括至少一个发光元件、第一晶体管及第二晶体管。第一晶体管具有根据图像信号控制对发光元件的电流供应的功能。第二晶体管具有控制从像素取出电流的功能。第一晶体管及第二晶体管的每一个的半导体膜包括：与栅极重叠的第一半导体区域；与源极或漏极接触的第二半导体区域；以及第一半导体区域和第二半导体区域之间的第三半导体区域。

公开(公告)号：CN110581070B

公开(公告)日：2022-12-20

申请号：CN201910694618.5

申请日：2013-06-18

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 佐佐木俊成 ,  羽持贵士 ,  宫本敏行 ,  野村昌史 ,  肥塚纯一 ,  冈崎健一

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L29/24

Abstract: 在具有氧化物半导体膜的晶体管中，抑制氢及氮移动到氧化物半导体膜。此外，在使用具有氧化物半导体的晶体管的半导体装置中，抑制电特性的变动且提高可靠性。包括具有氧化物半导体膜的晶体管及设置在该晶体管上的氮化绝缘膜，并且通过热脱附谱分析法从该氮化绝缘膜释放出的氢分子量小于5×1021分子/cm3，优选小于或等于3×1021分子/cm3，更优选小于或等于1×1021分子/cm3，并且通过热脱附谱分析法从该氮化绝缘膜释放出的氨分子量小于1×1022分子/cm3，优选小于或等于5×1021分子/cm3，更优选小于或等于1×1021分子/cm3。