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公开(公告)号：CN103608881A
公开(公告)日：2014-02-26
申请号：CN201280028203.0
申请日：2012-06-18
申请人： 株式会社村田制作所
CPC分类号： H01L28/55 , B82Y30/00 , C04B35/47 , C04B2235/3227 , C04B2235/3262 , C04B2235/3418 , C04B2235/5409 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/5454 , C04B2235/5463 , C04B2235/6025 , C04B2235/652 , C04B2235/6583 , C04B2235/6586 , H01G4/1227 , H01G4/30 , Y10T428/2982
摘要： 提供一种ESD耐压出色的晶界绝缘型半导体陶瓷所使用的陶瓷粉末、利用其的半导体陶瓷电容器及其制造方法。一种SrTiO3系晶界绝缘型半导体陶瓷所使用的陶瓷粉末，其特征在于，比表面积在4.0m2／g以上、8.0m2／g以下，累积90％粒径D90在1.2μm以下。
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公开(公告)号：CN103460479A
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201280014872.2
申请日：2012-03-09
申请人： 丹麦技术大学
IPC分类号： H01M8/12 , H01M4/88 , C04B35/462 , C04B35/486 , C04B35/50 , C04B35/44 , C04B35/64 , B01D53/22 , B01D69/12 , B01D71/02 , B01D67/00 , C23C28/00 , C01B13/02
CPC分类号： C04B35/64 , B01D53/228 , B01D67/0041 , B01D69/12 , B01D71/024 , B01D2323/10 , C01B13/0255 , C04B35/44 , C04B35/462 , C04B35/486 , C04B35/50 , C04B2235/3208 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3229 , C04B2235/3251 , C04B2235/3274 , C04B2235/3286 , C04B2235/40 , C04B2235/404 , C04B2235/405 , C04B2235/616 , C04B2235/652 , C04B2235/656 , C04B2235/6562 , C04B2235/658 , C04B2235/6582 , C04B2235/6584 , C04B2235/75 , C04B2235/77 , C04B2235/775 , H01M4/8846 , H01M4/8857 , H01M4/8889 , H01M8/1253 , H01M8/126 , H01M2008/1293 , Y02E60/525 , Y02P70/56
摘要： 本发明提供在低pO2气氛中生产陶瓷装置的方法，其包括以下步骤：-提供包含基底材料和过渡金属的组合物，其中用于第一层的基底材料选自锆酸盐、铈酸盐、钛酸盐、镧酸盐、铝酸盐、掺杂氧化锆和/或掺杂二氧化铈，其中掺杂物选自Ca、Ga、Sc、Y，和镧系元素；-形成所述组合物的第一层，其中所述第一层为电解质层；-在所述第一层的一面或两面上形成至少一个电极层或电极前体层；和-在低pO2气氛中烧结多层结构；其特征在于：-过渡金属的量为基于第一层的组合物计的0.01-4mol%；-氧气分压pO2为10-14Pa或更少；和-烧结温度在700-1600℃范围内。
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公开(公告)号：CN103443050A
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：CN201280013460.7
申请日：2012-03-14
申请人： 株式会社村田制作所
发明人： 山口晋一
IPC分类号： C04B35/468 , H01B3/12 , H01G4/12 , H01G4/30
CPC分类号： H01G4/018 , C04B35/4682 , C04B35/62685 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3239 , C04B2235/3262 , C04B2235/3427 , C04B2235/3454 , C04B2235/652 , C04B2235/6562 , C04B2235/6567 , C04B2235/6582 , C04B2235/6584 , C04B2235/6588 , C04B2235/79 , C04B2235/80 , H01B3/12 , H01G4/1227 , H01G4/30
摘要： 一种电介质陶瓷，以具有包含Ba、Ca和Ti的钙钛矿型化合物的主相粒子作为主成分，并且至少包含含有Ca、稀土类元素和Si的第1异相粒子。不含有Ca而含有稀土类元素和Si的第2异相粒子，以所述第2异相粒子的个数相对于所述第1异相粒子和所述第2异相粒子的个数总计的比率计为0.05以下（包括0）。第1异相粒子中，Ca的含量相对于Ca、稀土类元素和Si的含量总计以摩尔比换算优选为8%以上。电介质陶瓷层6a～6g由该电介质陶瓷形成。由此，即使在薄层化至1μm左右的情况下长时间施加高电场，也可以得到充分的高温负荷寿命，实现了具有所要求的高可靠性的电介质陶瓷和使用了该电介质陶瓷的层叠陶瓷电容器。
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公开(公告)号：CN103298769A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201280005119.7
申请日：2012-01-06
申请人： 株式会社村田制作所
IPC分类号： C04B35/468 , H01B3/12 , H01G4/12 , H01G4/30
CPC分类号： H01G4/1209 , C01G23/006 , C01G25/006 , C01P2002/34 , C01P2002/50 , C01P2006/40 , C04B35/4682 , C04B35/49 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3262 , C04B2235/3418 , C04B2235/652 , C04B2235/6582 , C04B2235/6584 , C04B2235/6588 , H01B3/12 , H01G4/1227 , H01G4/30
摘要： 本发明提供一种即使电介质层进一步薄层化，其高温负荷试验的寿命特性也优异的层叠陶瓷电容器。作为构成层叠陶瓷电容器1的电介质层2的电介质陶瓷，使用以含有Ba和Ti的钙钛矿型化合物（其中，一部分Ba可以用Ca和Sr中的至少一者来代替，一部分Ti可以用Zr来代替）为主成分，并且在将所述Ti和Zr的合计含量设为100摩尔份时，在2～6摩尔份的范围内含有La，在3～5摩尔份的范围内含有Mg，在1.5～3摩尔份的范围含有Mn的层叠陶瓷电容器。
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公开(公告)号：CN103270564A
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：CN201280003757.5
申请日：2012-01-27
申请人： 株式会社村田制作所
发明人： 川本光俊
CPC分类号： H01L28/60 , B28B11/24 , B82Y30/00 , C01G23/006 , C01P2006/12 , C01P2006/40 , C04B35/47 , C04B35/6261 , C04B2235/3224 , C04B2235/3227 , C04B2235/3241 , C04B2235/3251 , C04B2235/3258 , C04B2235/3262 , C04B2235/3275 , C04B2235/3279 , C04B2235/3281 , C04B2235/3418 , C04B2235/36 , C04B2235/441 , C04B2235/444 , C04B2235/483 , C04B2235/5409 , C04B2235/5454 , C04B2235/652 , C04B2235/6582 , C04B2235/663 , C04B2235/786 , C04B2235/79 , C04B2235/85 , H01G4/1227 , H01G4/30
摘要： 半导体陶瓷的主成分由SrTiO3系化合物形成，并且施主元素固溶于结晶粒子中，且受主元素存在于晶界层中。受主元素中的4价的受主元素的个数为1×1017个/g以上。该受主元素的个数根据电子自旋共振吸收谱来算出。在混合粘合剂前将预烧粉末和受主化合物的混合物混合粉碎至比表面积成为5.0～7.5m2/g。具有变阻功能的层叠型半导体陶瓷电容器的半导体陶瓷层（1a～1g）使用该半导体陶瓷来形成。由此抑制了在产品间的特性偏差，实现了能稳定得到良好的电气特性的可靠性优越的层叠型半导体陶瓷电容器。
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公开(公告)号：CN103098157A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201180041685.9
申请日：2011-12-16
申请人： 株式会社村田制作所
发明人： 川本光俊
CPC分类号： H01G4/1227 , C01G23/003 , C01G23/006 , C01P2002/50 , C04B35/47 , C04B35/638 , C04B2235/6025 , C04B2235/652 , C04B2235/6582 , C04B2235/6586 , C04B2235/661 , C04B2235/79 , C04B2237/346 , C04B2237/68 , H01G4/12 , H01G4/30
摘要： SrTiO3系晶界绝缘型的层叠型半导体陶瓷电容器的制造方法具有：预烧粉末制作工序，称量规定量的Sr化合物、Ti化合物以及施主化合物进行混合粉碎后，进行预烧处理来制作预烧粉末；热处理粉末制作工序，将受主化合物与预烧粉末混合，进行热处理来制作热处理粉末；层叠体形成工序，对所述热处理粉末实施成型加工来制作陶瓷生片，此后将内部电极层与陶瓷生片交替地层叠来形成层叠体；以及煅烧工序，在还原气氛下，对所述层叠体进行了一次煅烧处理，其后在大气气氛下进行二次煅烧处理，其中，在450℃～580℃的温度气氛下进行所述二次煅烧处理。由此，即使静电电容是1nF左右的低电容，也能够实现ESD的吸收性能良好的SrTiO3系晶界绝缘型的层叠型半导体陶瓷电容器。
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公开(公告)号：CN102822112A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201180015855.6
申请日：2011-03-23
申请人： 株式会社村田制作所
CPC分类号： H01L23/15 , B32B18/00 , C04B35/117 , C04B35/16 , C04B35/195 , C04B37/021 , C04B37/025 , C04B2235/3203 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3215 , C04B2235/3217 , C04B2235/3262 , C04B2235/3409 , C04B2235/365 , C04B2235/6025 , C04B2235/652 , C04B2235/656 , C04B2235/6582 , C04B2235/77 , C04B2237/10 , C04B2237/341 , C04B2237/407 , C04B2237/56 , C04B2237/60 , C04B2237/704 , C04B2237/708 , C23C24/082 , C23C28/04 , H01L23/142 , H01L23/49822 , H01L23/49894 , H01L2224/16225 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2924/09701 , H01L2924/15192 , H05K1/053 , Y10T156/10 , Y10T428/2495 , Y10T428/265
摘要： 在由铜形成的金属板上形成有低温烧结陶瓷层的金属基基板中，提高金属板和低温烧结陶瓷层的接合可靠性。通过在由铜形成的金属板（14）的表面上层叠包含含有换算成BaO为10～40摩尔％的钡和换算成SiO2为40～80摩尔％的硅的低温烧结材料的低温烧结陶瓷生坯层，从而制作生的层叠体，在低温烧结陶瓷生坯层烧结的温度下对该生的层叠体进行烧成。在这样得到的金属基基板（12）中的金属板（14）和低温烧结陶瓷层（15）之间形成由Cu-Ba-Si系玻璃形成的厚1～5μm的玻璃层（22）。该玻璃层（22）显示良好的接合可靠性。
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公开(公告)号：CN101273153B
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN200680035078.0
申请日：2006-09-25
申请人： 出光兴产株式会社
IPC分类号： C23C14/34 , C04B35/453 , H01B5/14 , H01B13/00
CPC分类号： C23C14/3414 , C04B35/453 , C04B35/457 , C04B35/62645 , C04B35/64 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/652 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6584 , C04B2235/763 , C04B2235/767 , C23C14/086
摘要： 本发明的目的在于提供一种铟含量少高密度且低电阻的溅射靶、及使用该溅射靶制作的透明导电膜和触摸板用透明电极。本发明的溅射靶，以铟、锡、锌为主要成分，由In/(In+Sn+Zn)表示的原子比为0.10～0.35，由Sn/(In+Sn+Zn)表示的原子比为0.15～0.35，由Zn/(In+Sn+Zn)表示的原子比为0.50～0.70，并且，该溅射靶是含有由In2O3(ZnO)m(m为3～9的整数)表示的六方晶层状化合物及由Zn2SnO4表示的尖晶石结构化合物的氧化物的烧结体。
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公开(公告)号：CN102531591A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110350166.2
申请日：2011-11-08
申请人： 三星电机株式会社
IPC分类号： C04B35/49 , C04B35/622 , H01G4/12 , H01G4/30
CPC分类号： C04B35/468 , C04B35/4682 , C04B35/6261 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3241 , C04B2235/3244 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3262 , C04B2235/3272 , C04B2235/3275 , C04B2235/3279 , C04B2235/6025 , C04B2235/652 , C04B2235/6582 , H01G4/1227 , H01G4/1245 , H01G4/30
摘要： 本发明公开了具有高介电常数的介电组合物、包括其的多层陶瓷电容器、和多层陶瓷电容器的制备方法。该介电组合物包括：作为主要组分的由通式(Ba1-xCax)m(Ti1-yZry)O3(0.995≤m≤1.010，0.001≤x≤0.10，0.001≤y≤0.20)表示的化合物；作为第一次要组分的铝氧化物；作为第二次要组分的选自由Mg、Sr、Ba、Ca、和Zr组成的组中的至少一种金属及其盐；作为第三次要组分的选自由Sc、Y、La、Ac、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、和Lu组成的组中的至少一种金属及其盐；作为第四次要组分的选自由Cr、Mo、W、Mn、Fe、Co、和Ni组成的组中的至少一种金属及其盐；以及选自含有Si的玻璃形成化合物的第五次要组分。该介电组合物满足在EIA规范中定义的Y5V或X5R特性。
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公开(公告)号：CN101687663B
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN200880021669.1
申请日：2008-06-13
申请人： 株式会社村田制作所
发明人： 川本光俊
CPC分类号： H01G4/1227 , C01G23/006 , C01P2002/34 , C01P2002/52 , C01P2002/72 , C01P2004/61 , C01P2004/62 , C01P2006/40 , C04B35/47 , C04B35/62675 , C04B35/62685 , C04B35/638 , C04B2235/3208 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3241 , C04B2235/3251 , C04B2235/3258 , C04B2235/3267 , C04B2235/3275 , C04B2235/3279 , C04B2235/3281 , C04B2235/3418 , C04B2235/36 , C04B2235/449 , C04B2235/5409 , C04B2235/5445 , C04B2235/652 , C04B2235/6581 , C04B2235/6582 , C04B2235/6584 , C04B2235/6588 , C04B2235/663 , C04B2235/785 , C04B2235/79 , C04B2235/85 , H01G4/30 , Y10T428/2982
摘要： 本发明涉及SrTiO3系晶界绝缘型的半导体陶瓷。该半导体陶瓷中施主元素固溶于晶粒中，并且受主元素至少存在于晶界中，结晶面的(222)面中的积分宽度为0.500°以下，且晶粒的平均粉末粒径为1.0μm以下。将其烧成，得到半导体陶瓷。另外，使用该半导体陶瓷，得到层叠型半导体陶瓷电容器。由此，实现即使晶粒的平均陶瓷粒径为1.0μm以下，也具有5000以上的大表观相对介电常数εrAPP，且绝缘性也优越的SrTiO3系晶界绝缘型的半导体陶瓷粉末、烧结该半导体陶瓷粉末而成的半导体陶瓷、及使用该半导体陶瓷，能够实现基于薄层化·多层化的大电容的层叠型半导体陶瓷电容器。
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