公开(公告)号：CN101728762A

公开(公告)日：2010-06-09

申请号：CN200910204064.2

申请日：2009-10-12

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 高平宜幸

IPC: H01S5/00 ,  H01S5/343 ,  H01S5/227 ,  H01S5/02 ,  H01S5/028 ,  H01S5/022 ,  H01S5/40

CPC classification number: H01S5/22 ,  B82Y20/00 ,  H01L24/32 ,  H01S5/0021 ,  H01S5/0224 ,  H01S5/02272 ,  H01S5/028 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/2214 ,  H01S5/3063 ,  H01S5/34333

Abstract: 本发明提供一种能够解决在固定构件上安装氮化物半导体激光元件的结构中的成品率下降问题的半导体激光装置及其制造方法。该氮化物半导体激光装置具备：子固定件(2)；和利用焊锡(4)被安装在子固定件(2)的表面且氮化物半导体从侧面露出的氮化物半导体激光元件(1)。焊锡(4)位于子固定件(2)与氮化物半导体激光元件(1)之间，且具有比氮化物半导体激光元件(1)的横宽(W4)窄的宽度(W3)。

公开(公告)号：CN101615764A

公开(公告)日：2009-12-30

申请号：CN200910139684.2

申请日：2005-06-08

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 神川刚

IPC: H01S5/343 ,  H01S5/223 ,  H01S5/02 ,  H01S5/026

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01S5/0201 ,  H01S5/0206 ,  H01S5/0207 ,  H01S5/0224 ,  H01S5/02272 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/2214 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/34333 ,  H01S2301/173 ,  H01S2304/04 ,  H01S2304/12

Abstract: 提供了一种半导体元件及其制造方法。该半导体器件包括：已处理衬底，具有作为其至少一部分表面的氮化物半导体层，所述已处理衬底具有在其上形成的包括至少一个凹陷部分的刻槽区域和作为非刻槽区域的脊部分；以及氮化物半导体分层结构部分，包括至少一种类型的氮化物半导体薄膜，且设置在所述刻槽区域中和在所述脊部分的表面上。所述已处理衬底具有多个具有变化面积的非刻槽区域。设置在非刻槽区域上的氮化物分层结构的、从所述脊部分的表面到所述氮化物半导体分层结构部分的表面测量的厚度，根据所述脊部分的表面的面积而变化。

公开(公告)号：CN101529674A

公开(公告)日：2009-09-09

申请号：CN200780038887.1

申请日：2007-10-15

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 松野裕司

IPC: H01S5/02

CPC classification number: H01S5/22 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0201 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/1039 ,  H01S5/16 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/34333

Abstract: 本发明提供一种能够抑制成品率的降低并具有良好的发光特性的氮化物类半导体激光元件的制造方法。该氮化物类半导体激光元件的制造方法包括：在n型GaN衬底(1)上形成多个氮化物类半导体各层(2～7)的工序；形成由p型包覆层(6)与接触层(7)构成并在[1－100]方向上延伸的脊部(8)的工序；通过照射YAG激光，在n型GaN衬底(1)的上表面上形成在与脊部(8)垂直相交的方向([11－20]方向)上延伸的槽部(30)的工序；通过以槽部(30)为起点分割n型GaN衬底(1)，形成谐振器端面(50)的工序，形成槽部(30)的工序包括：在从脊部(8)的侧面仅隔开规定距离W2(约50μm～200μm)的区域形成槽(30)的端部的工序。

公开(公告)号：CN101501947A

公开(公告)日：2009-08-05

申请号：CN200780029764.1

申请日：2007-08-08

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 畑雅幸 ,  野村康彦

IPC: H01S5/343 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/483 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/16 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/0224 ,  H01S5/02268 ,  H01S5/02272 ,  H01S5/02476 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/2027 ,  H01S5/22 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/34333

Abstract: 本发明提供半导体元件和其制造方法。即使在半导体元件部在面内方向中包括具有不同的热膨胀系数的多个方向的情况下，也能够抑制元件特性的下降。该半导体激光元件(半导体元件)包括：在主面的面内方向中包括热膨胀系数不同的[1－100]方向和[0001]方向的半导体元件部；以及在主面的面内方向中包括热膨胀系数不同的箭头E方向和箭头F方向的基台。而且，以半导体元件部的[1－100]方向，相比于基台的箭头F方向更靠近箭头E方向一侧的方式，半导体元件部相对于基台被接合。

公开(公告)号：CN101496236A

公开(公告)日：2009-07-29

申请号：CN200780028446.3

申请日：2007-07-13

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 安杖尚美 ,  菅原岳 ,  长谷川義晃 ,  石桥明彦 ,  横川俊哉

IPC: H01S5/042

CPC classification number: H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/32 ,  H01L33/38 ,  H01L33/40 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/02272 ,  H01S5/028 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/22 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/3202 ,  H01S2304/04

Abstract: 本发明提供一种半导体发光元件，具备：含有n型杂质，由碳化硅或氮化物半导体形成的GaN基板(1)；配置在GaN基板(1)的主面上的叠层构造体(10)；形成在叠层构造体(10)上的p电极(17)；和实质覆盖整个GaN基板(1)背面的第一n电极(18)；和配置在第一n电极(18)上，使第一n电极(18)的周边部的至少一部分露出的第二n电极(20)。

公开(公告)号：CN101369528A

公开(公告)日：2009-02-18

申请号：CN200810145806.4

申请日：2008-08-06

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 三宅泰人 ,  广山良治 ,  畑雅幸

IPC: H01L21/02 ,  H01L33/00 ,  H01S5/343 ,  H01S5/323

CPC classification number: H01L33/025 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/32 ,  H01S5/0206 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/2214 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/34333 ,  H01S2301/173

Abstract: 本发明提供一种半导体元件的制造方法和半导体元件，其包括：在具有上表面、下表面、和以分割上表面侧和下表面侧的方式配置的位错集中区域的基板的上表面上形成半导体元件层的工序、通过将基板的下表面侧与位错集中区域的至少一部分一起除去，从而在基板的下表面，使在上方不存在位错集中区域的部分露出的工序、和在基板的下表面中，至少在上方不存在位错集中区域的部分被露出的区域上形成电极的工序。

公开(公告)号：CN101355232A

公开(公告)日：2009-01-28

申请号：CN200810134056.0

申请日：2008-07-24

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 广山良治 ,  野村康彦 ,  畑雅幸 ,  三宅泰人

IPC: H01S3/22 ,  H01S5/323

CPC classification number: H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0206 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/3202 ,  H01S2301/173

Abstract: 本发明提供一种半导体激光元件，其包括：由氮化物类半导体构成的基板；和在上述基板的主表面上形成的光波导，其中，基板包括以相对基板的主表面在倾斜方向上延伸的方式配置的位错集中区域，光波导以位于位错集中区域的上方，并位于基板的主表面中的除去出现位错集中区域的部分的区域上的方式形成。

公开(公告)号：CN101346857A

公开(公告)日：2009-01-14

申请号：CN200680049460.7

申请日：2006-12-20

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 长谷川義晃 ,  横川俊哉 ,  山田笃志 ,  松田佳昭

IPC: H01S5/02 ,  H01L21/205 ,  H01L21/301 ,  H01S5/323

CPC classification number: H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/78 ,  H01L33/0095 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/22 ,  H01S5/2201 ,  Y10S148/028

Abstract: 本发明是一种具备基板和被基板的上面所支持的叠层结构(40)的氮化物半导体元件的制造方法，首先，准备需要被分割成单个基板的晶片(1)。使构成叠层结构(40)的多个半导体层在晶片(1)上生长。通过解理晶片(1)及半导体层形成叠层结构(40)的解理面。在本发明中，在叠层结构中要形成解理面的位置中配置多个空隙。因此，就能够合格率高地进行解理。

公开(公告)号：CN100448039C

公开(公告)日：2008-12-31

申请号：CN200510128698.6

申请日：2003-03-26

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 户田忠夫 ,  山口勤 ,  畑雅幸 ,  野村康彦

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/00

CPC classification number: H01S5/32341 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/28575 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/14 ,  H01L33/32 ,  H01L33/40 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/305 ,  H01S5/34333 ,  H01S2304/04

Abstract: 本发明提供一种氮化物系半导体元件，它具有由纤锌矿结构的n型氮化物系半导体层和氮化物系半导体基板中的任一个构成的第1半导体层和在该第1半导体层的背面上形成的n侧电极，所述n侧电极与第1半导体层之间的接触电阻在0.05Ωcm2以下。

公开(公告)号：CN101268563A

公开(公告)日：2008-09-17

申请号：CN200680035017.4

申请日：2006-09-21

Applicant: 罗姆股份有限公司

Inventor： 中原健 ,  汤地洋行

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/347

CPC classification number: H01L33/28 ,  H01L29/225 ,  H01L29/7787 ,  H01L33/16 ,  H01S5/0207 ,  H01S5/0422 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/327

Abstract: 本发明提供氧化锌类化合物半导体元件，即使形成具有ZnO类化合物半导体的异质结的叠层部，形成半导体元件，确保p型掺杂，并且不引起驱动电压的上升，而且结晶性良好、元件特性优异。本发明的氧化锌化合物半导体元件，在以A面{11－20}或M面{10－10}向－c轴方向倾斜的面为主面的MgxZn1－xO(0≤x＜1)构成的基板1的主面上，外延生长ZnO类化合物半导体层(2)～(6)。