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    腔室加热装置
    61.
    发明授权
    腔室加热装置 有权

    公开(公告)号：CN103208440B

    公开(公告)日：2016-01-20

    申请号：CN201210014888.5

    申请日：2012-01-17

    申请人： 中国科学院微电子研究所

    发明人： 席峰 ,  李楠 ,  李勇滔 ,  张庆钊 ,  夏洋

    IPC分类号： H01L21/67 ,  H01J37/32 ,  H01J37/02

    摘要： 公开了一种腔室加热装置，包括：腔室壁加热结构和/或载片台加热结构；所述腔室壁加热结构设置在反应腔室的内壁上；所述载片台加热结构设置在载片台底部。本发明提供的一种腔室加热装置，例如在等离子体刻蚀工艺中可以减小或避免等离子体启辉由于结构不对称引起的不均匀现象的出现；在等离子体启辉条件下，本发明的电极固定结构没有放气现象，可以保持真空腔室对真空度的要求。

    使用于离子布植系统中的等离子体流体枪及其提供方法
    62.
    发明授权
    使用于离子布植系统中的等离子体流体枪及其提供方法 有权

    公开(公告)号：CN103250228B

    公开(公告)日：2016-01-13

    申请号：CN201180055640.7

    申请日：2011-10-07

    申请人： 瓦里安半导体设备公司

    发明人： 彼得·F·库鲁尼西 ,  维克多·M·本夫尼斯特 ,  奥利佛·V·那莫佛斯奇

    IPC分类号： H01J37/317 ,  H01J37/02

    CPC分类号： H01J37/3211 ,  H01J37/026 ,  H01J37/3171 ,  H01J37/32688 ,  H01J2237/03

    摘要： 一种使用于离子布植系统中的等离子体流体枪及其提供方法。等离子体流体枪可包括具有一或多个孔的等离子体腔室(118)、能供应至少一种气体物质至等离子体腔室的气体源、设置于等离子体腔室里的单匝线圈(120)、及用来感应耦合射频电功率以激发等离子体腔室中至少一种气体物质以产生等离子体而耦合至线圈的电源。等离子体腔室的内表面可以是不含金属的材料，且等离子体不可暴露于等离子体腔室里任何含金属的组件。等离子体腔室可包括多个用来控制等离子体的磁铁(126)。出口孔(124)可提供于等离子体腔室中以使得产出等离子体的负电荷粒子能参与离子束，其中离子束为相关离子布植系统的部份。在实施例中，磁铁可被设置在孔的相对侧上，且被用于操纵等离子体的电子。

    支承结构及使用该支承结构的离子发生装置
    64.
    发明公开
    支承结构及使用该支承结构的离子发生装置 有权

    公开(公告)号：CN104752127A

    公开(公告)日：2015-07-01

    申请号：CN201410822189.2

    申请日：2014-12-25

    申请人： 斯伊恩股份有限公司

    发明人： 佐藤正辉

    IPC分类号： H01J37/02 ,  H01J37/317

    CPC分类号： H01J27/08 ,  H01J27/022 ,  H01J37/08 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/061 ,  H01J2237/082

    摘要： 本发明提供一种能够减少反射极的绝缘性降低的支承结构及离子发生装置。离子发生装置(10)具备：电弧室(12)；反射极(62)，具有设置于电弧室内的反射板(64)、及插通于连通电弧室(12)内外的贯穿孔(60)的反射极延长部(66)；以及支承结构(70)，设置于电弧室(12)的外侧，并以确保反射极延长部(66)与贯穿孔(60)的内壁之间的间隙(60a)的方式支承反射极。支承结构(70)具有：罩部件(80)，在电弧室(12)的外部划分与间隙(60a)连通的小室(88)；以及绝缘部件(72)，将电弧室(12)与反射极(62)之间电绝缘。

    一种法拉第屏蔽板及其所在的等离子体处理系统
    65.
    发明公开
    一种法拉第屏蔽板及其所在的等离子体处理系统 有权

    公开(公告)号：CN104576278A

    公开(公告)日：2015-04-29

    申请号：CN201310471719.9

    申请日：2013-10-10

    申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司

    发明人： 左涛涛 ,  倪图强

    IPC分类号： H01J37/32 ,  H01J37/02

    CPC分类号： H01J37/32651

    摘要： 本发明公开了一种法拉第屏蔽板及其所在的等离子体处理系统，通过在法拉第屏蔽板的长槽间设置散热孔，可以增大介电窗直接曝露在风扇下方的面积，提高了热量的散失速率，通过控制法拉第屏蔽板上的散热孔的分布，可以降低介电窗中心区域和边缘区域的温度差，实现对介电窗的均匀降温，避免了介电窗中心区域和边缘区域温度差过大造成的介电窗破裂等问题。同时，实现介电窗的温度均匀调节还有利于真空反应室内的刻蚀工艺制程能均匀进行。

    一种离子注入机扫描装置及扫描方法
    66.
    发明公开
    一种离子注入机扫描装置及扫描方法 失效

    公开(公告)号：CN104409307A

    公开(公告)日：2015-03-11

    申请号：CN201410635896.0

    申请日：2014-11-12

    申请人： 中国电子科技集团公司第四十八研究所

    发明人： 许波涛 ,  彭立波 ,  易文杰 ,  钟新华

    IPC分类号： H01J37/317 ,  H01J37/02

    CPC分类号： H01J37/3171 ,  H01J37/02 ,  H01J37/023

    摘要： 本发明公开了一种离子注入机扫描装置及扫描方法。所述扫描装置包括固定座，装在固定座上可沿着固定座竖直上下运动的垂直扫描机构，装在垂直扫描机构上可水平旋转的水平旋转机构，以及装在水平旋转机构上的扫描轴；所述扫描轴顶端装有可随扫描轴转动的用于装夹晶片的靶台，该靶台上装有调整所述晶片倾斜度的角度调整机构，以对离子注入角度进行校正。所述扫描方法先设置注入角度θ，计算扫描行程s和扫描次数n，然后使靶台4旋转角度α进行角度校正，靶台4倾斜到注入角度θ，最后完成扫描。本发明可以实现靶台垂直方向的扫描运动，同时还可以通过水平旋转机构使靶台绕扫描轴旋转，进行角度校正，能够实现更精确的注入角度控制。

    实现快速散热的法拉第屏蔽装置及等离子体处理装置
    68.
    发明公开
    实现快速散热的法拉第屏蔽装置及等离子体处理装置 无效

    公开(公告)号：CN104183451A

    公开(公告)日：2014-12-03

    申请号：CN201310193642.3

    申请日：2013-05-22

    申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司

    发明人： 左涛涛 ,  吴狄

    IPC分类号： H01J37/32 ,  H01J37/02

    摘要： 本发明公开了一种实现快速散热的法拉第屏蔽装置及等离子体处理装置，通过将等离子体反应腔上方的介电窗口靠近射频线圈的表面涂覆金属法拉第屏蔽装置，避免了传统的板状法拉第屏蔽装置受热发生变形导致的和介电窗口贴合不紧密，不能迅速的把介电窗口的热量传送到反应腔外部的技术问题，通过采用喷涂或蒸镀等方法，将法拉第屏蔽装置和介电窗口紧密贴合在一起，同时在法拉第屏蔽装置表面或内部设置导热部件，快速降低等离子体反应腔的温度，实现等离子体加工工艺的稳定和均匀。

    等离子处理装置和等离子处理方法
    70.
    发明授权
    等离子处理装置和等离子处理方法 有权 复审申请

    公开(公告)号：CN101853763B

    公开(公告)日：2014-07-09

    申请号：CN201010132226.9

    申请日：2010-03-16

    申请人： 东京毅力科创株式会社

    发明人： 小口元树 ,  森崎昭生 ,  花田幸纪

    IPC分类号： H01J37/32 ,  H01J37/02

    CPC分类号： H01L21/3065 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32146 ,  H01J37/32183

    摘要： 本发明提供一种等离子处理装置和等离子处理方法，与以往相比，能够谋求等离子体的稳定化，能够进行稳定的等离子处理，并且能够谋求延长构成匹配器的可变电容器的寿命。该等离子处理装置具有功率调制部件和匹配器，该功率调制部件进行以恒定的周期将来自高频电源的高频电力以脉冲状切换为第1功率和高于该第1功率的第2功率的功率调制，该匹配器用于对来自高频电源的高频电力进行阻抗匹配并施加该高频电力，该匹配器在由功率调制部件进行功率调制时、以及在施加第1功率时和自施加第2功率开始规定期间内，能停止匹配动作。