公开(公告)号：CN110911482A

公开(公告)日：2020-03-24

申请号：CN201811083986.8

申请日：2018-09-17

申请人： 国网浙江省电力公司 ,  清华大学

发明人： 周文鹏 ,  曾嵘 ,  余占清 ,  刘佳鹏 ,  赵彪 ,  许超群 ,  屈鲁 ,  庄池杰

IPC分类号： H01L29/744

摘要： 本发明提供一种门极换流关断晶闸管通态损耗改进方法，所述方法包括，所述方法通过工艺控制降低所述门极换流关断晶闸管的导通压降，从而减小所述晶闸管通态损耗；所述降低所述门极换流关断晶闸管的导通压降包括：降低门极换流关断晶闸管的硅的等效体电阻从而降低通态压降，和/或降低硅与两侧的金属块的接触压降。本发明的方法能够延长晶闸管使用寿命，增强了电子电路长期工作的稳定性。

公开(公告)号：CN108292669A

公开(公告)日：2018-07-17

申请号：CN201680066270.X

申请日：2016-09-09

申请人： ABB瑞士股份有限公司

发明人： M.阿尔诺德 ,  U.维穆拉帕蒂

IPC分类号： H01L29/744 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10 ,  H01L29/36 ,  H01L29/66 ,  H01L29/06

摘要： 本发明涉及一种关断型功率半导体器件，该器件包含多个晶闸管单元（52），各个晶闸管单元（52）包含：阴极区（54a、54b）；基极层（55）；漂移层（56）；阳极层（58）；栅极电极（510），布置成横向于与基极层（55）接触的阴极区（54a、54b）；阴极电极（53a、53b）；以及阳极电极（59）。多个晶闸管单元（52）的基极层（55）与栅极电极（510）之间的交界面以及阴极区（54a、54b）与阴极电极（53a、53b）之间的交界面为扁平且共面的。另外，基极层（55）包括栅极阱区（522），栅极阱区（522）从它与栅极电极（510）的接触部延伸至深度（dW），深度（dW）是阴极区（54a、54b）的深度（dC）的至少一半，其中，对于任何深度，该深度处的栅极阱区（522）的最小掺杂浓度是该深度处且横向位置处的位于阴极区（54a、54b）与栅极阱区（522）之间的基极层（55）的掺杂浓度的1.5倍，其中，在到与第一主侧（530）平行的平面上的正交投影中，该横向位置具有从阴极区（54a、54b）起2µm的距离。基极层（55）包括第二传导性类型的补偿区（524），补偿区布置成与第一主侧（530）直接邻接，且位于阴极区（54a、54b、54c）与栅极阱区（522）之间，其中，第一传导性类型的杂质的密度在补偿区中相对于净掺杂浓度至少为0.4。

公开(公告)号：CN104600101A

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：CN201510054994.X

申请日：2015-02-03

申请人： 清华大学

发明人： 曾嵘 ,  余占清 ,  吕纲 ,  陈政宇 ,  朱童 ,  张翔宇

IPC分类号： H01L29/423 ,  H01L29/744

CPC分类号： H01L29/42308 ,  H01L29/745

摘要： 本发明涉及一种集成门极换流晶闸管芯片的双门极接触环阴极面层结构包括多个同心的阴极环，一个同心门极接触环及多个阴极梳条，多个阴极梳条沿径向排列在每个阴极环的部分区域中，形成一个扇形区域；其特征在于，还包括第二个同心的门极接触环、多个径向门极接触条；其中第一个门极接触环位于内侧的阴极环之间，另一个门极接触环位于外侧的阴极环间或者位于最外环；二个门极接触环之间通过径向的门极接触条相连。本发明采用双门极结构，减小了远端GCT的换流距离，提高了远端GCT的换流速度，避免电流集中分布在远端GCT，提高大直径IGCT的电流关断能力。

公开(公告)号：CN102460708A

公开(公告)日：2012-05-16

申请号：CN201080031837.2

申请日：2010-02-23

申请人： 克里公司

发明人： 张清纯 ,  J·T·里奇蒙德 ,  R·J·卡拉南

IPC分类号： H01L29/74 ,  H01L29/744 ,  H01L25/07 ,  H03K17/73

CPC分类号： H01L29/744 ,  H01L25/18 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/7404 ,  H01L2924/0002 ,  H03K17/567 ,  H01L2924/00

摘要： 一种电子器件，包括具有阳极、阴极和栅极端子的宽带隙闸流管，和具有基极、集电极和发射极端子的宽带隙双极晶体管。所述双极晶体管的发射极端子直接耦接到所述闸流管的阳极端子，从而所述双极晶体管和所述闸流管串联。所述双极晶体管和所述闸流管限定了宽带隙双极功率开关器件，其构造为在非导通状态和导通状态之间切换，该导通状态允许电流在对应于所述双极晶体管的集电极端子的第一主端子和对应于所述闸流管的阴极端子的第二主端子之间流动，以响应于施加到所述双极晶体管基极端子的第一控制信号和施加到所述闸流管栅极端子的第二控制信号。还讨论了相关的控制电路。

公开(公告)号：CN101385130B

公开(公告)日：2010-12-22

申请号：CN200680053221.9

申请日：2006-02-24

申请人： 三菱电机株式会社

发明人： 凑忠玄 ,  山本秀和

IPC分类号： H01L21/322 ,  H01L29/78 ,  H01L29/744 ,  H01L29/861

CPC分类号： H01L21/3221 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7397

摘要： 本发明涉及半导体装置及其制造方法。器件制造步骤开始后，在硅衬底(1)的背面形成吸气层(3a)。之后，在硅衬底(1)的主面上形成MOS结构的栅极(5)，除去吸气层(3a)。通过上述制造方法形成MOS结构的栅极结构时，包含在硅衬底(1)中的溶解氧被吸气层(3a)捕捉，使硅衬底(1)的溶解氧浓度下降。由此，使硅衬底(1)的溶解氧浓度下降，能够得到良好的元件特性。

公开(公告)号：CN101228635B

公开(公告)日：2010-08-25

申请号：CN200680026776.4

申请日：2006-07-18

申请人： ABB技术有限公司

发明人： 穆纳福·拉希莫 ,  彼得·斯特赖特

IPC分类号： H01L29/744

CPC分类号： H01L29/102 ,  H01L29/744

摘要： 具有四层npnp结构的功率半导体器件(1)可通过栅电极(5)被关断。第一基极层(8)包括与阴极区域(6)相邻的阴极基极区域(81)和栅极基极区域(82)，该栅极基极区域(82)与栅电极(5)相邻但设置成与阴极区域(6)间隔一段距离，栅极基极区域(82、82’)在至少一个第一深度处具有与阴极基极区域(81)相同的标称掺杂浓度，该第一深度为距阴极区域(6)的与阴极金属化(2)相反的一侧的垂直距离。为了调制阻挡状态中的场和使从阴极产生的空穴在被驱入动态雪崩中时散开，栅极基极区域(82、82’)具有比阴极基极区域(81)高的掺杂浓度，和/或栅极基极区域(82)具有比阴极基极区域(81)深的深度。

公开(公告)号：CN101385130A

公开(公告)日：2009-03-11

申请号：CN200680053221.9

申请日：2006-02-24

申请人： 三菱电机株式会社

发明人： 凑忠玄 ,  山本秀和

IPC分类号： H01L21/322 ,  H01L29/78 ,  H01L29/744 ,  H01L29/861

CPC分类号： H01L21/3221 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7397

摘要： 本发明涉及半导体装置及其制造方法。器件制造步骤开始后，在硅衬底(1)的背面形成吸气层(3a)。之后，在硅衬底(1)的主面上形成MOS结构的栅极(5)，除去吸气层(3a)。通过上述制造方法形成MOS结构的栅极结构时，包含在硅衬底(1)中的溶解氧被吸气层(3a)捕捉，使硅衬底(1)的溶解氧浓度下降。由此，使硅衬底(1)的溶解氧浓度下降，能够得到良好的元件特性。

公开(公告)号：CN101271871A

公开(公告)日：2008-09-24

申请号：CN200810092129.4

申请日：2004-08-19

申请人： 关西电力株式会社

发明人： 菅原良孝

IPC分类号： H01L23/34 ,  H01L29/744 ,  H01L29/861 ,  H01L29/30

CPC分类号： H01L29/8613 ,  H01L23/045 ,  H01L23/34 ,  H01L23/345 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L25/072 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/744 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/4823 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48599 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/49051 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/10157 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/15312 ,  H01L2924/16152 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/20758 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： 为了得到可控制电流较大且损失较低的功率半导体装置，使用加热器等加热装置令使用宽间隙半导体的双极半导体元件的温度上升。该温度是比这样的温度高的温度，在所述这样的温度下，随所述宽间隙双极半导体元件的温度上升而降低的内嵌电压的降低数量所对应的所述宽间隙双极半导体元件的恒定损失的减少数量变得比随所述温度的上升而增加的导通电阻的增加数量所对应的所述恒定损失的增加数量大。

公开(公告)号：CN1326218C

公开(公告)日：2007-07-11

申请号：CN200410007391.6

申请日：2004-03-02

申请人： 株式会社电装

发明人： 青木孝明

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/744 ,  H01L29/749

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28202 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518 ,  H01L29/7811

摘要： 一种用于制造半导体器件(100)的方法，包括步骤：在衬底(3)中形成沟槽(4)；通过该绝缘膜(5)，在该沟槽(4)中形成导电膜(6)；以及在形成该导电膜(6)的步骤后，以退火温度使该衬底(3)退火，以便以退火温度去除该绝缘膜(5)中的损坏。用上述方法制造的器件(100)具有高可靠性。

公开(公告)号：CN1527369A

公开(公告)日：2004-09-08

申请号：CN200410007391.6

申请日：2004-03-02

申请人： 株式会社电装

发明人： 青木孝明

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/744 ,  H01L29/749

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28202 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518 ,  H01L29/7811

摘要： 一种用于制造半导体器件(100)的方法，包括步骤：在衬底(3)中形成沟槽(4)；通过该绝缘膜(5)，在该沟槽(4)中形成导电膜(6)；以及在形成该导电膜(6)的步骤后，以退火温度使该衬底(3)退火，以便以退火温度去除该绝缘膜(5)中的损坏。用上述方法制造的器件(100)具有高可靠性。