公开(公告)号：CN101638566B

公开(公告)日：2013-08-07

申请号：CN200910160246.4

申请日：2009-07-31

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 土生刚志 ,  高桥智一 ,  浅井文辉 ,  平山高正

IPC: C09J133/06 ,  C09J133/14 ,  C09J4/00 ,  C09J7/02 ,  C09J9/00

CPC classification number: C09J133/066 ,  C08L2312/06 ,  Y10T428/2809

Abstract: 本发明的目的在于提供一种再剥离型粘合剂，该粘合剂能够通过由放射线照射引起的固化反应充分地降低粘合力，同时能够减少液体渗入性，从而能够将液体等导致的粘合力下降或粘合剂的断裂以及半导体晶片等的污染最小化。一种再剥离型粘合剂，包含放射线反应性聚合物和放射线聚合引发剂，其中，所述放射线反应性聚合物具有来自于由式CH2＝CR1COOR2(式中，R1表示氢原子或甲基，R2表示碳原子数6以上的烷基)表示的一种以上单体的侧链和具有一个碳碳双键的侧链，并且所述单体以构成所述放射线反应性聚合物主链的全部单体的50摩尔％以上的比例聚合。

公开(公告)号：CN101157830B

公开(公告)日：2013-08-07

申请号：CN200710153171.8

申请日：2007-09-28

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 浅井文辉 ,  新谷寿朗 ,  佐佐木贵俊 ,  山本晃好 ,  高桥智一

IPC: C09J7/02 ,  B23K26/00

CPC classification number: H01L21/6836 ,  B23K26/40 ,  B23K2103/50 ,  C09J7/22 ,  C09J7/241 ,  C09J7/29 ,  C09J2201/162 ,  C09J2205/114 ,  C09J2423/006 ,  H01L21/78 ,  H01L2221/68327 ,  Y10T428/24355 ,  Y10T428/28

Abstract: 本发明的目的在于提供一种激光加工用粘合片，该粘合片在使用激光切断半导体晶片等被加工物时，可以把基材膜本身的切断限制在最小限度，防止基材膜向加工用的台面局部附着，从而容易且高效地进行之后的工序。本发明的激光加工用粘合片是在基材膜的表面叠层粘合剂层而形成的，其中，上述基材膜在里面含有接触减少层而构成。

公开(公告)号：CN103003232A

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN201180033998.X

申请日：2011-07-07

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 石黑繁树 ,  由藤拓三 ,  千田洋毅 ,  松本真理 ,  关口裕香 ,  长友绫 ,  大川雄士 ,  浅井文辉 ,  大石伦仁 ,  杉村敏正

IPC: C07C233/05 ,  C07C231/24 ,  C07C233/35 ,  C09J11/06 ,  C09J133/04

CPC classification number: C09J11/06 ,  C07C233/05 ,  C07C233/35 ,  C08K5/20 ,  C09J7/22 ,  C09J7/38 ,  C09J133/24 ,  C09J2205/102 ,  C09J2427/006 ,  C09J2433/00 ,  Y10T428/28 ,  Y10T428/2852 ,  Y10T428/2891

Abstract: 本发明的目的在于提供一种在各种环境下都可以得到稳定的粘接特性及剥离特性，并且可以将对被粘物的污染限制在最小的亚甲基双脂肪酸酰胺组合物、粘合片及其制造方法。所述亚甲基双脂肪酸酰胺组合物含有由脂肪酸单酰胺与甲醛反应得到的亚甲基双脂肪酸酰胺作为主成分，其中，包含所述脂肪酸单酰胺及构成该脂肪酸单酰胺的脂肪酸的杂质的含量为0～低于1重量%；所述粘合片是在热塑性树脂薄膜的单面形成压敏性粘合剂层而得到的，其中，至少在热塑性树脂薄膜及压敏性粘合剂层的任一者中含有上述亚甲基双脂肪酸酰胺组合物。

公开(公告)号：CN102399506A

公开(公告)日：2012-04-04

申请号：CN201110278080.3

申请日：2011-09-16

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 生岛伸祐 ,  土生刚志 ,  浅井文辉 ,  大山高辉 ,  鸟居忠雄 ,  龟井胜利 ,  加藤有树 ,  高桥智一

IPC: C09J7/02 ,  H01L21/683 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/67132 ,  B32B27/306 ,  B32B27/327 ,  B32B2250/24 ,  B32B2250/246 ,  B32B2405/00 ,  B32B2457/14 ,  C09J7/29 ,  C09J2201/162 ,  C09J2201/622 ,  C09J2203/326 ,  C09J2423/106 ,  H01L21/6836 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68386 ,  Y10T428/2848

Abstract: 本发明涉及一种压敏粘合带，根据本发明实施方案的压敏粘合带依次包括，耐热层；基材层；和压敏粘合剂层，其中：所述压敏粘合带具有在25℃下的弹性模量，即杨氏模量为150MPa以下；和所述耐热层包含通过使用金属茂催化剂聚合的聚丙烯类树脂，所述聚丙烯类树脂具有熔点为110℃至200℃和分子量分布“Mw/Mn”为3以下。

公开(公告)号：CN102382587A

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN201110217073.2

申请日：2011-07-28

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 高本尚英 ,  志贺豪士 ,  浅井文辉

IPC: C09J7/02 ,  H01L23/29 ,  H01L23/544

CPC classification number: H01L21/6836 ,  H01L23/3164 ,  H01L24/81 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/81007 ,  H01L2224/81024 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/814 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/8191 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  Y10T428/28 ,  Y10T428/2804 ,  Y10T428/31504 ,  Y10T428/31721 ,  Y10T428/31855 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及倒装芯片型半导体背面用膜及其用途。本发明涉及倒装芯片型半导体背面用膜，其要设置于倒装芯片连接至被粘物上的半导体元件背面上，所述倒装芯片型半导体背面用膜包括粘合剂层和层压于粘合剂层上的保护层，其中保护层由具有玻璃化转变温度为200℃以上的耐热性树脂构成或由金属构成。

公开(公告)号：CN102382585A

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN201110212301.7

申请日：2011-07-27

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 志贺豪士 ,  高本尚英 ,  浅井文辉

IPC: C09J7/02 ,  H01L23/29

CPC classification number: C08G59/621 ,  B32B27/38 ,  C08K3/36 ,  C08L63/00 ,  C09J163/00 ,  H01L2224/16225 ,  Y10T83/04 ,  Y10T428/31511

Abstract: 本发明涉及倒装芯片型半导体背面用膜，其要形成于倒装芯片连接至被粘物上的半导体元件的背面，所述倒装芯片型半导体背面用膜具有在1到8×103(％/GPa)的范围内的比率A/B，其中A是倒装芯片型半导体背面用膜在热固化前在23℃下的伸长率(％)，和B是倒装芯片型半导体背面用膜在热固化前在23℃下的拉伸贮能模量(GPa)。

公开(公告)号：CN102382583A

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN201110264268.2

申请日：2011-09-01

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 山本晃好 ,  土生刚志 ,  浅井文辉 ,  高桥智一 ,  井本荣一 ,  岛崎雄太

IPC: C09J7/00 ,  H01L21/683

CPC classification number: H01L21/67132 ,  C09J7/10 ,  C09J2201/622 ,  C09J2203/326 ,  Y10T428/24942 ,  Y10T428/26 ,  Y10T428/28

Abstract: 提供一种半导体晶片保护用粘合片，其即使在将半导体晶片研磨至极薄时、研磨大口径晶片时也不使半导体晶片弯曲(翘曲)，且对图案的追随性优异，不因经时而从图案上浮起，研磨时应力分散性好，可抑制晶片破裂、晶片边缘缺损，剥离时不发生层间剥离，不在晶片表面残留粘合剂残渣。一种半导体晶片保护用粘合片，其特征在于，其为在保护半导体晶片时贴合于半导体晶片表面的半导体晶片保护用片材，由不存在基材与粘合剂的界面的1层构成，该保护片在伸长10％时的应力松弛率为40％以上，贴附于30μm的有高低差部分时24小时后的带浮起幅度比初始大40％以下，粘合片的厚度为5μm～1000μm，进而使两面的粘合力互不相同。

公开(公告)号：CN102373022A

公开(公告)日：2012-03-14

申请号：CN201110217053.5

申请日：2011-07-29

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 高本尚英 ,  志贺豪士 ,  浅井文辉

IPC: C09J7/02 ,  H01L21/68

CPC classification number: C09J5/06 ,  C09J7/22 ,  C09J7/29 ,  C09J7/38 ,  C09J2201/36 ,  C09J2203/326 ,  C09J2205/102 ,  C09J2205/11 ,  C09J2205/302 ,  H01L21/563 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/544 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2223/54433 ,  H01L2223/54486 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81911 ,  H01L2224/83104 ,  H01L2924/10253 ,  Y10T428/25 ,  Y10T428/31504 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及半导体背面用加热剥离片集成膜、半导体元件的收集方法和半导体器件的生产方法。本发明涉及半导体背面用加热剥离片集成膜，其包括：包括基材层和压敏粘合剂层的压敏粘合片，和形成于压敏粘合片的压敏粘合剂层上的半导体背面用膜，其中压敏粘合片为其从半导体背面用膜的剥离力在加热时减少的热剥离性压敏粘合片。

公开(公告)号：CN102373020A

公开(公告)日：2012-03-14

申请号：CN201110216979.2

申请日：2011-07-29

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 高本尚英 ,  志贺豪士 ,  浅井文辉

IPC: C09J7/02 ,  H01L21/68

CPC classification number: H01L21/6836 ,  B32B5/022 ,  B32B5/028 ,  B32B7/12 ,  B32B15/08 ,  B32B25/08 ,  B32B25/12 ,  B32B25/14 ,  B32B25/18 ,  B32B27/08 ,  B32B27/10 ,  B32B27/12 ,  B32B27/281 ,  B32B27/306 ,  B32B27/308 ,  B32B27/32 ,  B32B27/34 ,  B32B27/36 ,  B32B27/365 ,  B32B27/38 ,  B32B29/002 ,  B32B37/12 ,  B32B2250/44 ,  B32B2270/00 ,  B32B2274/00 ,  B32B2307/202 ,  B32B2307/302 ,  B32B2307/306 ,  B32B2307/414 ,  B32B2307/514 ,  B32B2307/54 ,  B32B2307/732 ,  B32B2457/14 ,  H01L21/78 ,  H01L22/20 ,  H01L24/81 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68386 ,  H01L2924/014 ,  Y10T156/10 ,  Y10T428/24355

Abstract: 本发明涉及半导体背面用切割带集成膜和生产所述膜的方法，及生产半导体器件的方法。本发明涉及半导体背面用切割带集成膜，其包括：切割带，所述切割带包括具有凹凸加工面的基材和层压在所述基材上的压敏粘合剂层；和半导体背面用膜，所述半导体背面用膜层压于所述切割带的压敏粘合剂层上，其中所述切割带具有至多45％的雾度。

公开(公告)号：CN102373019A

公开(公告)日：2012-03-14

申请号：CN201110216966.5

申请日：2011-07-29

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 浅井文辉 ,  志贺豪士 ,  高本尚英

IPC: C09J7/02 ,  H01L21/68

CPC classification number: B32B7/06 ,  B32B7/02 ,  B32B7/12 ,  C09J7/20 ,  C09J201/00 ,  H01L21/563 ,  H01L21/68 ,  H01L21/6836 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2223/54486 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/8101 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/83007 ,  H01L2224/83104 ,  H01L2924/12042 ,  Y10T428/24942 ,  Y10T428/26 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及半导体背面用切割带集成膜及用于生产半导体器件的方法。本发明涉及一种半导体背面用切割带集成膜，其包括：包含依次堆叠的基材层、第一压敏粘合剂层和第二压敏粘合剂层的切割带，和堆叠在切割带的第二压敏粘合剂层上的半导体背面用膜，其中第一压敏粘合剂层与第二压敏粘合剂层之间的剥离强度Y大于第二压敏粘合剂层与半导体背面用膜间的剥离强度X，和其中剥离强度X为0.01-0.2N/20mm，和剥离强度Y为0.2-10N/20mm。