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公开(公告)号：CN102347264B
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201110185003.3
申请日：2011-06-30
申请人： 日东电工株式会社
CPC分类号： H01L21/6836 , B32B37/1284 , B32B38/0004 , B32B38/10 , B32B2405/00 , B32B2457/14 , C09J7/20 , C09J165/00 , C09J2201/606 , C09J2203/326 , C09J2461/00 , C09J2463/00 , H01L21/561 , H01L21/563 , H01L21/6835 , H01L23/293 , H01L23/3114 , H01L23/3164 , H01L23/544 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L2221/68336 , H01L2221/68377 , H01L2221/68381 , H01L2221/68386 , H01L2223/54406 , H01L2223/5442 , H01L2223/5448 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/16245 , H01L2224/27003 , H01L2224/27436 , H01L2224/29101 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/293 , H01L2224/29386 , H01L2224/73204 , H01L2224/81095 , H01L2224/81191 , H01L2224/81815 , H01L2224/8191 , H01L2224/83191 , H01L2224/8385 , H01L2224/92 , H01L2224/92125 , H01L2924/0001 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/0102 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/01045 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01056 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/12042 , H01L2924/15787 , H01L2924/15788 , Y10T156/1052 , Y10T156/1064 , Y10T156/1075 , Y10T156/1077 , Y10T156/1082 , Y10T156/1093 , Y10T428/1471 , Y10T428/1476 , Y10T428/1495 , Y10T428/15 , Y10T428/21 , H01L21/78 , H01L2224/83 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2924/00014 , H01L2924/01083 , H01L2224/13099
摘要： 本发明涉及半导体器件生产用膜、半导体器件生产用膜的生产方法和半导体器件的生产方法。本发明涉及半导体器件生产用膜，其包括：隔离膜；和多个粘贴粘合剂层的切割带，所述多个粘贴粘合剂层的切割带各自包括切割带和层压在切割带上的粘合剂层，所述粘贴粘合剂层的切割带以粘合剂层粘贴至隔离膜的方式以预定间隔层压在隔离膜上，其中所述隔离膜具有沿切割带的外周形成的切口，和切口的深度为不超过所述隔离膜厚度的2/3。
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公开(公告)号：CN103477424B
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201280007342.5
申请日：2012-01-30
申请人： 派克泰克封装技术有限公司
发明人： 加西姆·阿兹达什
CPC分类号： B23K1/0056 , B23K26/02 , B23K35/362 , H01L24/16 , H01L24/75 , H01L24/81 , H01L24/94 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/16145 , H01L2224/16221 , H01L2224/7501 , H01L2224/75101 , H01L2224/75263 , H01L2224/81065 , H01L2224/81191 , H01L2224/81192 , H01L2224/81193 , H01L2224/81224 , H01L2224/81815 , H01L2224/81907 , H01L2224/8191 , H01L2224/81986 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2924/014 , H01L2924/12042 , H01L2924/00
摘要： 本发明涉及一种用于使两个衬底（6，7）的连接面进行电接触的方法，其中所述两个衬底尤其是芯片（6）和载体衬底（7）、两个晶片或多个重叠设置的芯片以及衬底。根据本发明的方法以两个连续的阶段实现，其中在第一阶段中，将芯片（6）借助于其连接面相对于衬底（7）的连接面定位，以及实现用激光能（5）从背面加载芯片（6）；并且在后续的第二阶段中，实现在壳体（3）中用熔剂介质（例如氮气-甲酸混合物）加载，并且同时实现通过用激光能（5）从背面加载芯片（6）而引起的回流以及随后实现壳体内腔的吹扫过程。此外，本发明还涉及一种用于实现根据本发明的方法的第二阶段的设备。用于实现方法的第二阶段的根据本发明的设备包括：载体台（1）和壳体3），所述壳体与载体台（1）的上侧共同形成壳体内腔，器件装置定位在所述壳体内腔中；以及激光光源（5），所述激光光源定向为，使得激光束从
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公开(公告)号：CN106206375A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610382308.6
申请日：2016-06-01
申请人： 日东电工株式会社
CPC分类号： H01L21/6836 , H01L21/561 , H01L21/78 , H01L23/544 , H01L23/562 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L2221/68327 , H01L2221/68336 , H01L2221/68377 , H01L2223/54433 , H01L2223/54486 , H01L2224/13111 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/16227 , H01L2224/16245 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/73204 , H01L2224/81193 , H01L2224/81815 , H01L2224/8191 , H01L2224/83104 , H01L2224/83862 , H01L2224/92 , H01L2224/92125 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0665 , H01L2924/3511 , H01L2924/00014 , H01L2924/01083 , H01L2224/81 , H01L2224/83 , H01L2924/00 , H01L21/67126 , C09J4/00
摘要： 本发明提供具有再加工性的半导体背面用薄膜及其用途。一种半导体背面用薄膜，其在热固化前在70℃下对于晶圆的粘接力为7N/10mm以下，25℃下的断裂伸长率为700％以下。半导体背面用薄膜的基于乙醇的溶胀度优选为1重量％以上。半导体背面用薄膜优选包含丙烯酸类树脂。
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公开(公告)号：CN103094218B
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201210387672.3
申请日：2012-10-12
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L21/98 , H01L25/065 , H01L23/498
CPC分类号： H01L23/145 , H01L21/563 , H01L23/3128 , H01L23/49816 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/97 , H01L25/03 , H01L25/0652 , H01L25/50 , H01L2224/131 , H01L2224/16225 , H01L2224/16237 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/73203 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/81191 , H01L2224/81192 , H01L2224/81193 , H01L2224/81447 , H01L2224/81815 , H01L2224/8191 , H01L2224/83385 , H01L2224/92125 , H01L2224/97 , H01L2225/06517 , H01L2225/06562 , H01L2225/06589 , H01L2924/14 , H01L2924/1436 , H01L2924/1437 , H01L2924/15311 , H01L2924/15331 , H01L2924/15747 , H01L2924/181 , H01L2924/18161 , H01L2924/014 , H01L2224/81 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
摘要： 一种方法包括：将具有多个集成电路(IC)管芯的基板连接至封装基板，使得封装基板延伸超出基板的至少两条边，使封装基板的第一边部和第二边部具有暴露的接触件。第一边部和第二边部在封装基板的第一角部处汇合。将至少第一上部管芯封装件置于基板上方，使得第一上部管芯封装件的第一边部和第二边部延伸超出基板的至少两条边。第一上部管芯封装件的第一边部和第二边部上方的焊盘连接至封装基板的第一边部和第二边部的接触件。本发明还涉及封装工艺流程中的系统。
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公开(公告)号：CN103227163A
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN201210245069.1
申请日：2012-07-13
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L23/498 , H01L21/48 , H01L21/60
CPC分类号： H01L24/16 , H01L21/56 , H01L21/563 , H01L23/3171 , H01L23/3192 , H01L23/49816 , H01L23/49894 , H01L24/02 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L2224/0239 , H01L2224/0401 , H01L2224/05008 , H01L2224/05166 , H01L2224/05181 , H01L2224/05187 , H01L2224/05572 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/11849 , H01L2224/13005 , H01L2224/13012 , H01L2224/13023 , H01L2224/13024 , H01L2224/13082 , H01L2224/13083 , H01L2224/13111 , H01L2224/13113 , H01L2224/13116 , H01L2224/13139 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/1601 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/16238 , H01L2224/73204 , H01L2224/81011 , H01L2224/81193 , H01L2224/81801 , H01L2224/81815 , H01L2224/8191 , H01L2224/81911 , H01L2224/83104 , H01L2224/83855 , H01L2924/381 , H01L2924/3841 , H01L2924/01029 , H01L2924/01047 , H01L2924/01079 , H01L2924/01028 , H01L2924/01074 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/00014
摘要： 一种形成凸块结构的机制，能够形成芯片和衬底之间的凸块结构，以消除或减小焊料短路、助焊剂残留物及底部填充物空隙的风险。通过接合凸块结构中的铜柱的总高度除以接合凸块结构的间隔来定义α比率，可以建立α比率的下限以避免短路。也可以建立芯片封装件的间隔的下限以避免助焊剂残留物和底部填充物空隙形成。而且，铜柱凸块的纵横比具有下限，以避免间隔不足；以及上限，由于制造工艺限制。通过遵循适当的凸块设计和工艺准则，芯片封装件的产量和可靠性可能增加。本发明还提供了最小化封装件缺陷的凸块结构设计。
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公开(公告)号：CN103094218A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201210387672.3
申请日：2012-10-12
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L21/98 , H01L25/065 , H01L23/498
CPC分类号： H01L23/145 , H01L21/563 , H01L23/3128 , H01L23/49816 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/97 , H01L25/03 , H01L25/0652 , H01L25/50 , H01L2224/131 , H01L2224/16225 , H01L2224/16237 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/73203 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/81191 , H01L2224/81192 , H01L2224/81193 , H01L2224/81447 , H01L2224/81815 , H01L2224/8191 , H01L2224/83385 , H01L2224/92125 , H01L2224/97 , H01L2225/06517 , H01L2225/06562 , H01L2225/06589 , H01L2924/14 , H01L2924/1436 , H01L2924/1437 , H01L2924/15311 , H01L2924/15331 , H01L2924/15747 , H01L2924/181 , H01L2924/18161 , H01L2924/014 , H01L2224/81 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
摘要： 一种方法包括：将具有多个集成电路(IC)管芯的基板连接至封装基板，使得封装基板延伸超出基板的至少两条边，使封装基板的第一边部和第二边部具有暴露的接触件。第一边部和第二边部在封装基板的第一角部处汇合。将至少第一上部管芯封装件置于基板上方，使得第一上部管芯封装件的第一边部和第二边部延伸超出基板的至少两条边。第一上部管芯封装件的第一边部和第二边部上方的焊盘连接至封装基板的第一边部和第二边部的接触件。本发明还涉及封装工艺流程中的系统。
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公开(公告)号：CN103000561A
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201110404594.9
申请日：2011-12-07
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/687
CPC分类号： H01L24/95 , H01L24/75 , H01L24/81 , H01L2224/13101 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/75272 , H01L2224/81011 , H01L2224/81815 , H01L2224/8191 , H01L2224/92125 , H01L2924/014 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： 一种器件包括：下夹具和上夹具，其中下夹具和上夹具被配置成用于固定封装基板。下夹具包括第一基底材料和附接至该第一基底材料的第一多个部件。第一多个部件被设置成邻近所述下夹具的外围。上夹具包括第二基底材料和附接至第二基底材料的第二多个部件。第二多个部件被设置成邻近上夹具的外围。第一多个部件被配置成通过磁力吸附至第二多个部件。本发明还提供了一种用于将管芯接合在封装基板上方的具有可控间距的夹具。
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公开(公告)号：CN102842537A
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN201110344854.8
申请日：2011-11-03
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L23/00 , H01L23/488 , H01L21/60
CPC分类号： H01L24/03 , H01L23/3114 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L2224/0346 , H01L2224/0401 , H01L2224/05008 , H01L2224/05022 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05571 , H01L2224/05583 , H01L2224/05609 , H01L2224/05611 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05655 , H01L2224/05664 , H01L2224/11334 , H01L2224/11849 , H01L2224/13111 , H01L2224/13113 , H01L2224/13116 , H01L2224/13139 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/16147 , H01L2224/16237 , H01L2224/81191 , H01L2224/81411 , H01L2224/81413 , H01L2224/81416 , H01L2224/81439 , H01L2224/81447 , H01L2224/81455 , H01L2224/81815 , H01L2224/8191 , H01L2924/00014 , H01L2924/01327 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/15788 , H01L2924/01029 , H01L2924/00012 , H01L2924/01082 , H01L2924/01046 , H01L2924/01079 , H01L2924/01047 , H01L2924/014 , H01L2924/00 , H01L2224/05552
摘要： 一种半导体器件包括：势垒层，位于焊料凸块和后钝化互连(PPI)层之间。势垒层由无电镀镍(Ni)层、无电镀钯(Pd)层、或者浸渍(Au)层中的至少一个形成。
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公开(公告)号：CN1210792C
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN02160291.3
申请日：2002-08-29
申请人： 株式会社东芝
IPC分类号： H01L23/48 , H01L21/28 , H01L21/768 , H01L21/60
CPC分类号： H01L24/12 , H01L21/486 , H01L23/147 , H01L23/481 , H01L23/49827 , H01L24/11 , H01L24/16 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/75 , H01L24/81 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/02126 , H01L2224/0401 , H01L2224/05027 , H01L2224/05546 , H01L2224/05557 , H01L2224/05558 , H01L2224/05572 , H01L2224/10126 , H01L2224/1147 , H01L2224/13022 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/16145 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48465 , H01L2224/48799 , H01L2224/73204 , H01L2224/75 , H01L2224/7565 , H01L2224/75745 , H01L2224/75753 , H01L2224/81201 , H01L2224/81205 , H01L2224/81801 , H01L2224/81895 , H01L2224/8191 , H01L2224/81948 , H01L2225/0651 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2924/00013 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01018 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01039 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01073 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01327 , H01L2924/014 , H01L2924/04953 , H01L2924/09701 , H01L2924/10253 , H01L2924/12042 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/1433 , H01L2924/15311 , H01L2224/13099 , H01L2924/00 , H01L2224/05552 , H01L2224/05599
摘要： 一种半导体器件，包括：在基板上所形成的第一电极；所述第一电极上的凹型形状的下突起金属膜；以及埋设在所述下突起金属膜的凹型形状内部的，侧面和底面由所述下突起金属膜围绕的突起电极。
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公开(公告)号：CN108695264A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201810312732.2
申请日：2018-04-09
申请人： 瑞萨电子株式会社
IPC分类号： H01L23/13 , H01L23/488
CPC分类号： H01L24/13 , H01L23/291 , H01L23/293 , H01L23/3192 , H01L23/49811 , H01L23/49816 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L2224/02206 , H01L2224/02215 , H01L2224/0345 , H01L2224/0362 , H01L2224/03912 , H01L2224/0401 , H01L2224/05014 , H01L2224/05022 , H01L2224/05083 , H01L2224/05124 , H01L2224/05166 , H01L2224/05184 , H01L2224/05186 , H01L2224/05555 , H01L2224/05572 , H01L2224/05573 , H01L2224/05582 , H01L2224/05647 , H01L2224/11462 , H01L2224/1147 , H01L2224/11849 , H01L2224/11901 , H01L2224/13005 , H01L2224/13014 , H01L2224/13022 , H01L2224/13082 , H01L2224/13083 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/14131 , H01L2224/14133 , H01L2224/1601 , H01L2224/16013 , H01L2224/16058 , H01L2224/16112 , H01L2224/16227 , H01L2224/16237 , H01L2224/16238 , H01L2224/1713 , H01L2224/73204 , H01L2224/81048 , H01L2224/81191 , H01L2224/81193 , H01L2224/814 , H01L2224/81455 , H01L2224/81815 , H01L2224/8191 , H01L2224/83192 , H01L2224/83862 , H01L2224/92125 , H01L2224/94 , H01L2924/15311 , H01L2924/15313 , H01L2924/3512 , H01L2224/03 , H01L2224/11 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2924/01047 , H01L2924/0103 , H01L2924/01029 , H01L2924/01028 , H01L2924/01083 , H01L2924/01051 , H01L2924/206 , H01L2924/207 , H01L2924/04941 , H01L2224/1146 , H01L2224/47 , H01L23/488 , H01L23/13
摘要： 本申请涉及半导体器件。旨在提高半导体器件的可靠性。半导体器件包括印刷电路板和安装在印刷电路板上方的半导体芯片。该半导体芯片包括焊盘、包括露出焊盘的一部分的开口的绝缘膜以及形成在从开口露出的焊盘上方的柱电极。印刷电路板包括端子和包括用于露出端子的一部分的开口的抗蚀剂层。半导体芯片的柱电极和印刷电路板的端子经由焊料层耦合。从绝缘膜的上表面测量柱电极的厚度h1。从抗蚀剂层的上表面测量焊料层的厚度h2。厚度h1大于或等于厚度h2的一半并且小于或等于厚度h2。
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