公开(公告)号：CN104900717A

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：CN201410306543.6

申请日：2014-06-30

申请人： 株式会社东芝

发明人： 下条亮平 ,  田中文悟

IPC分类号： H01L29/868 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L29/868 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/0664 ,  H01L29/36 ,  H01L29/407 ,  H01L29/6609 ,  H01L29/66136 ,  H01L29/7391 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7397

摘要： 本发明提供一种能够提高恢复耐量的半导体装置。半导体装置具备：第1导电型的第1半导体层(11)，具有第1面(11a)和与第1面对置的第2面(11b)；第2导电型的第2半导体层(12)，设置于第1面侧；第2导电型的第3半导体层(13)，部分地设置在第2半导体层内；第1导电型的第4半导体层(14)，设置在第1半导体层与第2半导体层之间，具备与第3半导体层对置且具有第1杂质浓度的第1区域(14a)、以及具有比第1杂质浓度高的第2杂质浓度的第2区域(14b)；第1导电型的第5半导体层(15)，设置于第2面；导电体(16)，经由绝缘膜(17)与第1半导体层、第2半导体层以及第3半导体层相接。

公开(公告)号：CN104425245A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201310374240.3

申请日：2013-08-23

申请人： 无锡华润上华半导体有限公司

发明人： 张硕 ,  芮强 ,  王根毅 ,  邓小社

IPC分类号： H01L21/331

CPC分类号： H01L27/0664 ,  H01L21/263 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/304 ,  H01L21/3065 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/66333 ,  H01L29/7395

摘要： 本发明提供一种反向导通绝缘栅双极型晶体管制造方法，该制造方法采用多晶硅来填充反向导通绝缘栅双极型晶体管背面的沟槽。只需要精确控制多晶硅的掺杂浓度就可以控制反向导通绝缘栅双极型晶体管背面的反向导通二极管的参数，工艺控制要求较低。该反向导通绝缘栅双极型晶体管制造方法对制造工艺控制要求较低，制造难度较小。

公开(公告)号：CN102376773A

公开(公告)日：2012-03-14

申请号：CN201110226614.8

申请日：2011-08-04

申请人： 株式会社电装

发明人： 山本贵生 ,  户仓规仁 ,  加藤久登 ,  中川明夫

IPC分类号： H01L29/861 ,  H01L29/06 ,  H01L29/872

CPC分类号： H01L29/868 ,  H01L27/0664 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/405 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/7394 ,  H01L29/7824

摘要： 一种具有横向二极管的半导体装置包括半导体层(1c，1f，1g)、半导体层中的第一半导体区域(2)、杂质浓度大于第一半导体区域的接触区域(4)、位于半导体层中并与接触区域分开的第二半导体区域(6)、通过接触区域电连接到第一半导体区域的第一电极(10)、以及电连接到第二半导体区域的第二电极(11)。所述第二半导体区域包括低杂质浓度部分(7)、高杂质浓度部分(8)和扩展部分(9)。所述第二电极与所述高杂质浓度部分形成欧姆接触。扩展部分的杂质浓度大于低杂质浓度部分的杂质浓度并在半导体层的厚度方向上延伸。

公开(公告)号：CN101764139A

公开(公告)日：2010-06-30

申请号：CN200910266371.3

申请日：2009-12-24

申请人： 株式会社电装

发明人： 都筑幸夫 ,  田边广光 ,  河野宪司

IPC分类号： H01L27/144 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L27/0664 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7397 ,  H03K17/0828 ,  H03K17/145

摘要： 一种半导体器件(100)在半导体衬底(10)中包括垂直IGBT和垂直续流二极管。在半导体衬底(10)的第一表面侧部分设置多个基极区(11)，在半导体衬底(10)的第二表面侧部分交替设置多个集电极区(20)和多个阴极区(21)。基极区(11)包括多个在垂直IGBT处于工作状态时提供沟道(22)的区域(13)。半导体衬底(10)的第一侧部分包括多个IGBT区域(19)，每个IGBT区域位于相邻两个沟道(22)之间，包括与发射极电极电耦合的基极区(11)之一并与阴极区(21)之一相对。IGBT区域(19)包括多个窄区域(19a)和多个宽区域(19b)。

公开(公告)号：CN101132021B

公开(公告)日：2010-06-02

申请号：CN200710142402.5

申请日：2007-08-22

申请人： 东部高科股份有限公司

发明人： 林秀

IPC分类号： H01L29/732 ,  H01L27/146 ,  H01L21/331 ,  H01L21/822

CPC分类号： H01L29/0821 ,  H01L27/0664 ,  H01L27/14643 ,  H01L29/66272 ,  H01L29/732

摘要： 一种在光电二极管区域具有最大电流增益的垂直BJT及其制造方法，该垂直BJT包括第一和第二集电极区域，位于不同外延层；发射极区域，插入在第一和第二集电极区域间；基极区域，形成在第一集电极区域和发射极区域、以及第二集电极区域和发射极区域上。根据实施例，由于BJT可以与光电二极管一起形成，并且集电极电流基于双基极结构而向上和向下流动，所以可以增加电流的幅度。

公开(公告)号：CN100550382C

公开(公告)日：2009-10-14

申请号：CN200610143137.8

申请日：2006-11-01

申请人： 国际商业机器公司

发明人： 刘学锋 ,  R·M·拉塞尔 ,  金成东 ,  D·D·库尔鲍 ,  A·J·约瑟夫 ,  L·D·兰泽若蒂

IPC分类号： H01L27/02 ,  H01L21/82

CPC分类号： H01L27/0814 ,  H01L27/0664 ,  H01L27/0823 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/7371 ,  H01L29/868

摘要： 一种结构包括单晶片，具有在第一厚度的第一区域中形成的第一子集电极和在与第一厚度不同的第二厚度的第二区域中形成的第二子集电极。还旨在一种方法，该方法包括提供包括第一层的衬底并且在第一层中形成第一掺杂区域。该方法还包括在第一层上形成第二层并且在第二层中形成第二掺杂区域。第二掺杂区域以不同于第一掺杂区域的深度形成。该方法还包括在第一层中形成第一通孔并且在第二层中形成第二通孔以连接第一通孔到表面。

公开(公告)号：CN100431153C

公开(公告)日：2008-11-05

申请号：CN01133842.3

申请日：2001-12-25

申请人： 三洋电机株式会社

发明人： 大川重明 ,  大古田敏幸

IPC分类号： H01L27/06 ,  H01L21/82

CPC分类号： H01L29/66272 ,  H01L27/0664 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/8611

摘要： 本发明的目的是在内装适用于输出晶体管保护的消弧二极管的半导体集成电路装置中对使二极管元件截止时的耐压大幅度地提高的二极管元件进行高效率的集成化。在该半导体集成电路装置中，通过使形成为正极区域的P+型第1埋入层35和形成为负极区域的N+型扩散区域41在深度方向上隔开形成，当在二极管元件21上施加了反向偏置电压时，可以在由PN结的第1和第2外延层25、26构成的N型区域上得到宽幅的过渡层形成区域并由所形成的该过渡层确保耐压，从而能够抑制由击穿电流造成的内部元件损坏。

公开(公告)号：CN107851584A

公开(公告)日：2018-03-27

申请号：CN201780002628.7

申请日：2017-02-23

申请人： 富士电机株式会社

发明人： 田村隆博 ,  小野泽勇一 ,  高桥美咲

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/265 ,  H01L21/322 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

CPC分类号： H01L21/221 ,  H01L21/265 ,  H01L21/322 ,  H01L27/0664 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/739 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L29/8613 ,  H01L29/868

摘要： 本发明提供一种半导体装置，具备：第一区域，其形成于半导体基板的正面侧；漂移区，其形成于比第一区域更靠近半导体基板的背面侧的位置；缓冲区，其形成于比漂移区更靠近半导体基板的背面侧的位置，包括1个以上的比漂移区的杂质浓度高的杂质浓度的峰；寿命控制体，其配置于半导体基板的背面侧，使载流子寿命缩短，寿命控制体的浓度的峰配置在缓冲区的杂质浓度的峰中的最靠近半导体基板的正面侧的峰与半导体基板的背面之间。

公开(公告)号：CN105210187B

公开(公告)日：2017-10-10

申请号：CN201480021099.1

申请日：2014-10-03

申请人： 富士电机株式会社

发明人： 田村正树 ,  吉田崇一 ,  安达新一郎

IPC分类号： H01L27/04 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L29/06 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/47 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868 ,  H01L29/872

CPC分类号： H01L27/0664 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/456 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7397

摘要： 在IGBT部(21)配置IGBT，在FWD部(22)配置FWD。在IGBT部(21)中，在相邻的沟槽(2)间的台面部，在基板正面沿着沟槽(2)长度方向交替地露出p基区(5‑1)与n‑漂移区(1)。在FWD部(22)中，在台面部，在基板正面沿着沟槽(2)长度方向交替地露出p阳极区(5‑2)与n‑漂移区(1)，形成n‑漂移区(1)的被夹在p阳极区(5‑2)间的部分和与该部分接触的一个p阳极区(5‑2)作为一个单元区域的重复结构。在一个单元区域内，p阳极区(5‑2)所占的比例(阳极比率)(α)为50％～100％。由此，能够提高将IGBT与FWD内置于同一半导体基板的RC‑IGBT的二极管特性。

公开(公告)号：CN103972282B

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：CN201410043930.5

申请日：2014-01-30

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： R.巴布斯克 ,  C.耶格 ,  J.拉文 ,  H-J.舒尔策

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L21/331

CPC分类号： H01L27/0664 ,  H01L21/04 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/66143 ,  H01L29/6634 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7393 ,  H01L29/7397

摘要： 本发明涉及反向阻断半导体器件和制造反向阻断半导体器件的方法。一种反向阻断半导体器件包括第一导电类型的基极区域和第二、互补导电类型的本体区域，其中基极区域和本体区域形成pn结。在基极区域和集电极之间布置包括第二导电类型的发射极区和至少一个第一导电类型的沟道的发射极层。沟道延伸通过在基极区域和集电极之间的发射极层并且在正向阻断状态中减小泄漏电流。