光刻设备和位置测量方法
    85.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1758140A

    公开(公告)日:2006-04-12

    申请号:CN200510113781.6

    申请日:2005-10-08

    IPC分类号: G03F7/00 G03F9/00 G01B9/02

    CPC分类号: G03F7/70775 G03F7/70858

    摘要: 在光刻设备中,利用物体位置测量系统来测量物体在环境空间中的位置,所述物体位置测量系统会受到环境空间中压力变化的影响,可以利用精确测量环境空间中的压力来校正所述位置测量结果5。可以设置参考压力容积,所述参考压力容积包括连接到环境空间的具有预定的流动特性的流体连接。测量参考压力容积中的压力和环境空间中环境压力之间的压力差。将参考压力容积中的绝对压力加到所述压力差上,以便测定环境空间中的压力变化。或者,把压力差对一定时间进行积分,用以测定参考压力容积中的压力变化,并将参考压力容积中的这种压力变化加到压力差上,以测定环境空间中的压力变化。流体连接也可以是能够打开和关闭的阀门。

    根据产品设计及产率反馈系统的综合性集成光刻制程控制系统

    公开(公告)号:CN1685492A

    公开(公告)日:2005-10-19

    申请号:CN03822826.2

    申请日:2003-09-12

    IPC分类号: H01L21/66

    摘要: 本发明提供可促进制程执行的系统和方法。集合关键参数的值作为品质矩阵,该品质矩阵根据参数对于一个或多个设计目标的重要性而加权各个参数。通过根据诸如产品设计、仿真、测试结果、产率数据、电气数据等信息的系数来加权各关键参数。本发明然后能够开发品质指标,该品质指标为当前制程的综合“分数”。然后控制系统能够将品质指标与设计规格相比较,以便判定是否可接受当前制程。若该制程为不可接受,则可修正测试参数以用于进行中的制程,该制程能够再运作和再实施完成的制程。如此,根据产品设计和产率,组件的各个层能对于不同的规格和品质指标而定制。

    光刻装置和器件制造方法
    87.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1637608A

    公开(公告)日:2005-07-13

    申请号:CN200410049043.5

    申请日:2004-06-11

    IPC分类号: G03F7/20 H01L21/00

    摘要: 一种光刻装置和器件制造方法,其使用了限定在容器(13)中的高折射率的液体,该液体至少部分地填充投射透镜的最终元件和基底之间的成像区域。对在溶解了大气气体的液体中形成的或者从暴露于液体的装置元件中放气形成的气泡进行检测并去除,使得气泡不会干涉曝光而导致在基底上的印刷缺陷。通过测量与液体中的超声衰减有关的频率来进行检测,通过对液体除气和加压、使液体与大气隔离、使用低表面张力的液体、提供通过成像区域的液体的连续流动、和相位移动超声驻波波节图案来进行气泡去除。

    光刻装置及器件制造方法
    88.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1627192A

    公开(公告)日:2005-06-15

    申请号:CN200410100063.0

    申请日:2004-12-07

    IPC分类号: G03F7/20 H01L21/027

    CPC分类号: G03F7/70858

    摘要: 本发明提供一种光刻装置,包括用于提供辐射投射光束的照射系统(IL),用于支撑构图部件(M)的支撑结构(MT),所述构图部件用于给投射光束的截面赋予图案,用于保持基底(W)的基底台(WT),用于将带图案的光束投射到基底(W)的目标部分上的投影系统(PL),参考框架(MF),在该参考框架上设置用于所述构图部件(M)和所述基底(W)中至少一个的至少一个位置传感器(IF)和所述投影系统(MF),该装置进一步包括:热传输系统(HT-PL,HT-MF),与投影系统(PL)和参考框架(MF)中至少一个热相互作用,用以进行向投影系统PL和参考框架MF中至少一个的热传输或者从投影系统和参考框架中至少一个的热传输,其中热传输系统(HT-PL,HT-MF)与另一个框架耦合,该另一个框架与参考框架MF机械地隔离。