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公开(公告)号:CN102668078A
公开(公告)日:2012-09-12
申请号:CN201080049437.4
申请日:2010-10-28
申请人: 美光科技公司
IPC分类号: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC分类号: H01L27/2409 , H01L21/22 , H01L27/0207 , H01L27/2436 , H01L27/249 , H01L45/04 , H01L45/06 , H01L45/1226 , H01L45/144 , H01L45/146
摘要: 本发明揭示非易失性存储器装置,其包含包括多个垂直叠加的二极管的存储器串。所述二极管中的每一者可布置于沿电极的长度的不同位置处且可通过电介质材料而与邻近二极管间隔开。所述电极可将所述存储器串的所述二极管彼此电耦合且电耦合到另一存储器装置,例如MOSFET装置。本发明还揭示形成所述非易失性存储器装置的方法以及中间结构。
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公开(公告)号:CN101370897B
公开(公告)日:2012-09-05
申请号:CN200780002906.5
申请日:2007-01-31
申请人: 卡伯特微电子公司
IPC分类号: H01L21/302
CPC分类号: C23F3/06 , C09G1/02 , C09K3/1409 , C09K3/1463 , H01L45/06 , H01L45/144 , H01L45/148 , H01L45/1683
摘要: 本发明提供一种适合用于抛光包含相变合金(PCA)例如锗-锑-碲(GST)合金的基板的化学机械抛光(CMP)组合物。该组合物包含不超过6重量%的颗粒研磨材料和任选的氧化剂、至少一种螯合剂、以及为此的含水载体。该螯合剂包含化合物或化合物的组合,所述化合物或化合物的组合能够螯合存在于该基板中的相变合金或其组分(例如,锗、铟、锑和/或碲类)或者螯合在用该CMP组合物抛光该基板的过程中由该PCA形成的物质。还公开一种利用该组合物抛光含有相变合金的基板的CMP方法。
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公开(公告)号:CN101911296B
公开(公告)日:2012-08-22
申请号:CN200880124911.8
申请日:2008-06-18
申请人: 佳能安内华股份有限公司
IPC分类号: H01L27/105 , G11C13/00 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC分类号: H01L27/2436 , G11C13/0004 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/144 , H01L45/1625 , H01L45/1675 , H01L45/1683 , Y10S438/90
摘要: 相变存储元件,包含:由具有钙钛矿结构的材料形成的钙钛矿层,和相变记录材料层,其位于所述钙钛矿层的至少一侧,且当通过所述钙钛矿层供应电流时相变为晶态和非晶态之一。
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公开(公告)号:CN102592664A
公开(公告)日:2012-07-18
申请号:CN201110162827.9
申请日:2011-06-10
申请人: 旺宏电子股份有限公司
CPC分类号: H01L45/06 , G11C11/005 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C13/0069 , G11C14/00 , G11C2013/0083 , G11C2013/0092 , H01L27/2463 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1625 , H01L45/1641
摘要: 本发明提出一种存储装置。该装置包括可编程阻抗存储单元,包括电性预应力目标存储单元,该预应力目标存储单元具有一较低电压过渡门限、一较短延时设定间隔与一较长复位状态保持特性的其中之一,偏压电路是包括在装置上并经配置以控制该预应力操作,且以施加能够因应该预应力存储单元而修改的读取、设定以及复位操作。
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公开(公告)号:CN101908553B
公开(公告)日:2012-07-04
申请号:CN201010184324.7
申请日:2010-05-21
申请人: 旺宏电子股份有限公司 , 国际商用机器公司
CPC分类号: H01L27/101 , G11C13/0004 , H01L27/2454 , H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/142 , H01L45/144 , H01L45/146 , H01L45/1625 , H01L45/1641 , H01L45/1675 , H01L45/1683
摘要: 本发明公开了一种存储器装置及其制造方法。此装置包括具有第一与第二区域的基底。第一区域包括第一场效应晶体管。第一场效应晶体管包括:基底内的被水平通道区隔开的第一与第二掺杂区;栅极,位于水平通道区上;第一介电层,覆盖栅极。第二区域包括第二场效应晶体管。第二场效应晶体管包括:第一端,穿过第一介电层而延伸以接触基底;第二端,位于第一端上且具有顶面;垂直通道区,将第一端与第二端隔开。第二场效应晶体管还包括位于第一介电层上且邻近垂直通道区的栅极。栅极具有与第二端的顶面共面的顶面。第二介电层将栅极与垂直通道区隔开。
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公开(公告)号:CN1996493B
公开(公告)日:2012-05-30
申请号:CN200610171783.5
申请日:2006-12-29
申请人: 三星电子株式会社
IPC分类号: G11C11/56 , H01L27/24 , H01L23/522
CPC分类号: G11C8/12 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C13/0023 , G11C2213/72 , G11C2213/79 , H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/148
摘要: 提供了一种相变存储器件。所述相变存储器件包括:相变存储单元阵列,其包括:具有多个相变存储单元的第一存储块,所述多个相变存储单元中的每一个连接于多条位线中的每一条和第一字线之间,具有多个相变存储单元的第二存储块,所述多个相变存储单元中的每一个连接于所述多条位线中的每一条和第二字线之间,以及第一和第二下拉晶体管,其下拉所述第一和第二字线的每一电压电平,并共享节点;以及行驱动器,其包括用于上拉所述第一和第二字线中的每一电压电平的第一和第二上拉晶体管。
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公开(公告)号:CN102456834A
公开(公告)日:2012-05-16
申请号:CN201110302115.2
申请日:2011-10-08
申请人: 索尼公司
发明人: 角野润
CPC分类号: H01L45/144 , G11C13/0002 , H01L45/04 , H01L45/06 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/1286 , H01L45/146 , H01L45/147 , H01L45/1675
摘要: 本发明涉及一种非易失性存储器件和非易失性存储器件的制造方法。在所述非易失性存储器件中层叠有第一电极、具有正的珀尔帖系数的第一材料层、信息存储层、具有负的珀尔帖系数的第二材料层和第二电极。根据本发明,能够抑制由于焦耳热导致的所述信息存储层的温度上升,因此能够抑制读干扰现象的发生。
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公开(公告)号:CN101728483B
公开(公告)日:2012-03-28
申请号:CN200910176380.3
申请日:2009-09-28
申请人: 旺宏电子股份有限公司
CPC分类号: G11C5/063 , G11C11/5664 , G11C11/5678 , G11C11/5685 , G11C13/0004 , G11C13/0007 , G11C13/0014 , G11C2213/34 , H01L45/06 , H01L45/12 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1675
摘要: 一种存储装置实施例包含一底电极结构及一顶电极结构,及一存储单元在两者之间。该存储单元包含一底存储元件及一顶存储元件,及一介电元件在两者之间。一较低电阻导电路经形成在介电元件。该介电元件具有一外缘和一中心部位,而该外缘较厚于该中心部位。为了制造该存储装置,施加一电性脉冲通过该存储单元以形成一导电路径并通过该介电元件。借着氧化该存储单元的该外表面可以形成一钝化元件,这样亦可以加大该存储元件的该外缘。
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公开(公告)号:CN101577140B
公开(公告)日:2012-03-28
申请号:CN200810185498.8
申请日:2008-12-16
申请人: 旺宏电子股份有限公司
CPC分类号: H01L45/126 , H01L27/2436 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144
摘要: 本发明公开了一种存储器元件及其操作方法。存储单元包括第一电极及第二电极。存储单元还包括相变材料,其具有沿第一电极与第二电极之间的电极间电流路径串联排列的第一主动区域和第二主动区域。
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公开(公告)号:CN102382575A
公开(公告)日:2012-03-21
申请号:CN201110243540.9
申请日:2011-07-01
申请人: 罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司
CPC分类号: C09G1/02 , H01L45/06 , H01L45/144 , H01L45/1683
摘要: 用于硫族合金的抛光液。本发明提供了一种用于化学机械抛光硫族相变合金基材的化学机械抛光组合物。该组合物包括,按重量百分比计,水、0.1-30的胶体二氧化硅研磨剂、至少一种抛光剂,抛光剂选自0.05-5的卤素化合物、0.05-5的邻苯二甲酸、0.05-5的邻苯二甲酸酐及其盐、衍生物和其混合物。该化学机械抛光组合物的pH为2-小于7。
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